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公开(公告)号:CN101471240A
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN200810186926.9
申请日:2004-06-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L24/27 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27
Abstract: 本发明涉及粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法。本发明提供粘合片的切割方法,该方法是通过扩张进行粘贴在半导体晶片上的粘合片的切割,其特征在于:在室温以下的温度进行所述扩张。
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公开(公告)号:CN1727429A
公开(公告)日:2006-02-01
申请号:CN200510083610.3
申请日:2001-02-15
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/60
Abstract: 一种粘接剂组合物及其制造方法,该组合物由环氧树脂(a)、固化剂(b)、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物(c)所组成,必要时还包括填充剂(d)或/和固化促进剂(e);其制造方法为:先混合环氧树脂(a)以及固化剂(b)与填充剂(d),再混合与环氧树脂系为非相溶的高分子化合物(c)于该混合物。本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
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公开(公告)号:CN1633487A
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN02816650.7
申请日:2002-08-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J163/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 粘合薄片,其具备压敏粘合剂层和底材层,通过放射线照射来控制上述压敏粘合剂层和上述底材层间的粘合力,上述压敏粘合剂层含有以下的成分:(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分、以及(c)通过放射线照射而产生碱基的化合物。本发明的粘合薄片是满足在切割时具有使半导体元件不飞散的足够的粘合力,此后通过照射放射线来控制上述压敏粘合剂层和底材间的粘合力,从而在取出时具有不损伤各元件的低粘着力的这样相反要求的粘合薄片。
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公开(公告)号:CN1235699A
公开(公告)日:1999-11-17
申请号:CN97199379.3
申请日:1997-11-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/563 , H01L23/145 , H01L23/5383 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83851 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/07811 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H05K3/323 , H05K3/4626 , H05K3/4652 , H05K3/4655 , H05K2201/0133 , H05K2201/068 , H05K2201/10674 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 在把半导体芯片10装配到装配基板20上的装置中,对玻璃环氧树脂两面贴铜层压板21的表面,施行电路加工32和内层粘接处理,接着,把带铜箔的环氧树脂粘接膜冲压叠层粘接到上述内层电路表面上,在它上面开贯通孔,施行无电解镀铜,用去掉(subtract)法进行的外层电路加工31和33,及涂敷焊锡,得到装配基板20。用粘接剂膜40把半导体芯片的突出电极11和装配基板连接起来。
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