公开(公告)号：KR100723470B1

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020010036227

申请日：2001-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송기용 ,  우상균 ,  이성호 ,  윤광섭 ,  김현우

IPC: G03F7/004

Abstract: 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 하기식으로 표시되는 불소치환 환상형 모노머를 포함한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 이 불소치환 환상형 모노머가 노르보넨 유도체와 중합된 코폴리머 형태를 지니거나 노르보넨 유도체 이외에 아크릴레이트, 메타아크릴레이트, 아크릴산 및 메타아크릴산으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 모노머를 더 포함하는 터폴리머 이상의 폴리머 형태를 지닌다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머로 구성된 레지스트 조성물은 193nm 이하의 노광원에 대해서 투명하며, 하부 막질에 대한 접착성이 양호하고, 건식 식각 내성이 크며, 콘트라스트 특성등이 양호하다.

불소 엑시머 레이저, 불소치환구조.

公开(公告)号：KR1020070047089A

公开(公告)日：2007-05-04

申请号：KR1020050103845

申请日：2005-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성헌 ,  송기용 ,  노창호 ,  김진영

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/445 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 광촉매 화합물로 구성되는 광촉매층, 상기 광촉매층 위에 형성된 금속 메쉬층 및 상기 금속 메쉬층 위에 전도성 물질이 코팅되어 형성된 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 투명 전극, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 반도체 전극에 관한 것이다. 본 발명에서는 기존의 태양전지용 투명 전극 내에 저저항 금속 메쉬층을 복합화시킴으로써 투과도의 저하 없이 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조가 가능하므로, 본 발명의 투명 전극을 채용하는 태양전지는 고효율 특성을 갖는다.
태양전지, 반도체 전극, 투명 전극, 광촉매층, 금속 메쉬층

Abstract translation: 本发明一方面包括一个透明衬底，透明衬底上形成形成光催化剂层上的金属网层，并通过涂覆在金属网层上的导电材料形成的导电层上的光催化剂化合物构成的光催化剂层 其制造方法以及包含其的半导体电极。 由于本发明可以制造具有低电阻而不受在以往的太阳能电池的透明电极配混的低电阻金属网层降低传输速率的透明电极的，采用本发明的透明电极的太阳能电池具有高效率特性 。

公开(公告)号：KR100709446B1

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：KR1020040088804

申请日：2004-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노창호 ,  조성헌 ,  송기용 ,  황억채 ,  김진영 ,  비와이케이.타마라

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H05K3/185 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/204 ,  C23C18/208 ,  C23C18/30 ,  C23C18/36 ,  C23C18/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 저저항 금속패턴 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게(ⅰ) 광촉매 화합물을 기판에 코팅하여 광촉매 필름을 형성하는 단계; (ⅱ) 상기 광촉매 필름 상에 수용성 고분자 화합물을 코팅하여 수용성 고분자 층을 형성하는 단계; (ⅲ) 상기 광촉매 필름 및 수용성 고분자 층을 선택적으로 노광하여 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 수득하는 단계; 및 (ⅳ) 상기 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 도금처리하여 금속결정을 성장시켜 금속패턴을 수득하는 단계를 포함하는 금속패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법에 의할 경우, 저저항 금속을 포함한 다층 배선 패턴을 비교적 간단한 공정을 통해 형성할 수 있고, 각 층을 구성하는 금속도 필요에 따라 자유롭게 택할 수 있으며, 제조 단가도 저렴하여 LCD, PDP, EL과 같은 평판 표시 소자에 쉽게 적용할 수 있다.
금속 패턴, 광촉매 화합물, 평판표시소자, 저저항, 금속 배선, EMI 필터

公开(公告)号：KR100521809B1

公开(公告)日：2005-10-14

申请号：KR1020020066531

申请日：2002-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권영길 ,  윤효진 ,  이진이 ,  김진백 ,  송기용

IPC: G03F7/075

Abstract: 본 발명은 포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체 및 이를 포함한 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 자세하게는, (ⅰ) 산의 존재하에 용해성 또는 반응성이 변하는 작용기를 포함한 폴리카르보메틸실란 유도체, (ⅱ) 상기 폴리카르보메틸실란 유도체를 포함한 레지스트 조성물 및 (ⅲ) 상기 레지스트 조성물을 도포하는 단계, 소망하는 패턴을 가진 포토마스크하에서의 노광하는 단계 및 현상하는 단계를 포함하는, 패턴형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란 유도체는 용해성, 코팅성, 실리콘 웨이퍼에 대한 적절한 접착성, 내열성, 전 범위의 파장에 걸친 낮은 흡광도 등을 가질 뿐만 아니라, 산소-반응성 이온 에칭 내성이 매우 우수하여, 단층 미세사진식각공정에서의 우수한 포토레지스트로서는 물론, 다층 미세사진식각공정에서의 우수한 이미지화층으로 사용광원의 제한 없이 사용될 수 있고, 노광 후 열처리 유무에 의해 포지형과 네가형 레지스트로 활용가능하다.

公开(公告)号：KR100507967B1

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：KR1020030044119

申请日：2003-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류이열 ,  송기용 ,  류준성 ,  선종백

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01B3/46 ,  C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/2962 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/31663

Abstract: 본 발명은 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 새로운 구조의 실록산계 수지를 제공하고, 이를 이용하여 반도체 층간 절연막을 제조하여, 기계적 물성 및 저유전 특성이 향상된 반도체 층간 절연막을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR100498464B1

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：KR1020020073051

申请日：2002-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤광섭 ,  송기용

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/108

Abstract: 불소를 포함하는 감광성 폴리머, 이를 포함하는 레지스트 조성물 및 레지스트 조성물을 사용한 집적회로소자 제조를 위한 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 불소원자들이 치환 또는 비치환된 알킬에스테르, 테트라히드로피라닐에스테르, 테트라히드로푸라닐에스테르, 니트릴, 아미드, 카르보닐기 및 친수성기를 가지는 헥사플루오르알킬기로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 및 불소원자들이 치환 또는 비치환된 C
1 -C
5 의 알킬기가 치환된 트리플루오르 비닐 유도체 모노머를 반복 단위로 포함하는 중량 평균 분자량이 3,000 ∼ 100,000인 감광성 폴리머이다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 F
2 (157nm) 엑시머 레이저 파장에서 높은 투과율을 나타내고, 극미세화된 패턴 사이즈를 실현하기에 적합한 특성들을 지닌다.

公开(公告)号：KR100486245B1

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：KR1020010081252

申请日：2001-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤광섭 ,  송기용 ,  최상준 ,  우상균

IPC: G03F7/004

CPC classification number: C08F232/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/108

Abstract: 하이드레이트 구조를 가지는 플루오르 함유 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 3,000 ∼ 100,000의 중량 평균 분자량을 가지고, 다음 구조들 중에서 선택되는 어느 하나의 기(group)를 함유하는 반복 단위를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040037858A

公开(公告)日：2004-05-08

申请号：KR1020020066531

申请日：2002-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권영길 ,  윤효진 ,  이진이 ,  김진백 ,  송기용

IPC: G03F7/075

Abstract: PURPOSE: Provided is a polycarbomethylsilane derivative for a photoresist, which has excellent solubility, adhesion, heat resistance, low absorbance, and oxygen-reactive ion etching resistance suitable for a photoresist capable of forming a high-resolution pattern. CONSTITUTION: The polycarbomethylsilane derivative is represented by formula 1, wherein K is an integer of 0-7; R1 is -COOC(CH3)3, tetrahydropyranoxycarbonyl group, -C6H4OCOOC(CH3)3, , -OH, -COOH, -OCOOC(CH3)3, -OCO(CH2)mCOOC(CH3)3 (in which m is an integer of 0 to 22), -OCO(CQ1Q2)mCOOC(CH3)3 £in which m is an integer of 1-4, each of Q1 and Q2 independently represents H or -(CH2)nCH3 (in which n is an integer of 0-10)|, -C6H4O(CH2)mCOOH (in which m is an integer of 1-5), -C6H4O(CH2)mCOOC(CH3)3 (in which m is an integer of 1-5), -COOCH2COOH, -COOCH2COOC(CH3)3, -OCO(CH2OCH2)mCOOH (in which m is an integer of 1-2), -OCO(CH2OCH2)mCOOC(CH3)3 (in which m is an integer of 1-2), -OCO(CH2)mCOCH2(CH2)nCOOH (in which m is an integer of 0-3 and n is an integer of 0-2), -OCOC6H4COOH, or -OCOC6H4COOC(CH3)3; R2 is -H, -CH3 or -CH2(CH2)mCH3 (in which m is an integer of 0-4); and each of p, q and x is a number related with molar composition ratio satisfying that p+q=1, p is ranged from 0.01 to 1, and x is ranged from 0.01 to q.

Abstract translation: 目的：提供一种用于光致抗蚀剂的聚碳甲基硅烷衍生物，其具有优异的溶解性，粘附性，耐热性，低吸光度和适用于能够形成高分辨率图案的光致抗蚀剂的氧反应离子蚀刻电阻。 构成：聚碳甲基硅烷衍生物由式1表示，其中K为0-7的整数; R1是-COOC（CH3）3，四氢吡喃氧基羰基，-C6H4OCOOC（CH3）3，-OH，-COOH，-OCOOC（CH3）3，-OCO（CH2）mCOOC（CH3）3（其中m是整数 0〜22），-OCO（CQ1Q2）mCOOC（CH3）3，其中m为1-4的整数，Q1和Q2各自独立地表示H或 - （CH2）nCH3（其中n为 0-10）|，-C6H4O（CH2）mCOOH（其中m为1-5的整数），-C6H4O（CH2）mCOOC（CH3）3（其中m为1-5的整数），-COOCH2COOH ，-COOCH 2 COOC（CH 3）3，-OCO（CH 2 OCH 2）mCOOH（其中m为1-2的整数），-OCO（CH 2 OCH 2）m COOC（CH 3）3（其中m为1-2的整数） -OCO（CH 2）m COCH 2（CH 2）n COOH（其中m为0-3的整数，n为0-2的整数），-OCOC 6 H 4 COOH或-OCOC 6 H 4 COOC（CH 3）3; R2是-H，-CH3或-CH2（CH2）mCH3（其中m是0-4的整数）; p，q和x各自是与满足p + q = 1的摩尔组成比相关的数，p为0.01〜1，x为0.01〜q。

公开(公告)号：KR1020030021907A

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1020010055469

申请日：2001-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤광섭 ,  송기용 ,  최상준 ,  우상균

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0392 ,  C08F34/02 ,  C08F218/04 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758

Abstract: PURPOSE: Provided are a photosensitive polymer using dihydropyranyl ether having fluoro-substituted alkyl ester and a resist composition containing the photosensitive polymer, which have high permeability to F2(157nm) excimer laser wavelength and excellent adhesive property to a lower membrane. CONSTITUTION: The photosensitive polymer contains a repeating unit(formula), wherein R1 is at least one fluoro-substituted or unsubstituted methyl, R2 is at least one fluoro-substituted or unsubstituted C1-C12 hydrocarbon, and at least one of R1 and R2 is at least one fluoro-substituted group. And the resist composition comprises the photosensitive polymer and a PGA(photoacid generator).

Abstract translation: 目的：提供使用具有氟取代的烷基酯的二氢吡喃基醚和含有感光性聚合物的抗蚀剂组合物的光敏性聚合物，其具有对F2（157nm）准分子激光波长的高透过性和对下膜的优异的粘附性。 构成：光敏聚合物含有重复单元（式），其中R1是至少一个氟取代或未取代的甲基，R2是至少一个氟取代或未取代的C1-C12烃，并且R1和R2中的至少一个是 至少一个氟取代基团。 抗蚀剂组合物包含光敏聚合物和PGA（光致酸产生剂）。