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公开(公告)号：KR1019980073945A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970009546
申请日：1997-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 습식 처리조 내에 오염물이 잔류하지 않는 구조를 가지는 웨이퍼 습식 처리 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 습식 처리 방법. 웨이퍼 습식 처리 장치는 습식 처리조에 적어도 2종류의 액체를 선택적으로 공급할 수 있는 공급 노즐을 포함한다. 웨이퍼 습식 처리 방법에서는 습식 처리조 내에 처리액을 공급하고, 처리액을 사용하여 습식 처리조 내에서 웨이퍼를 소정의 시간 동안 습식 처리하고, 처리액을 배수하고, 습식 처리조 내부를 알콜을 함유하는 유기 용제를 사용하여 1차 세척하고, 습식 처리조 내부를 순수를 사용하여 2차 세척하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1019980065691A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000804
申请日：1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 플러그 형성 방법을 개시한다. 이는 배선층이 형성된 반도체 기판에 층간 절연층을 형성하는 단계; 상기 층간 절연층을 패터닝하여 상기 배선층을 노출하는 콘택 홀을 형성하는 단계; 상기 콘택 홀이 형성된 반도체 기판 전면에 텅스텐(W)을 증착하여 물질층을 형성하는 단계; 및 NH
3 NO
3 를 포함된 연마액(slurry)을 사용하여 상기 물질층을 화학기계적연마(CMP;Chemical Mechanical Polishing)하는 단계로 이루어진다. 즉, NH
3 NO
3 가 포함된 연마액(slurry)을 사용하여 텅스텐층을 화학기계적 연마(CMP)함으로써 금속 이온에 의한 배선층의 오염 현상을 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980065684A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000797
申请日：1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 세정액 및 이를 이용한 반도체장치의 세정방법에 관해 개시한다.
본 발명에 의한 세정액은 순수에 암모니아용액과 웨이퍼 표면에 흡착된 금속오염물을 착화합물화시키는 제1 첨가제와 이러한 착화합물과 웨이퍼간에 반발을 일으키는 제2 첨가제를 포함하고 있으며, 이러한 세정액을 사용하여 웨이퍼를 사용하면, 세정공정에 사용하는 브러쉬등에 의해 웨이퍼에 금속오염물질들이 재 흡착되더라도 상기 제1 첨가제에 의해 착화합물되고 이것은 상기 제2 첨가제에 의해 웨이퍼와 분리되므로 세정공정에서 브러쉬등에 오염물질이 웨이퍼에 재 흡착되는 것을 방지할 수 있어 적정량의 세정액만으로도 충분한 세정을 이룰 수 있고 이에 따라 과다한 암모니아의 사용을 방지할 수 있으므로 세정효율의 증대와 세정공정에 소요되는 원가를 줄일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980048372A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066942
申请日：1996-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 웨이퍼 세정액 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 웨이퍼를 총 부피를 기준으로 0.001 ∼ 99%의 유기 용제와, 상기 유기 용제 부피를 기준으로 10
-3 ∼ 10%의 플루오로붕산(fluoroboric acid)과, 잔량의 순수를 포함하는 세정액을 사용하여 세정한다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼상에 잔류하는 폴리머를 단순한 공정에 의하여 효과적으로 제거할 수 있다.-
公开(公告)号：KR2019980017077U
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR2019960030433
申请日：1996-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 반도체장치의케미컬베스에대해기재되어있다. 이는, 화학용액을담을수 있도록욕조모양으로된 내조, 상기내조의바닥에상기바닥의가장자리를두르는모양으로설치된화학용액유입관및 상기내조에서흘러넘치는화학용액을받기위해상기내조의측벽을둘러싸는형태로형성된외조를구비하는것을특징으로한다. 따라서, 내조내의화학용액의분포를균일하게할 수있다.
Abstract translation: 它已被用于化学浴的半导体装置进行说明。 其中，围绕所述内桶的侧壁，以接收所述化学溶液内槽，所述化学溶液入口管到安装在地板的边缘处的内罐的底部到dureuneun形状和充分的化学溶液从内槽到流动的盆形到dameulsu形式 在于：它包括的特征形成的外桶。 因此，化学溶液的内槽的分布变得均匀。
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公开(公告)号：KR1019980005759A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960025230
申请日：1996-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
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公开(公告)号：KR1019970077266A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960015554
申请日：1996-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 건조 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 축을 중심으로 원심 회전 가능한 건조 장치 본체와, 상기 본체를 밀봉하기 위한 커버와, 상기 본체 내에 회전 가능하게 설치되고, 증기를 발생시키는 증기 발생 장치와, 상기 증기 발생 장치로부터 공급되는 증기를 상기 본체 내에 분사할 수 있도록 상기 증기 발생 장치의 일단에서 방사 방향으로 설치된 복수의 분사 노즐과, 상기 본체 내에 설치되고 건조될 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대를 포함한다. 본 발명에 의하면, IPA 증기를 이용한 웨이퍼 건조공정에서 웨이퍼가 고정 상태로 있지 않고 원심 회전되므로 반응성 파티클의 발생을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970077238A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960015557
申请日：1996-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 기판의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 세정액은 10∼99.9중량%의 질산과, 0.1∼25중량%의 플루오르화 붕소산과, 잔량의 에탄올을 포함한다. 본 발명에 의한 세정방법에 의해 상기 세정액을 이용하면 금속층이 노출된 반도체 기판을 효과적으로 세정할 수 있다.
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