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公开(公告)号：KR1020160111274A
公开(公告)日：2016-09-26
申请号：KR1020150036219
申请日：2015-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04B1/04 , H03F1/30 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/468 , H04B2001/0416 , H03F3/20 , H03F1/0211 , H04W52/52
Abstract: 다양한실시에에따른전자장치는, 전자장치에있어서, 온도변화를감지하는센서; 기저대역신호를 RF신호로변환하며, 입력단자및 출력단자를포함하는트랜시버와, 안테나와, 상기트랜시버의출력과전기적으로연결된입력단자및 상기안테나와전기적으로연결된출력단자를포함하는전력증폭기(power amplifier)와, 상기센서와전기적으로연결된집적회로와, 그리고상기집적회로는프로세서및 상기프로세서와전기적으로연결된메모리를포함하고, 상기메모리는, 실행시에상기프로세서가, 상기센서로부터의신호를모니터링하고, 상기모니터링결과에적어도일부기초하여, 상기전력증폭기에사용될바이어스값을결정하고, 상기바이어스값에대응하는신호를이용하여, 상기전력증폭기를제어하도록하는명령어들을저장하는것을특징으로하는장치를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例，电子设备包括：感测温度变化的传感器; 收发器，其将基带信号转换为射频（RF）信号并包括输入和输出端; 天线 功率放大器，包括电连接到收发器的输出的输入端子和电连接到天线的输出端子; 以及与传感器电连接的集成电路。 集成电路包括处理器和电连接到处理器的存储器。 当执行存储器时，处理器监视来自传感器的信号，基于至少部分的监视结果确定要用于功率放大器的偏置值，并且存储用于通过使用与偏置相对应的信号来控制功率放大器的命令 值。
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公开(公告)号：KR100665829B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020000029188
申请日：2000-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 MOS 트랜지스터를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 트랜지스터의 신호(ON/OFF)를 빠르게 하고 신뢰성을 향상시키고, 제조과정에서 게이트의 패턴 불량을 방지하는 게이트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체장치의 트랜지스터는 엑티브층을 갖는 실리콘기판(11) 고농도의 불순물 이온 주입에 의하여 구성되는 소스전극(12) 및 드레인전극(13)이 형성된다. 특히, 상기 엑티브층 위에는 Al
2 O
3 막(15)과 SiGe막(16) 및 다결정 실리콘(17)이 적층되어 게이트(20)를 구성한다.-
公开(公告)号：KR100263645B1
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：KR1019970053362
申请日：1997-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/0214 , H01L21/02131 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02307 , H01L21/31662 , H01L21/32 , H01L21/823462 , Y10S438/981
Abstract: PURPOSE: A method for forming a double oxide layer is provided to form a double oxide layer with different thickness by utilizing a growing characteristic of an oxide layer of a damage layer. CONSTITUTION: The first oxide layer is applied on a silicon substrate(40). A photoresist layer is applied on the first oxide layer. A damage layer region pattern is formed on a surface of the silicon substrate(40) by exposing and developing the photoresist layer and forming the damage layer region pattern on the photoresist layer. A damage layer is formed by etching the silicon substrate(40) of a damage layer region. The silicon substrate(40) is cleaned. A thin oxide layer(47) is grown on the silicon substrate(40) formed with the damage layer. A thick oxide layer(48) is grown on the silicon substrate(40) which is not formed with the damage layer.
Abstract translation: 目的：提供一种形成双氧化物层的方法，通过利用损伤层的氧化物层的生长特性，形成具有不同厚度的双氧化物层。 构成：将第一氧化物层施加在硅衬底（40）上。 在第一氧化物层上施加光致抗蚀剂层。 通过曝光和显影光致抗蚀剂层并在光致抗蚀剂层上形成损伤层区域图案，在硅衬底（40）的表面上形成损伤层区域图案。 通过蚀刻损伤层区域的硅衬底（40）形成损伤层。 清洁硅衬底（40）。 在形成有损伤层的硅衬底（40）上生长薄氧化物层（47）。 在未形成有损伤层的硅基板（40）上生长厚的氧化物层（48）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR200161897Y1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR2019970015988
申请日：1997-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조경환
IPC: H01H13/00
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 고안이 속한 기술분야.
본 고안은 사무용기기에 관한 것으로서, 특히 단말기의 패널 상에 돌출되어 문자나 숫자 등의 정보를 입력하는데 이용되는 일체형 키이버튼장치에 관한 것이다.
나. 고안이 해결하려고 하는 기술적 과제.
본 고안의 목적은 키이버튼의 미끄럼현상이 일어나지 않도록 하여 스티킹( Sticking )현상을 방지하는 일체형 키이버튼을 제공하는데 있다.
다. 고안의 해결방법의 요지.
본 고안은 사무용기기에 있어서, 일체형 키이버튼 장치는 상단이 단말기 패널 상에 돌출하고 중앙에는 걸림턱을 형성하고 하측 양단에서 연장 형성한 스커트를 구비함을 특징으로 한다.
라. 고안의 중요한 용도.
본 고안은 사무용기기의 작동 명령이나 정보입력에 이용된다.-
公开(公告)号：KR100227850B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960014644
申请日：1996-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 수직형 확산로에 관한 것으로, 특히 산화학 성장 공정과 저압기상증착(LP CVD) 공정을 하나의 수직형 확산로에서 선택적으로 수행할 수 있도록 한 산화막 성장 공정과 LP CVD 공정 겸용 수직형 확산로에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 산화막 성장 공정과 LP CVD 공정을 단일 겸용 확산로에서 수행할 수 있도록 한 산화, LP CVD 공정 겸용 수직형 확산로를 제공하는데 있다.
본 발명의 효과는 산화막 성장 공정과 LP CVD 공정을 순차적으로 진행시 겸용 수직형 확산로를 사용하여 웨이퍼의 불필요한 이재·적재량을 감소시키고, 동일 설비를 최대한 이용하여 설비가 차지하는 점유 면적을 감소 시킬수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100219414B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960020407
申请日：1996-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 세정액을 전체적으로 균일하게 희석시킬 수 있고, 세정효과를 향상시킬 수 있는 반도체 제조장비용 세정장치에 관한 것이다.
본 발명은, 세정대상 석영류가 각기 상이한 세정액이 담긴 복수개의 세정조를 순차적으로 이동하며 세정공정이 진행되고, 상기 각 세정조에 외부에서 내부로 관통돌출되어 표면에 형성된 방출구를 통해서 가스를 방출함으로서 상기 세정조 내부에 세정액 버블을 발생시키는 버블관을 구비하는 반도체 제조장비용 세정장치에 있어서, 상기 세정조 저면에 상기 세정액의 파동을 발생시키는 프로펠라가 더 구비되고, 상기 버블관을 통해서 상기 세정조 내부에 상기 세정액을 공급할 수 있는 세정액 공급수단이 더 구비되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 석영류 세정조 내부에 담긴 세정액이 오랜시간동안 공정이 진행되지 않아서 비중에 의해서 층을 이루고 이에 따라서 석영류 세정조에 담긴 세정액의 조성비가 불균일한 상태에서 세정공정이 진행되어 세정불량이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 세정효과를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990038360A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970058038
申请日：1997-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판에 트랜치 격리를 형성하는 방법에 관한 것으로, 트랜치 격리의 형성 과정에서 트랜치 측벽에 형성된 측벽 실리콘 산화막이 측벽에서 들뜨는 불량을 억제하기 위하여 실리콘 기판 상에 트랜치가 형성된 이후에 측벽 실리콘 산화막을 성장하기 전에 PE-TEOS를 증착한 이후에 측벽 실리콘 산화막을 성장시키는 공정을 진행하는 트랜치 격리 형성 방법을 제공한다. 특히, 본 발명에 따른 트랜치 격리 형성 방법은 PE-TEOS 층에 의해 측벽 실리콘 산화막이 보호되기 때문에 이후 공정에 의해 트랜치의 측벽과 측벽 실리콘 산화막의 경계면이 들뜨는 현상을 억제할 수 있는 것을 특징으로 한다. 그리고, 측벽 실리콘 산화막을 성장시키는 공정은 O
2 가스, O
2 와 HCl의 혼합 가스 또는 H
2 와 O
2 의 반응 가스와 같은 산화제를 이용한 열산화 공정으로 진행하는 것이 바람직하다.-
公开(公告)号：KR2019990002426U
公开(公告)日：1999-01-25
申请号：KR2019970015988
申请日：1997-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조경환
IPC: H01H13/00
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 고안이 속한 기술분야.
본 고안은 사무용기기에 관한 것으로서, 특히 단말기의 패널 상에 돌출되어 문자나 숫자 등의 정보를 입력하는데 이용되는 일체형 키이버튼장치에 관한 것이다.
나. 고안이 해결하려고 하는 기술적 과제.
본 고안의 목적은 키이버튼의 미끄럼현상이 일어나지 않도록 하여 스티킹( Sticking )현상을 방지하는 일체형 키이버튼을 제공하는데 있다.
다. 고안의 해결방법의 요지.
본 고안은 사무용기기에 있어서, 일체형 키이버튼 장치는 상단이 단말기 패널 상에 돌출하고 중앙에는 걸림턱을 형성하고 하측 양단에서 연장 형성한 스커트를 구비함을 특징으로 한다.
라. 고안의 중요한 용도.
본 고안은 사무용기기의 작동 명령이나 정보입력에 이용된다.
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