양자 도트를 이용한 비휘발성 단일 전자 트랜지스터 메모리와 그 제조방법 및 양자 도트를 이용한 단일 전자 트랜지스터와 그 제조방법
    51.
    发明公开
    양자 도트를 이용한 비휘발성 단일 전자 트랜지스터 메모리와 그 제조방법 및 양자 도트를 이용한 단일 전자 트랜지스터와 그 제조방법 失效
    非挥发性单电子晶体管存储器使用量子点及其方法,以及使用量子点的单电子晶体管及其方法

    公开(公告)号:KR1020000055239A

    公开(公告)日:2000-09-05

    申请号:KR1019990003754

    申请日:1999-02-04

    Abstract: PURPOSE: A non volatile single electron transistor memory is provided to secure a repeatability and a uniformity of an island by using a quantum dot for precisely controlling the size of the island to a unit of nanometer. CONSTITUTION: A non volatile single electron transistor memory comprises a silicon substrate(100), quantum dots(110) of a predetermined size, a source(120) and a drain(130), and a side gate. A SiO2 oxidation layer(100b) is formed on the silicon substrate. The quantum dots of a predetermined size are separated a predetermined interval from each other on the SiO2 oxidation layer. The source and drain are formed by evaporating a metal on the SiO2 oxidation layer including the quantum dots, having a predetermined number of the quantum dots used as an island, between the source and the drain. The side gate is formed on the SiO2 oxidation layer at a side surface of the source and drain, having a predetermined interval from the source and drain.

    Abstract translation: 目的:提供非挥发性单电子晶体管存储器,以通过使用用于将岛的尺寸精确地控制到纳米单位的量子点来确保岛的重复性和均匀性。 构成:非易失性单电子晶体管存储器包括硅衬底(100),预定尺寸的量子点(110),源极(120)和漏极(130)以及侧栅极。 在硅衬底上形成SiO 2氧化层(100b)。 预定尺寸的量子点在SiO 2氧化层上彼此隔开预定的间隔。 源极和漏极通过在源极和漏极之间蒸发包括量子点的SiO 2氧化层上的金属形成,该量子点具有预定数量的用作岛的量子点。 在源极和漏极的侧表面上的SiO 2氧化层上形成侧栅,源极和漏极具有预定的间隔。

    52.
    外观设计
    失效

    公开(公告)号:KR3002461670000S

    公开(公告)日:1999-10-01

    申请号:KR3019990001434

    申请日:1999-01-29

    Designer: 김정우

    53.
    外观设计
    失效

    公开(公告)号:KR3002250730000S

    公开(公告)日:1998-10-15

    申请号:KR3019970027810

    申请日:1997-12-30

    Designer: 김정우

    54.
    外观设计
    失效

    公开(公告)号:KR3002099540001S

    公开(公告)日:1998-04-29

    申请号:KR3019970006047

    申请日:1997-03-31

    Designer: 김정우

    55.
    外观设计
    失效

    公开(公告)号:KR3002088790000S

    公开(公告)日:1997-12-27

    申请号:KR3019960029516

    申请日:1996-12-31

    Designer: 김정우

    적외선 열상 감지기 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:KR101850520B1

    公开(公告)日:2018-04-19

    申请号:KR1020120069477

    申请日:2012-06-27

    Abstract: 적외선열상감지기및 이를제조하는방법이개시된다. 적외선열상감지기는, 기판과, 기판으로부터이격되어있으며입사되는적외선광을국부적인표면플라즈몬공명을통해흡수하며흡수된적외선에의한온도변화에따라저항값이변하도록마련된검지부를포함한다. 열상다리는검지부로부터의신호를기판으로전달한다.

    센싱 모듈 기판 및 이를 포함하는 센싱 모듈
    60.
    发明公开
    센싱 모듈 기판 및 이를 포함하는 센싱 모듈 审中-实审
    感测模块​​基板以及包括其的感测模块

    公开(公告)号:KR1020170095462A

    公开(公告)日:2017-08-23

    申请号:KR1020160016543

    申请日:2016-02-12

    CPC classification number: G06K9/00087 G06K9/00013

    Abstract: 본발명에따르면, 필름기판및 이를포함하는센싱모듈이제공된다. 센싱모듈은필름기판; 상기필름기판상에제공되며, 그일면상에센싱픽셀들을갖는반도체칩; 및상기필름기판을관통하며, 상기센싱픽셀들상에각각제공되는센싱비아들을포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明,提供了一种薄膜基板和包括该薄膜基板的感测模块。 感测模块​​包括薄膜基板; 一种半导体芯片,设置在薄膜基板上,在其表面具有感应像素; 并分别感测穿过薄膜基板并设置在感测像素上的过孔。

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