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公开(公告)号：KR100821348B1
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：KR1020070011636
申请日：2007-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/127
Abstract: A read/write head structure of an information storage device and a manufacturing method thereof are provided to form an external interconnection pad easily by installing a metal pad electrically connected to a read/write head. A method for manufacturing a read/write head structure of an information storage device comprises the steps of: patterning an etching mask on a silicon wafer; slantly etching the silicon wafer in the sectional direction through dry or wet process using the patterned etching mask; removing the etching mask; forming a read/write head(13) on the upper part of the silicon wafer; forming a metal pad(15) electrically connected with the read/write head on a slant surface(14); and splitting the read/write head by cutting the slant surface of the silicon wafer.
Abstract translation: 提供信息存储装置的读/写头结构及其制造方法，通过安装与读/写头电连接的金属垫，容易地形成外部互连衬垫。 一种用于制造信息存储装置的读/写头结构的方法包括以下步骤：在硅晶片上图案化蚀刻掩模; 使用图案化的蚀刻掩模，通过干法或湿法在横截面方向上倾斜蚀刻硅晶片; 去除蚀刻掩模; 在所述硅晶片的上部形成读/写头（13）; 在倾斜表面（14）上形成与所述读/写头电连接的金属焊盘（15）; 以及通过切割硅晶片的倾斜表面来分割读/写头。
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公开(公告)号：KR1020070109776A
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060107484
申请日：2006-11-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: An electric field information reproducing head, an electric field information recording and reproducing head, a manufacturing method thereof, and an information keeping device thereof are provided to perform a mass production on a wafer easily and to improve reliability and economic efficiency. In an electric field information reproducing head(10), a medium corresponding surface includes a semiconductor substrate(11) having a resistance area(12) and a source and drain area(13,14). The resistance area is positioned at a center portion of one end and doped with a foreign material at low concentration. The source and drain area is positioned at both sides of the resistance area and doped with the foreign material at higher concentration than the resistance area. An electric field information recording and reproducing head includes an insulation screen positioned on the resistance area, and a writing electrode positioned on the insulation screen, additionally. An information keeping device thereof includes an information keeping medium having a recording layer formed by a strong dielectric body. A manufacturing method thereof includes a step of forming the resistance area at the medium corresponding surface by doping the other foreign material whose polarity is different from the polarity of the foreign material for the semiconductor substrate.
Abstract translation: 提供电场信息再现头，电场信息记录和再现头，其制造方法和信息保存装置，以容易地在晶片上进行批量生产，并提高可靠性和经济效率。 在电场信息再现头（10）中，介质对应表面包括具有电阻区域（12）和源极和漏极区域（13,14）的半导体衬底（11）。 电阻区域位于一端的中心部分，并以低浓度掺杂异物。 源极和漏极区域位于电阻区域的两侧，并且以比电阻区域更高的浓度掺杂异物。 电场信息记录和再现头包括位于电阻区域上的绝缘屏幕和位于隔离屏幕上的书写电极。 其信息保存装置包括具有由强介电体形成的记录层的信息保存介质。 其制造方法包括通过掺杂其极性与用于半导体衬底的异物的极性不同的其它异物形成在介质对应表面处的电阻区域的步骤。
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公开(公告)号：KR100723410B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050075250
申请日：2005-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N13/16
CPC classification number: G11B9/1418 , G01Q70/10 , G01Q70/14 , G01Q70/16 , G01Q80/00
Abstract: 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법은, 기판 상에서 상기 저항성 팁 상에 제1절연층, 메탈 쉴드 및 제2절연층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제2절연층을 식각하여 저항영역 상의 상기 메탈 쉴드를 노출하는 단계; 상기 노출된 메탈쉴드를 식각하는 단계; 상기 제1절연층을 식각하여 상기 저항영역을 노출하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种制造具有自对准金属屏蔽的电阻探针的方法。 一种制造具有自对准金属屏蔽的电阻探针的方法包括：在衬底上的电阻性尖端上顺序沉积第一绝缘层，金属屏蔽和第二绝缘层; 蚀刻第二绝缘层以暴露电阻区上的金属屏蔽; 蚀刻暴露的金属屏蔽层; 并通过蚀刻第一绝缘层来暴露电阻区域。
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公开(公告)号：KR1020070020889A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050075250
申请日：2005-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N13/16
CPC classification number: G11B9/1418 , G01Q70/10 , G01Q70/14 , G01Q70/16 , G01Q80/00
Abstract: 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법은, 기판 상에서 상기 저항성 팁 상에 제1절연층, 메탈 쉴드 및 제2절연층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제2절연층을 식각하여 저항영역 상의 상기 메탈 쉴드를 노출하는 단계; 상기 노출된 메탈쉴드를 식각하는 단계; 상기 제1절연층을 식각하여 상기 저항영역을 노출하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100682921B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050005535
申请日：2005-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침이 개시된다. 개시된 수직 PN 접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침은, 기판의 일측에서 연장된 캔티레버의 자유단에 형성된 팁과, 상기 캔티레버의 일면 상에 형성되어서 상기 캔티레버의 수직변형에 따라 저항이 변하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한다. 상기 PN접합 압전저항센서는: 상기 캔티레버의 일면에서 상기 캔티레버의 길이방향으로 n형불순물로 도핑된 n형 영역과, 상기 n형 영역의 표면에서 p형 불순물로 도핑된 p형 영역으로 이루어진 PN 접합구조를 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100634552B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020050112965
申请日：2005-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01Q60/54
Abstract: An electric field sensing probe with a separate sensor and an information storage device having the probe are provided to manufacture tips with the same shape by using a single mask for forming the tips. An electric field sensing probe includes a cantilever(110), a sensing region(140), a first wire(122), and second and third wires(142,144). The cantilever includes a conductive tip protruded from the end of the cantilever, and a protrusion portion, which is apart from the tip. The sensing region is formed on the protrusion portion. The first wire is electrically connected to the conductive tip. The second and third wires are electrically connected to both sides of the sensing region, respectively.
Abstract translation: 提供具有单独传感器的电场感测探针和具有探针的信息存储装置，以通过使用用于形成尖端的单个掩模来制造具有相同形状的尖端。 电场感测探针包括悬臂（110），感测区域（140），第一导线（122）以及第二导线和第三导线（142,144）。 悬臂包括从悬臂端部突出的导电尖端和远离尖端的突出部分。 感测区域形成在突起部分上。 第一导线电连接到导电尖端。 第二导线和第三导线分别电连接到感测区域的两侧。
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公开(公告)号：KR100552687B1
公开(公告)日：2006-02-20
申请号：KR1020030058286
申请日：2003-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02N1/06
CPC classification number: H02N1/008
Abstract: 본 발명은 대면적 스테이지를 구비한 2축 액츄에이터에 관하여 개시한다. 개시된 대면적 스테이지를 구비한 2축 액츄에이터는, 콤전극의 정전력으로 2축으로 구동되는 관성부의 상부에 연결되어서 2축방향으로 구동되는 스테이지를 구비한다. 이에 따르면, 구동장치 전면적에 대해 스테이지 면적(저장면적)이 최대가 되도록 효율적인 면적을 사용하는 구조를 구현할 수 있으므로 상기 스테이지의 정보저장용량을 현저하게 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100537508B1
公开(公告)日：2005-12-19
申请号：KR1020030022570
申请日：2003-04-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법은, 제1불순물로 도핑된 기판의 상면에 마스크를 형성한 후, 마스킹 영역의 양측의 기판에 제2불순물을 고농도로 도핑하여 제1 및 제2반도체 전극영역을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2반도체영역의 고농도 불순물을 서로 마주보는 영역으로 확산시켜서 상기 고농도 제2불순물 영역의 가장자리에 형성되는 저농도 제2불순물 영역을 중첩시킴으로써 저농도 불순물이 도핑된 저항영역을 형성한다. 상기 제1 및 제2반도체 영역 사이의 중앙부를 소정 형상으로 마스킹하여 식각함으로써 저항성 팁을 형성한다. 이에 따르면, 자기정렬에 의해서 반도체 전극 영역 사이에 존재하는 저항 영역을 팁 끝의 중앙에 형성시킬 수 있는 있으며, 열확산공정으로 저농도의 불순물 영역인 저항영역을 형성할 수 있으므로 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제작과정이 단순화된다.
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公开(公告)号：KR100519774B1
公开(公告)日：2005-10-07
申请号：KR1020030062376
申请日：2003-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/149 , G11B13/00 , G11B2005/0021
Abstract: 프로브 기술을 이용한 저장 기기의 데이터 기록방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 데이터 기록 방법은 데이터 읽기 및 쓰기에 사용되는 저항 탐침(resistive probe)과 상기 저항 탐침에 의해 데이터가 기록되는 강유전막 기록매체와 상기 강유전막 기록매체 밑면에 하부전극을 구비하는 메모리 소자의 데이터 기록방법에 있어서, 상기 저항 탐침과 상기 하부전극에 전압을 인가하여 상기 강유전막 기록매체의 데이터가 기록될 영역에 열과 전기장을 동시에 가하는 단계를 포함하되, 상기 저항 탐침에 크기가 다른 제1 및 제2 전압(V1, V2)을 인가하여 상기 저항 탐침의 상기 강유전막 기록매체에 근접한 부분에 소정의 전압(Vr)이 걸리게 하는 것을 특징으로 한다.
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60.发明授权고밀도 정보저장매체 및 그 제조방법 및 정보저장장치 및이를 이용한 정보 기록 및 재생 및 소거방법 失效高密度信息存储介质及其制造方法以及信息存储装置以及利用该存储装置的写入，读取和擦除信息的方法
公开(公告)号：KR100499127B1
公开(公告)日：2005-07-04
申请号：KR1020020038881
申请日：2002-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/12
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11B13/06
Abstract: 고밀도 정보저장매체 및 그 제조방법 및 고밀도 정보저장장치 및 이를 이용한 정보기록 및 재생 및 소거방법이 개시된다. 개시된 정보저장매체는 하부전극과, 하부전극의 상면에 적층된 절연층과, 절연층의 상면에 적층되며 광자의 충돌에 의해 광전자를 방출하는 복수개의 돌출부가 형성되어 있는 광전자 방출층 및, 광전자 방출층의 상면에 적층되며 방출된 광전자를 저장하는 유전층을 구비한다. 개시된 정보저장장치는 정보저장매체를 지지하는 스테이지와, 스테이지를 구동하는 스캐너와, 정보저장매체의 상부에 위치하며 정보저장매체와 전계를 형성하는 팁과 팁이 말단부에 위치하며 정보저장매체와 팁간의 소정 거리를 유지시키도록 팁을 지지하는 캔티레버를 구비하는 탐침과, 스캐너와 캔티레버에 구동 신호와 정보 기록 및 소거 신호를 인가하고 정보 재생 신호를 검출하는 회로부 및, 정보저장매체에 광을 조사하는 광원을 구비한다. 본 발명은 고밀도 정보저장매체를 구현할 수 있으며 접촉 또는 비접촉방식으로 구동할 수 있어 정보저장매체와 탐침의 마모를 감소시켜 매체와 장치의 성능을 향상시킬 수 있으며 광에너지와 전계 에너지를 동시에 이용하여 에너지 효율을 높인 정보저장장치를 구현할 수 있다.
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