-
公开(公告)号：KR101662316B1
公开(公告)日：2016-10-04
申请号：KR1020090119212
申请日：2009-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서강대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, 다중입출력통신시스템에서하향링크신호를송신하는방법에있어서, 하향링크에서송신안테나로동작하는기지국의안테나들각각에대한최대송신전력이설정된경우, 상향링크에서수신안테나로동작하는상기기지국의안테나들이수신한단말들의상향링크신호들을기반으로상기상향링크에대한빔포밍벡터들을획득하는과정과, 상기상향링크에대한빔포밍벡터들을이용하여상기하향링크에대한빔포밍벡터들및 전력제어변수들을획득하는과정과, 상기하향링크에대한빔포밍벡터들및 전력제어변수들을기반으로상기기지국의안테나들을통해서상기단말들에게하향링크신호들을송신하는과정을포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020160109988A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150068931
申请日：2015-05-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: 반도체소자는셀 영역및 더미영역을포함하는기판, 상기셀 영역상에배치되고, 상기기판상면에대해수직한제1 방향으로연장되는제1 채널구조물들, 상기제1 채널구조물들의외측벽을감싸며상기제1 방향을따라서로이격되어적층되고제2 방향으로연장되는게이트라인들, 상기셀 영역상의상기게이트라인들의사이에배치되고, 상기제2 방향으로연장되는공통소스라인들, 상기더미영역상에, 상기제2 방향과수직한제3 방향으로계단형상을가지면서상기제1 방향을따라이격되도록적층되고, 적어도일부는게이트라인들과동일한도전물질을포함하는더미패턴들및 상기더미영역상에, 상기더미패턴들을관통하면서연장되는더미소스라인들을포함한다. 상기반도체소자는스트레스에의한불량이감소되어높은신뢰성을가질수 있다.
Abstract translation: 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：包括单元区域和虚拟区域的衬底; 第一通道结构布置在单元区域上并且朝向垂直于基板的上表面的第一方向延伸; 围绕第一通道结构的外壁的栅极线，彼此分离并沿着第一方向堆叠并且朝向第二方向延伸; 公共源极线布置在单元区域上的栅极线之间并且朝向第二方向延伸; 在沿着第一方向分离的虚拟区域上堆叠的虚拟图案，同时具有朝向与第二方向垂直的第三方向的台阶形状，其中虚线的至少一部分包括与栅极线相同的导电材料; 并且虚拟源极线在穿透虚拟图案的同时在虚拟区域上延伸。 根据本发明，由于应力引起的缺陷减少，因此半导体器件具有较高的可靠性。
-
公开(公告)号：KR101651203B1
公开(公告)日：2016-08-26
申请号：KR1020100009163
申请日：2010-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: G06K9/40
Abstract: 입력영상의픽셀들을이용하여입력영상의확대를위해생성될결과픽셀의주변에위치하는중간픽셀을생성하고, 입력영상의소정영역또는소정영역내의중간픽셀들을이용하여결과픽셀에대한영상특성을결정하고, 결과픽셀에대한영상특성에기초하여결과픽셀을생성하기위한필터를결정하여, 중간픽셀들의필터링에의해결과픽셀을생성하는화질개선을수반한영상확대방법이개시된다.
-
公开(公告)号：KR101629675B1
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020090101268
申请日：2009-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종현
CPC classification number: G03G15/0813
Abstract: 개시된화상형성장치는정전잠상이형성되는상담지체와, 상담지체와대면되며상담지체에형성된정전잠상에현상제를공급하는현상부재와, 상담지체의외주면과비접촉상태로대면되어설치되며, 현상부재에서비산된토너를회수하는회전부재및 회전부재을구동하기위한기어열을포함한다. 이러한구성에따라회전부재의구동에의해현상부재가받는영향을최소화하여화질의열화를방지할수 있으며, 나아가회전부재구동 RPM을조절함으로써현상제의비산방지를효과적으로수행할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020150117577A
公开(公告)日：2015-10-20
申请号：KR1020140043265
申请日：2014-04-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W52/04 , H04B1/3838 , H04B5/0031 , H04M2250/12 , H04W4/80 , H04W52/226 , H04W52/246 , H04W52/283 , H04W52/34 , H04W52/367 , H04W52/38 , H04W84/12 , H04W88/06
Abstract: 본발명의다양한실시예들은전자장치가수행하는방법에관한것으로, 제 1 통신모듈을이용하여제 1 송신전력으로통신을수행하는동작; 제 2 통신모듈을이용하여통신을수행하는동작; 및상기제 2 통신모듈을이용하여통신을수행하는중에적어도일부시간동안, 상기제 1 통신모듈의송신전력을제 1 송신전력으로부터제 2 송신전력으로감소시키는동작을포함할수 있다. 이외에도, 명세서를통해파악될수 있는다른실시예들이가능하다.
Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及一种由电子设备执行的方法。 该方法包括：通过使用第一通信模块执行与第一发送功率的通信的操作; 通过使用第二通信模块执行通信; 以及在与所述第二通信模块进行通信的至少一些时间期间将所述第一通信模块的传输功率从所述第一传输功率降低到所述第二传输功率。 此外，可以通过说明书来识别的其他实施例是可能的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140121141A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130037457
申请日：2013-04-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04W4/16
CPC classification number: H04W4/16 , H04M1/006 , H04M1/72577 , H04W52/0277 , Y02D70/1262 , Y02D70/142 , Y02D70/144 , Y02D70/146
Abstract: 본 발명은, 제1 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 배터리 용량이 설정된 용량 미만으로 판단되는 경우, 착신 호 전환 기능을 설정할 수 있다는 정보가 포함된 착신 호 전환 피드백을 제공하는 과정; 상기 착신 호 전환 기능을 설정하기 위하여, 등록된 연락처 중 어느 하나의 연락처를 선택하는 과정; 및 상기 선택한 연락처로 호를 전환할 수 있도록 인접한 기지국으로 착신 호 전환을 요청하는 과정을 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 하는 배터리 용량에 따라 착신 호를 전환하는 전자 장치 및 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及根据剩余电池容量转发来电的电子设备和方法。 作为第一电子设备的操作方法，根据剩余电池容量转发来电的方法包括以下步骤：提供呼叫转移反馈，包括指示可以设置呼叫转移功能的信息，如果确定剩余电池 容量低于预设电池容量; 在注册的联系电话号码中选择一个联系电话号码来设置呼叫转移功能; 以及向相邻基站发送对所选联系人号码的来话转接呼叫的请求。
-
公开(公告)号：KR101394269B1
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020070046638
申请日：2007-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종현
IPC: G03G15/08
CPC classification number: G03G15/0822 , G03G15/0808
Abstract: 현상제 공급장치가 개시된다. 본 현상제 공급장치는, 주변 환경 상태를 감지하는 제1센서, 회전 동작을 수행하여 현상제를 이송하는 현상제 이송수단, 제1센서에 의해 감지된 주변 환경 상태에 따라 현상제 이송수단의 회전 속도를 설정하는 제1설정부, 및, 제1설정부에 의해 설정된 회전 속도에 따라 현상제 이송수단의 회전 속도를 1차적으로 제어하는 제어부를 포함한다. 이에 따라, 주변 환경 상태에 따라 적응적으로 현상제 이송수단의 회전 속도를 제어함으로써, 현상제 공급시 균일도를 향상시킬 수 있게 된다.
현상제 공급장치, 토너, 캐리어, 회전 속도, rpm-
公开(公告)号：KR1020130005878A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110067535
申请日：2011-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/1021 , H01L27/101 , H01L27/11507 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L29/8613 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L29/45
Abstract: PURPOSE: A low resistive semiconductor device is provided to improve an operation property by maximizing a contact surface of a bottom electrode, an ohmic layer, and a pn junction diode to minimize contact resistance. CONSTITUTION: A first interlayer dielectric layer(107) with a cell contact hole(111) is formed on a word line(102). A pn junction diode(113) is located in the cell contact hole. An ohmic layer(115) to reduce ohmic contact resistance with a bottom electrode(119) is formed on the upper side of the pn junction diode. A storage device(121) is located on the upper side of the bottom electrode. A top electrode(123) and a bit line contact plug(127) are located on the upper side of the storage device.
Abstract translation: 目的：提供一种低电阻半导体器件，以通过使底部电极，欧姆层和pn结二极管的接触表面最大化来改善操作性能，以使接触电阻最小化。 构成：在字线（102）上形成具有单元接触孔（111）的第一层间介质层（107）。 pn结二极管（113）位于电池接触孔中。 在pn结二极管的上侧形成用于降低与底部电极（119）的欧姆接触电阻的欧姆层（115）。 存储装置（121）位于底部电极的上侧。 顶部电极（123）和位线接触插头（127）位于存储装置的上侧。
-
公开(公告)号：KR1020120061552A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020100122894
申请日：2010-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3105 , H01L21/336
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing method which includes annealing processes is provided to prevent degradation of electrical properties of a semiconductor device by effectively curing dangling bonds formed on a gate insulating film. CONSTITUTION: A gate structure(110) which includes a gate electrode and a gate insulating film is formed on a substrate. A first interlayer insulating film(120) is formed on the substrate with a hydrogen bond by covering the gate structure. Hydrogen inside the first interlayer insulating film is eliminated by performing a first annealing process under a gas atmosphere not including hydrogen. A second annealing process is performed under a gas atmosphere including hydrogen.
Abstract translation: 目的：提供包括退火处理的半导体器件制造方法，以通过有效地固化形成在栅极绝缘膜上的悬挂键来防止半导体器件的电特性的劣化。 构成：在基板上形成包括栅极电极和栅极绝缘膜的栅极结构（110）。 通过覆盖栅极结构，在具有氢键的衬底上形成第一层间绝缘膜（120）。 通过在不包含氢的气体气氛下进行第一退火处理来消除第一层间绝缘膜内的氢。 第二退火工艺在包含氢的气体气氛下进行。
-
公开(公告)号：KR1020100050904A
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：KR1020080110022
申请日：2008-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A chromatic aberration removal method and a device thereof are provided to remove chromatic aberration regardless of lens characteristic by filtering only a chromatic signal in a luminance/chrominance coordinate system through an asymmetry mask according to property of chromatic aberration generation. CONSTITUTION: A YUV converter(110) converts an RGB signal into a YUV signal. In order to create a chromatic signal for chromatic aberration compensation, a chromatic signal generator(130) filters the chromatic signal through an asymmetry mask according to an area. A chromatic signal combiner(150) combines information about chromatic aberration generation, the chromatic signal for the chromatic aberration compensation and an input chromatic signal. An RGB converter(160) proceeds signal conversion through a final chromatic signal and a brightness signal of the YUV converter.
Abstract translation: 目的：提供色差去除方法及其装置，以通过根据色像差产生的特性通过不对称掩模仅对亮度/色度坐标系中的彩色信号进行滤波而去除透镜特性。 构成：YUV转换器（110）将RGB信号转换为YUV信号。 为了产生用于色像差补偿的彩色信号，彩色信号发生器（130）根据区域对不对称掩模对彩色信号进行滤波。 彩色信号组合器（150）组合关于色差产生的信息，用于色差补偿的彩色信号和输入彩色信号。 RGB转换器（160）通过YUV转换器的最终色信号和亮度信号进行信号转换。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
187
records
(took 0.025 seconds)
