公开(公告)号：KR1020170019716A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020150113910

申请日：2015-08-12

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  우황제 ,  박규남 ,  박주상 ,  고경용

IPC: G01N27/407 ,  G01N33/00

Abstract: TCA 가스를감지하는반도체센서및 이를이용하는센서장치에관한기술이개시된다. 개시된 TCA 가스를감지하는반도체센서는기판; 상기기판상에형성되며, 금속산화물또는다이칼코게나이드(dichalcogenide) 화합물로이루어진 TCA 감지채널층; 및전극을포함하며, 상기 TCA 감지채널층의전류량은, 상기 TCA 감지채널층과 TCA(Trichloroanisole)의반응에따라변화한다.

公开(公告)号：KR101662194B1

公开(公告)日：2016-10-31

申请号：KR1020150042459

申请日：2015-03-26

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  인천대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  오일권 ,  이한보람

IPC: H01L21/314 ,  H01L29/786 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명은플라즈마원자층증착장치및 플라즈마원자층증착을이용한산화물박막형성방법에관한것으로, 공정이수행되는공간을제공하는챔버; 챔버에설치되어챔버내에플라즈마를생성하는플라즈마생성부; 및기판상에증착될산화물박막의목표플랫밴드(flat-band) 전압레벨또는산화물박막을포함하는트랜지스터의목표문턱전압(threshold voltage) 레벨에따라플라즈마의전력을산출하고, 산출한플라즈마의전력에따라플라즈마생성부를제어하는제어부를포함하는플라즈마원자층증착장치를제공한다.

公开(公告)号：KR101596329B1

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：KR1020140107123

申请日：2014-08-18

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  인천대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  유길상 ,  오일권 ,  이한보람

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은 VHF(Very High Frequency)를이용하여 PE-ALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)를수행하는장치및 방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른원자층증착장치는, 공정이수행되는공간을제공하는챔버; 상기챔버내에서상기기판을지지하는기판지지부; 상기챔버에가스를공급하는가스공급부; 상기챔버내 가스를배출시키는배기부; 상기챔버에설치되어상기챔버내에플라즈마를생성하는플라즈마생성부; 및상기플라즈마생성부에 VHF(Very High Frequency) 대역의신호를인가하는 VHF 전원;을포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及通过使用非常高频（VHF）来执行等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）的装置和方法。 根据本发明的实施例，原子层沉积装置包括：提供进行处理的地方的室; 支撑所述室中的基板的基板支撑部; 气体供给部，其向所述室供给气体; 从所述室排出气体的排气部; 等离子体产生部分，其安装在所述腔室中以在所述腔室中产生等离子体; 以及向等离子体产生部分施加VHF频带的信号的VHF电源。 因此，原子层沉积装置通过PE-ALD提高沉积速率和薄膜密度。

公开(公告)号：KR101504548B1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：KR1020130048935

申请日：2013-04-30

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  오일권 ,  김민규

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 기판을 하프늄과 질소를 포함하는 전구체 소스 가스에 노출시켜 상기 기판 상에 하프늄 함유층을 형성시키는 단계; 및 수소 플라즈마를 상기 하프늄 함유층과 반응시켜 하프늄나이트라이드층을 형성하는 단계; 를 포함하는 금속 질화막 형성 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020140129954A

公开(公告)日：2014-11-07

申请号：KR1020130048935

申请日：2013-04-30

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  오일권 ,  김민규

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 기판을 하프늄과 질소를 포함하는 전구체 소스 가스에 노출시켜 상기 기판 상에 하프늄 함유층을 형성시키는 단계; 및 수소 플라즈마를 상기 하프늄 함유층과 반응시켜 하프늄나이트라이드층을 형성하는 단계; 를 포함하는 금속 질화막 형성 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成金属氮化物层的方法，包括以下步骤：通过将衬底暴露于包括铪和氮的前体源气体，在衬底上形成含铪层; 以及通过使氢等离子体与含铪层反应形成氮化铪层。

公开(公告)号：KR101438581B1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：KR1020130119963

申请日：2013-10-08

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  정한얼 ,  고경용

IPC: H01L21/336

Abstract: The present invention relates to a method of forming a thin film layer, a method of manufacturing a field-effect transistor, and a method of manufacturing a display. The method of forming a thin film layer comprises a step of forming a sacrificial layer including a water-soluble polymer on a first substrate; a step of forming a thin film layer on the sacrificial layer; a step of forming a support layer for supporting the thin film layer on the thin film layer; a step of removing the sacrificial layer by dipping the first substrate with the sacrificial layer, the thin film layer, and the support layer into a liquid including water; and a step of transferring the thin film layer, which is separated from the first substrate and has the support layer, to a second substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成薄膜层的方法，一种制造场效应晶体管的方法和一种制造显示器的方法。 形成薄膜层的方法包括在第一基板上形成包含水溶性聚合物的牺牲层的步骤; 在牺牲层上形成薄膜层的步骤; 在薄膜层上形成用于支撑薄膜层的支撑层的步骤; 通过将具有牺牲层，薄膜层和支撑层的第一衬底浸入包括水的液体中来去除牺牲层的步骤; 以及将从第一基板分离并具有支撑层的薄膜层转印到第二基板的步骤。

公开(公告)号：KR1020140011700A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：KR1020120078428

申请日：2012-07-18

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단 ,  울산과학대학교 산학협력단

Inventor： 한상윤 ,  김철규 ,  송준호 ,  양성훈 ,  박경태 ,  서승미 ,  정석원 ,  김도영 ,  김선조 ,  김형준

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L31/1812 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14679 ,  H01L27/14616

Abstract: A display device is provided. The display device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate, an infrared sensing transistor placed on the first substrate, and a switching transistor connected to the infrared sensing transistor. The infrared sensing transistor includes a light blocking film placed on the first substrate, a first gate electrode placed on the light blocking film by touching the film, a first semiconductor layer placed on the first gate electrode by overlapping with the light blocking film, and a first source electrode and a first drain electrode placed on the first semiconductor layer. The switching transistor includes a second gate electrode placed on the first substrate, a second semiconductor layer placed on the second gate electrode and overlapped with the second gate electrode, and a second source electrode and a second drain electrode placed on the second semiconductor layer. The first and second semiconductor layers are placed on the same layer and the first and second semiconductor layers include crystalline silicon germanium.

Abstract translation: 提供显示装置。 根据本发明的实施例的显示装置包括第一基板，放置在第一基板上的红外感测晶体管和连接到红外感测晶体管的开关晶体管。 红外感测晶体管包括放置在第一基板上的遮光膜，通过触摸膜而放置在遮光膜上的第一栅极电极，通过与遮光膜重叠放置在第一栅电极上的第一半导体层，以及 第一源极和放置在第一半导体层上的第一漏电极。 开关晶体管包括放置在第一基板上的第二栅极电极，设置在第二栅电极上并与第二栅电极重叠的第二半导体层，以及放置在第二半导体层上的第二源电极和第二漏电极。 第一和第二半导体层被放置在同一层上，第一和第二半导体层包括晶体硅锗。

公开(公告)号：KR1020130140372A

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020120063701

申请日：2012-06-14

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  남태욱

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262

Abstract: The present invention relates to a method for forming a gallium oxide nanowire using an atomic layer deposition method. The present invention includes the steps of: applying a gallium precursor to a substrate; and applying an oxide precursor to the substrate after the gallium precursor is applied to the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积法形成氧化镓纳米线的方法。 本发明包括以下步骤：将镓前体施加到基底上; 并且在将镓前体施加到基底上之后，将氧化物前体施加到衬底。

公开(公告)号：KR101324234B1

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：KR1020120051006

申请日：2012-05-14

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 고태국 ,  황영진 ,  나진배 ,  최석진 ,  조현철 ,  장재영 ,  김형준 ,  이지호

IPC: H02K55/02

CPC classification number: H02K1/243 ,  H02K3/18 ,  H02K3/528 ,  H02K9/20 ,  H02K55/02

Abstract: PURPOSE: A superconductivity synchronous motor is provided to prevent the rotation of superconducting field winding, thereby simplifying the structure of a cooler. CONSTITUTION: Rotation cores (210,310) are mounted on a rotating shaft. First and second inductors (200,300) include hook-shaped magnetic poles (220,320), respectively. First and second superconducting field windings are formed of a superconductivity wire material. One side of a magnetic flux link member is connected with the first inductor. The other side of the magnetic flux link member is connected to the second inductor.

Abstract translation: 目的：提供超导同步电机，以防止超导磁场绕组的旋转，从而简化了冷却器的结构。 构成：旋转芯（210,310）安装在旋转轴上。 第一和第二电感器（200,300）分别包括钩形磁极（220,320）。 第一和第二超导场绕组由超导线材形成。 磁通链接构件的一侧与第一电感器连接。 磁通链接部件的另一侧连接到第二电感器。

公开(公告)号：KR101261548B1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：KR1020110066555

申请日：2011-07-05

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  최태진 ,  강혜민 ,  윤재홍

IPC: H01L21/205

Abstract: 본발명의일 실시예에따른탄소박막제조방법은반응공간에탄소원으로할로겐화탄소를공급하고, 상기반응공간에반응물을공급하되, 상기반응물은상기할로겐화탄소의할로겐원소에대하여탄소보다큰 결합에너지를갖는물질을포함하는것을특징으로한다.