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公开(公告)号：KR101050228B1
公开(公告)日：2011-07-19
申请号：KR1020090091352
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/40
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자 및 이의 형성 방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 버퍼층, 2DEG층 및 장벽층이 형성된 기판; 상기 기판의 활성 영역에 형성되는 소스, 드레인 게이트 전극; 및 상기 활성 영역 주변으로 상기 버퍼층에 접촉되도록 형성되는 바디 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자와 이의 형성 방법을 제공한다. 이때 바디 전극은 활성 영역을 감싸는 형태로 형성되기 때문에, 핫 캐리어(hot carrier)를 효과적으로 제거할 수 있다.
2DEG, 버퍼층, 핫 캐리어, 바디 전극Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体器件和其形成方法而言，本发明是具有缓冲层，2DEG层和阻挡层的基底; 形成在衬底的有源区中的源极和漏极栅电极; 以及形成为与有源区周围的缓冲层接触的主体电极以及形成氮化物半导体器件的方法。 此时，由于主体电极形成为围绕有源区域，因此可以有效地去除热载体。
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公开(公告)号：KR101030493B1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: 본 발명은 공진 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 기판 상부에 형성된 식각 정지층을 이용하여 열적 저항이 많이 걸리는 반도체 기판의 일부분을 제거하고 제거된 부분에 두꺼운 금속층을 형성하거나 반도체 기판의 전부를 제거함으로써, 발광 다이오드에서 생기는 열이 효과적으로 방출되도록 함은 물론, 공진 발광 다이오드의 아래 부분에 DBR층을 형성하여 공진효과를 일으킴으로써, 활성층에서 만들어진 광자들을 효율적으로 방출 및 증폭시키는 고효율 열방출 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지는 식각 정지층, DBR층, P형 반도체층, 활성층, N형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드 하부에 형성되고, 일부가 식각된 기판; 상기 기판의 식각된 부분에 형성되고, 상기 발광 다이오드에서 생성되는 열을 방출하기 위한 열 방출 금속부; 상기 열 방출 금속부를 포함하는 상기 기판 하부에 형성된 제1 전극층과 상기 발광 다이오드 상부에 형성된 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층 하부에 형성되고, 상부에 금속 접촉층이 형성된 서브마운트를 포함함에 기술적 특징이 있다.
발광 다이오드, 공진 발광 다이오드, DBR층, 식각 정지층-
公开(公告)号：KR1020110033742A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020090091351
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A nitride metal structure and a manufacturing method of the same are provide to suppress the deformation in the surface of an ohmic metal after a heat treatment under high temperature, thereby being operated as a mask align key. CONSTITUTION: In a nitride metal structure and a manufacturing method of the same, an epi layer(100) is formed on a substrate(1). A first metal layer(210), a second metal layer(220), and an anti oxidation layer(230) are laminated to form a mask align key electrode. The first metal layer, second metal layer, and the anti oxidation layer are formed by using a metal deposition method. First and the second metal layers, the anti oxidation layer, and low resistance film are laminated to the ohmic electrode having low resistance. The anti oxidation layer is formed by one of Ni, Ti, Pt, Pd, Cr, Mo, and Ta.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物金属结构及其制造方法，以在高温下进行热处理之后抑制欧姆金属表面的变形，从而作为掩模对准键进行操作。 构成：在氮化物金属结构体及其制造方法中，在基板（1）上形成外延层（100）。 层叠第一金属层（210），第二金属层（220）和抗氧化层（230）以形成掩模对准键电极。 通过使用金属沉积法形成第一金属层，第二金属层和抗氧化层。 第一和第二金属层，抗氧化层和低电阻膜层压到具有低电阻的欧姆电极。 抗氧化层由Ni，Ti，Pt，Pd，Cr，Mo和Ta中的一种形成。
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公开(公告)号：KR1020110033383A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020090090863
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F1/56 , H03F3/211 , H03F3/2176 , H03F3/602 , H03F2200/543
Abstract: PURPOSE: A class-F and inverse class-F doherty amplifier are provided to combine a doherty amplifier and a class F with a power amplifier, thereby obtaining maximum efficiency at a back-off spot. CONSTITUTION: An asymmetrical power distributer(100) asymmetrically distributes inputted RF signals to a main amplifier and at least one peaking amplifier respectively. An input matching unit(200) matches input impedance of the peaking amplifier and a main amplifier. An output matching unit(600) matches each output impedance of the main amplifier and the peaking amplifier. First and second 1/4 wavelength transmitting lines(700,800) are connected to an output terminal of the output matching unit.
Abstract translation: 目的：提供了一个F类和F类反向放大器，用于将功率放大器和F类功率放大器组合在一起，从而在退避点获得最大的效率。 构成：不对称功率分配器（100）将输入的RF信号不对称地分配到主放大器和至少一个峰值放大器。 输入匹配单元（200）匹配峰值放大器和主放大器的输入阻抗。 输出匹配单元（600）匹配主放大器和峰化放大器的每个输出阻抗。 第一和第二1/4波长传输线（700,800）连接到输出匹配单元的输出端。
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公开(公告)号：KR101015787B1
公开(公告)日：2011-02-18
申请号：KR1020090016048
申请日：2009-02-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: 본 발명은 방열 구조를 갖는 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 전극이 형성된 영역에서 발생되는 열을 외부로 효과적으로 방출시켜 양호한 소자 특성을 유지하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판의 전면에 다층의 질화물층이 형성되고, 다층의 질화물층 위에 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 형성된다. 그리고 방열 구조는 기판의 후면에 복수의 전극이 형성된 영역을 포함하도록 안쪽으로 방열홈이 형성되고, 그 방열홈의 내측면에 형성된 방열층을 구비한다. 따라서 복수의 전극이 형성된 영역 아래에 방열홈을 형성하여 전극이 형성된 영역과 외부와의 거리를 줄임으로써, 전극이 형성된 영역에서 발생되는 열의 이동 경로를 최소화하여 발생된 열을 외부로 신속하게 배출시킬 수 있다. 그리고 방열홈에는 열전도성이 양호한 방열층이 형성되기 때문에, 전극이 형성된 영역에서 발생되는 열을 외부로 더욱 신속하게 배출시키기 때문에, 본 발명에 따른 트랜지스터는 양호한 소자 특성을 유지할 수 있다.
방열, 트랜지스터, HEMT, 활성 영역, 질화물-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101001222B1
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：KR1020080094163
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/02 , H01L29/417
Abstract: 본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 게이트 전극 하부에 AlGaN층을 두껍게 형성하여 게이트 전극 하부에 형성된 채널에만 2DEG층이 형성되지 않도록 함으로써, 소자의 노멀 오프 상태를 구현하는 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터는 기판 상부에 형성되고, 불연속적으로 존재하는 2DEG층을 포함하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상부에 형성되고, Al
x Ga
1-x N으로 이루어진 장벽층; 상기 장벽층 상부에 형성되고, Al
x Ga
1-x N 및 Al
y Ga
1-y N 중 어느 하나로 이루어진 재성장층; 상기 재성장층이 형성된 영역을 제외한 상기 장벽층 상부에 형성된 패시베이션층; 상기 재성장층 상부에 형성된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 양측에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함함에 기술적 특징이 있다.
고전자 이동도 트랜지스터, HEMT, 스위치, 노멀 오프-
公开(公告)号：KR101001185B1
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：KR1020080094241
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 수발광 일체형 소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 수광소자와 발광소자를 모노리틱(Monolithic)하게 형성하여 콤팩트한 모듈이 가능하며, 금속 그리드(Metal grid)의 형성으로 수광소자의 효율이 우수하고 발광소자에서 나온 광이 수광소자에 직접 입사되는 것을 방지하는 광분리층(Optical isolation layer)을 형성하여 수광소자와 발광소자 간의 크로스토크(Crosstalk)를 줄일 수 있는 수발광 일체형 소자에 관한 것이다.
본 발명의 수발광 일체형 소자는 기판, 상기 기판 하부에 형성되는 제1전극층, 상기 기판 상부에 형성되는 제1N형반도체층, 상기 제1N형반도체층 상부에 형성되는 제1P형반도체층, 상기 제1P형반도체층 상부에 형성되며 발광영역을 정의해주는 제2전극층, 상기 발광영역과 제2전극층이 존재하지 않는 영역에 존재하며 제1P형반도체층 상부에 형성되고 요부와 철부를 갖는 제2N형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 철부에 형성되는 제2P형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 요부에 형성되는 제3전극층 및 상기 제2P형반도체층 상부에 존재하며 제3전극층과 이격되어 존재하여 수광영역을 정의해주는 제4전극층을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수발광, 일체, 모노리틱(monolithic), 크로스토그(crosstalk), 금속 그리드-
公开(公告)号：KR1020100034987A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094251
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A receiving light emitter monolithic device forms to be monolithic the light receiving element and emitting device. The simplification and compaction of system are realized. CONSTITUTION: A first distributed brag reflection layer and semiconductor layer are respectively formed in the lower part and top of substrate. A first electrode layer(230) is formed in the main part of the semiconductor layer. The light emission region defined in the summit of the semiconductor layer with the first reflection electrode layer(240). The second distributed brag reflection layer is formed in the summit of the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：接收光发射体单片装置形成为光接收元件和发射装置的单片。 实现了系统的简化和压缩。 构成：在基板的下部和顶部分别形成第一分布式布拉格反射层和半导体层。 第一电极层（230）形成在半导体层的主要部分中。 限定在半导体层的顶点与第一反射电极层（240）的发光区域。 第二分布式布拉格反射层形成在半导体层的顶点。
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公开(公告)号：KR1020100034919A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094163
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/02 , H01L29/417
Abstract: PURPOSE: It localizes, as to the high electron movement for the switch, transistor and manufacturing method thereof thickly forms the AlGaN layer on the lower part of the gate electrode. The normal off state of device is embodied. CONSTITUTION: Transistor comprises the buffer layer(230), the barrier(250), the growing layer(250a), the passivation layer(260), the gate electrode(290), the source electrode and drain electrode. The buffer layer comprises discontinuous 2DEG layer. The barrier is included of AlxGa1-xN. The growing layer is included among AlxGa1-xN and AlyGa1-yN of a one. The passivation layer is formed on the top of the barrier except for the re-growing layer. The gate electrode is formed in upper part the re-growing layer.
Abstract translation: 目的：定位开关的高电子运动，晶体管及其制造方法在栅电极的下部厚度形成AlGaN层。 体现了设备的正常关闭状态。 构成：晶体管包括缓冲层（230），势垒（250），生长层（250a），钝化层（260），栅电极（290），源电极和漏电极。 缓冲层包括不连续的2DEG层。 屏障包括AlxGa1-xN。 生长层包括在一个的Al x Ga 1-x N和Al y Ga 1-y N中。 除了再生长层之外，钝化层形成在屏障的顶部上。 栅电极形成在再生长层的上部。
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公开(公告)号：KR100941335B1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：KR1020080018893
申请日：2008-02-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 게이트 형성 방법에 관한 것으로, T형 게이트의 다리 부분을 먼저 형성함으로써, 광학 현미경 등의 측정 수단에 의하여 신속하게 제조 상태를 관찰 및 확인이 용이하고, 수정도 용이한 장점이 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 T형 게이트의 머리 부분 하부에 지지층을 구비시켜, T형 게이트를 구조적으로 보다 안정화시킬 수 있고, T형 게이트를 보호할 수 있으며, 머리와 다리 부분의 모양과 크기를 다양하게 변화시킬 수 있는 것이다.
T형, 게이트, 무기, 유기, 개구
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