公开(公告)号：KR1020100128777A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：KR1020090047381

申请日：2009-05-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박상환 ,  정훈 ,  조경선 ,  김규미 ,  조영철

IPC: C04B35/565 ,  C01B31/36 ,  C04B35/14 ,  C04B35/56

CPC classification number: C01B32/956 ,  C01B32/05 ,  C01B33/18 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/422

Abstract: PURPOSE: An SiC/C/SiO2 composite powder is provided to lower fabrication costs of reaction bonded silicon carbide with high purity and high strength. CONSTITUTION: An SiC/C/SiO2 composite powder comprises a beta phase silicon carbide(β-SiC/C) powder, a carbon powder produced by pyrolysis of carbon source, and silica powder left in a unreacted state after the reaction of liquid silicon and carbon source.

Abstract translation: 目的：提供SiC / C / SiO2复合粉末，以降低高纯度和高强度的反应结合碳化硅的制造成本。 构成：SiC / C / SiO 2复合粉末包括β相碳化硅（β-SiC / C）粉末，通过碳源热分解产生的碳粉末，以及在液态硅和 碳源。

公开(公告)号：KR1020100115993A

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020090034686

申请日：2009-04-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박상환 ,  조경선 ,  김규미 ,  정훈 ,  조영철

IPC: C01B31/36 ,  C04B35/565

CPC classification number: C01B32/956 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/565

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing β phase silicon carbide micro powder with high purity at low temperature is provided to use silicon carbide powder under 1 micrometer in a jig for a high temperature process for a semiconductor. CONSTITUTION: A method for manufacturing β phase silicon carbide micro powder with high purity at low temperature comprises the following steps. Silicon compound liquid and carbon compound are mixed to make a mole ratio be in the range of 2.0 to 5.0. And a water solution is added to the mixture. The mixture is stirred to be gel or powder. Silicon carbon precursor micro powder is obtained by heating gel powder. Silicon powder or silicon ingot is added to the silicon carbon precursor micro powder. The silicon carbon precursor micro powder is heated at 1250~1600°C to obtain silicon carbon micro powder.

Abstract translation: 目的：提供在低温下制备高纯度的β相碳化硅微粉的方法，在用于半导体的高温工艺的夹具中使用1微米的碳化硅粉末。 构成：在低温下制备高纯度的β相碳化硅微粉的方法包括以下步骤。 混合硅化合物液体和碳化合物使摩尔比在2.0至5.0的范围内。 并向混合物中加入水溶液。 将混合物搅拌成凝胶或粉末。 通过加热凝胶粉末获得硅碳前体微粉末。 将硅粉或硅锭加入硅碳前体微粉中。 硅碳前驱体微粉末在1250〜1600℃下加热得到硅碳微粉末。

公开(公告)号：KR100958097B1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：KR1020070070866

申请日：2007-07-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박상환 ,  한재호 ,  남경돈 ,  박태희 ,  윤성호 ,  조경선 ,  황성식

IPC: F27B9/00 ,  F27B21/00

Abstract: 본 발명은 용융 규소를 탄화질 성형체에 균일하게 침윤시켜 제품 전체에 걸쳐 균일한 기공 구조를 갖는 다공질 탄화규소 반응 소결체를 연속 소결 공정으로 대량 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 판형 및 튜브 등 다양한 형상 및 크기의 다공질 반응소결 탄화규소 소재를 경제성이 높게 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 구체적으로, 그라파이트 운송체를 사용하여 가열부의 핫 존에 성형체를 연속적으로 일정 속도로 통과시키면서 성형체 외부 용기에서 형성된 일정량의 용융 규소를 성형체와 연결된 카본 직포를 따라 성형체로 공급하여 성형체 내부로 침윤시키거나, 혹은 성형체 내부의 규소 분말이 용해되어 형성된 용융 규소를 성형체 내부로 균일하게 침윤시킴으로써 연속 반응소결 공정으로 반응소결 탄화규소 다공체를 제조한다. 본 발명의 연속 반응소결 공정에 의한 결과 열 충격에 의한 균열 발생 또는 기공 구조의 불균일성 등과 같은 문제점은 발생되지 않았으며, 다양한 기공 구조 및 크기를 갖는 다공질 반응소결 탄화규소 소재를 연속적으로 생산할 수 있었다.
반응소결 탄화규소, 다공체, 다공질, 연속 공정, 반응소결

公开(公告)号：KR100838825B1

公开(公告)日：2008-06-17

申请号：KR1020070020641

申请日：2007-02-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박상환 ,  한재호 ,  황성식

IPC: C01B31/36 ,  B01D39/20

CPC classification number: C04B35/806 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6263 ,  C04B38/0074 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/96 ,  C01B32/956 ,  B01D39/20 ,  C01P2006/90 ,  C02F1/44

Abstract: An SiC fiber reinforced reaction bonded SiC porous body of which pore size and porosity are adjustable, and which has improved mechanical properties is provided, and a fabrication process of the SiC fiber reinforced reaction bonded SiC porous body is provided. As an SiC porous body comprising an SiC powder(1), an SiC fiber(2), a carbon powder(4), and Si, an SiC fiber reinforced reaction bonded SiC porous body is characterized in that: the SiC fiber has a length being five times as long as a mean particle diameter of the SiC powder to 10 mm, and is contained in a fabricated SiC porous body(3) in the amount of 1 to 15 wt.%; and the silicon is formed by melt infiltration in inner and outer portions of the porous body. The fabricated SiC porous body has a porosity of 10 to 60 vol.%. A fabrication process of an SiC fiber reinforced SiC porous body comprises performing melt infiltration of molten silicon from an outer portion into an inner portion of a green compact at a temperature of 1450 to 1650 deg.C under a vacuum of 1 to 10 torr or an inert gas atmosphere, the green compact comprising an SiC powder, an SiC fiber which has a length of five times a mean particle diameter of the SiC powder to 10 mm, and is contained in a fabricated SiC porous body in the amount of 1 to 15 wt.%, and a carbon powder.

Abstract translation: 提供孔径尺寸和孔隙率可调的SiC纤维增强反应结合SiC多孔体，并提供机械性能改善，并提供SiC纤维增强反应结合SiC多孔体的制​​造工艺。 作为包含SiC粉末（1），SiC纤维（2），碳粉末（4）和Si的SiC多孔体，SiC纤维增强反应结合的SiC多孔体的特征在于：SiC纤维的长度 为SiC粉末的平均粒径的5倍至10毫米，并且以1〜15重量％的量包含在制造的SiC多孔体（3）中; 并且硅通过在多孔体的内部和外部部分的熔体渗透而形成。 所制造的SiC多孔体具有10至60体积％的孔隙率。 SiC纤维增强SiC多孔体的制​​造方法包括在1〜10托的真空下，在1450〜1650℃的温度下，将熔融硅从外部熔融浸入生坯的内部，或 惰性气体气氛中，生坯包含SiC粉末，SiC粉末的平均粒径的5倍的长度为10微米的SiC纤维，并且以1〜15的量包含在制造的SiC多孔体中 重量％，和碳粉末。

公开(公告)号：KR100493259B1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020020088167

申请日：2002-12-31

Applicant: 에쓰대시오일 주식회사 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 박상환 ,  장희석 ,  남경돈 ,  박태진 ,  이경순 ,  송찬주 ,  백상철

IPC: B01J37/34

Abstract: 본 발명에 의한 마이크로파 건조법을 이용한 압출 성형용 슈도보헤마이트 겔 가소성 페이스트 제조방법은, 압출 성형용 슈도보헤마이트 겔 가소성 페이스트를 제조하기 위한 방법으로서, 활성금속 성분이 담지된 슈도보헤마이트 혼합 슬러리를 건조 용기에 넣은 후 마이크로파 오븐에 위치시키고 마이크로파를 이용하여 건조시키는 단계(a); 및 상기 단계(a)의 마이크로파를 사용하여 부분 건조된 슈도보헤마이트 혼합 페이스트 또는 메틸셀룰로우스를 포함하는 세라믹 플라스틱 바디 제조용 가소제가 첨가 및 혼합된 슈도보헤마이트 혼합 페이스트를 사용하여 압출 성형용 슈도보헤마이트 겔 가소성 페이스트를 제조하는 단계(b)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 마이크로파 건조법을 이용한 압출 성형용 슈도보헤마이트 겔 가소성 페이스트 제조방법에 있어서, 상기 단계(a)의 슈도보헤마이트 혼합 슬러리 건조를 위한 에너지원인 마이크로파 오븐은 마이크로파 진동수가 0.896-10GHz이며, 최대 마그네트론 출력이 0.5-1.5MW이고, 상기 단계(a)의 슈도보헤마이트 혼합 슬러리 건조시 마이크로파 오븐 내에 위치한 건조 용기내의 물의 온도는 80-99℃이며, 건조 용기내의 습도는 60-98% 범위인 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019950011372A

公开(公告)日：1995-05-15

申请号：KR1019930020438

申请日：1993-10-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이준근 ,  김영욱 ,  박태희 ,  박상환 ,  조항선 ,  임동기

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/495

Abstract: 본 발명은 질화티탄계 저항체와 그 주위에 열팽창계수가 점진적으로 변화하는 질화규소 절연성 기판이 형성되어서 된 판상세라믹 발열체에 관한 것이다. 본 발명의 발열체는 질화규소 분말에 1~18중량%의 소결조제와 열팽장계수 조절제로서 규화몰리브데늄 또는 탄화텅스텐을 20중량% 이하의 범위에서 첨가량을 변화시켜가면서 제조한 여러가지 열팽창계수의 질화규소 테이프를 제조하여, 이들 테이프중 질화티탄 저항체와 비슷한 테이프상에 질화티탄 페이스트를 인쇄 도포한 후 다수매의 테이프를 열팽창계수가 변화되도록 다수매 순차적층한 후, 이 적층성형체에 대해 탈지 →소결 →리드선 부착공정을 행하여 얻어진다. 이와같은 본 발명의 제조 방법을 통해 얻어진 판상세라믹 발열체는 저항체와 절연성 기판 사이의 열팽창계수 차이에 의해 발생되는 열적 피로현상과 이에따른 균열 발생현상이 억제되어 열충격 저항성이 우수하다는 장점이 있다.