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公开(公告)号：KR101369285B1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020120038556
申请日：2012-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/4488
Abstract: 본 발명은 텅스텐 카바이드의 성장시 과포화(supersaturation) 수준의 조절을 통해 나노구조의 정렬 형태를 제어함으로써 여러 형태의 텅스텐 카바이드 특히, 나노월 구조의 텅스텐 카바이드를 합성할 수 있는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 제조방법은 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정을 이용하여, 나노결정다이아몬드 박막 상에 수직 배열되는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드를 제조하는 것을 특징으로 하며, 상기 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정은, 챔버 내의 양극 상에 나노결정다이아몬드 박막이 형성된 기판을 구비시키고, 기판의 상부 이격된 위치에 표면이 탄화된 텅스텐 음극을 구비시킨 상태에서, 챔버 내에 수소 플라즈마가 인가된다.
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公开(公告)号：KR101349633B1
公开(公告)日：2014-02-25
申请号：KR1020120137650
申请日：2012-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82B3/0009 , B82B1/00 , C01B32/182 , C01B32/25 , C01B2204/04
Abstract: A polyphase carbon nanostructure may include graphene sheaths including at least one graphene layer; and diamond nanoflakes embedded in the graphene sheaths. The graphene sheaths may comprise multilayer graphene. Each graphene layer in the graphene sheaths may be aligned in parallel with the surface of the diamond nanoflake (111). The polyphase carbon nanostructure may further comprise a nanocrystalline diamond film positioned to surround the graphene sheaths. The polyphase carbon nanostructure has a high electric conductivity compared to a conventional nanocrystalline diamond film, which does not include graphite. [Reference numerals] (AA) Intensity (a.u.); (BB) 302.1 eV(sp^3) : second band gap; (CC) Energy loss (eV)
Abstract translation: 多相碳纳米结构可以包括至少一个石墨烯层的石墨烯鞘; 和镶嵌在石墨烯护套中的金刚石纳米片。 石墨烯护套可以包括多层石墨烯。 石墨烯护套中的每个石墨烯层可以与金刚石纳米片（111）的表面平行排列。 多相碳纳米结构还可以包括定位成围绕石墨烯护套的纳米晶体金刚石膜。 与不含石墨的常规纳米晶体金刚石膜相比，多相碳纳米结构具有高导电性。 （AA）强度（a.u.）; （BB）302.1eV（sp ^ 3）：第二带隙; （CC）能量损失（eV）
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公开(公告)号：KR101331566B1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020120031830
申请日：2012-03-28
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/0254 , C23C16/271 , C23C16/272
Abstract: 본 발명은 실리콘 산화막이 코팅된 기판 상에 나노결정다이아몬드 박막을 형성함에 있어서 기판 표면에 대해 수소 플라즈마 처리 또는 탄화수소 플라즈마 처리를 하거나 탄화수소 열처리를 수행함으로써, 후속의 초음파 파종 공정시 기판 표면과 나노다이아몬드 입자 간의 정전기 인력을 최대화하여 초음파 파종 공정시 기판의 실리콘 산화막 상에 나노다이아몬드 입자가 균일하게 분포, 결합되도록 하고, 궁극적으로 보이드(void)가 최소화된 균질의 나노결정다이아몬드 박막을 제조할 수 있는 나노결정다이아몬드 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법은 실리콘 산화막이 코팅된 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판을 표면처리하는 단계와, 나노다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 기판 을 넣은 후, 초음파를 조사하여 상기 기판 상에 나노다이아몬드 입자를 분산, 결합시키는 단계 및 상기 나노다이아몬드 입자가 결합된 기판 상에 나노결정다이아몬드 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 표면처리에 의해, 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값이 표면처리되지 않은 경우의 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값보다 증가하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020130115847A
公开(公告)日：2013-10-22
申请号：KR1020120038556
申请日：2012-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/4488
Abstract: PURPOSE: A two-dimensional nanostructured tungsten carbide and a manufacturing method thereof are provided to manufacture the tungsten carbides vertically arranged on a nanocrystalline diamond film using a chemical vapor deposition process to which hydrogen plasma is applied. CONSTITUTION: A manufacturing method of a two-dimensional nanostructured tungsten carbide includes a step of vertically arranging the tungsten carbides on a nanocrystalline diamond film using a chemical vapor deposition process to which hydrogen plasma is applied. In the chemical vapor deposition process, the hydrogen plasma is applied to inside a chamber while a substrate having the film is placed on an anode inside the chamber and a tungsten cathode of which the surface is carbonized is placed above the substrate.
Abstract translation: 目的：提供二维纳米结构碳化钨及其制造方法，以使用使用氢等离子体的化学气相沉积工艺来制造垂直设置在纳米晶体金刚石膜上的碳化钨。 构成：二维纳米结构碳化钨的制造方法包括使用施加氢等离子体的化学气相沉积工艺将钨碳化物垂直排列在纳米晶体金刚石膜上的步骤。 在化学气相沉积工艺中，将氢等离子体施加到室内，同时将具有膜的基板放置在室内的阳极上，并且将表面碳化的钨阴极放置在基板上方。
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公开(公告)号：KR1020130068820A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136213
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A CMP(Chemical Mechanical Polishing) pad conditioner and a manufacturing method thereof are provided to basically prevent a substrate from being bent and diamond of the conditioner from being separated by forming the CMP pad conditioner using a selective deposition method. CONSTITUTION: A diamond thin film(12) is formed on a substrate(11). A mask(30) having an opening part(35) in a matrix type is placed on the diamond thin film. The mask is made of one selected from molybdenum, tungsten and graphite. A protrusion part(15) comprising diamond(40) is formed on the diamond thin film. The mask is removed.
Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）垫调节剂及其制造方法，以通过使用选择性沉积方法形成CMP垫调节器来基本上防止基材弯曲并使调理剂的金刚石分离。 构成：在基板（11）上形成金刚石薄膜（12）。 将具有矩阵型开口部（35）的面罩（30）放置在金刚石薄膜上。 掩模由选自钼，钨和石墨的掩模制成。 在金刚石薄膜上形成包括金刚石（40）的突出部分（15）。 去除面具。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101131008B1
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：KR1020100127450
申请日：2010-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A Se or S system thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve photoelectric transformation efficiency of a solar battery by controlling preferred orientation of a light absorption layer through the bulk porosity adjustment of a preferred orientation control layer. CONSTITUTION: A back contact electrode(120) is formed on a substrate(110). The back contact electrode is composed of a double layer of a first back contact electrode(121) and a second back contact electrode(122). A preferred orientation control layer(130) is formed on the back contact electrode. A light absorption layer(140) is formed on the preferred orientation control layer. A window layer(150) is formed on the light absorption layer. A transparent electrode layer(160) is formed on the window layer.
Abstract translation: 目的：提供一种Se或S系薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过通过优选的取向控制层的体积孔隙率调节来控制光吸收层的优选取向来提高太阳能电池的光电转换效率。 构成：背面接触电极（120）形成在基板（110）上。 背接触电极由第一背接触电极（121）和第二后接触电极（122）的双层构成。 在背面接触电极上形成优选的取向控制层（130）。 在优选的取向控制层上形成光吸收层（140）。 在光吸收层上形成窗口层（150）。 在窗口层上形成透明电极层（160）。
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公开(公告)号：KR101035979B1
公开(公告)日：2011-05-23
申请号：KR1020110005403
申请日：2011-01-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for growing a ZnO thin film, a thin film solar cell using the same, and a method for manufacturing the thin film solar cell are provided to prevent a void and a crack in a silicon thin film deposition process by making the surface of the ZnO thin film with a U-shape. CONSTITUTION: Textures in a (0002) direction and a (1120) direction are simultaneously grown by controlling a deposition temperature, a deposition pressure, or the injection ratio of precursors. The deposition temperature is controlled between 90 and 150 degrees centigrade. The deposition pressure is controlled between 0.1 and 10 torr. The precursor is made of oxygen materials and zinc materials.
Abstract translation: 目的：提供一种生长ZnO薄膜的方法，使用该薄膜太阳能电池的薄膜太阳能电池以及薄膜太阳能电池的制造方法，以防止硅薄膜沉积工艺中的空隙和裂纹， 的ZnO薄膜具有U形。 构成：通过控制沉积温度，沉积压力或前体的注射比同时生长（0002）方向和（1120）方向上的纹理。 沉积温度控制在90至150摄氏度之间。 沉积压力控制在0.1和10托之间。 前体由氧材料和锌材料制成。
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公开(公告)号：KR100998645B1
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020080019699
申请日：2008-03-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 바이오 센서 소자 및 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 FET 바이오센서 소자의 게이트를 생체 적합성이 탁월한 다이아몬드 박막을 사용하여 제조함으로써 센서의 수명, 반복성 및 안정성을 크게 개선시킴과 동시에, 채널 영역에 다이아몬드를 도입했던 기존의 다이아몬드 기반의 바이오 센서(Bio-sensor)와 달리 다이아몬드를 채널 영역에서 배제한 FET(Field Effect Transistor)구조를 구현하여 센서의 민감도 개선과 더불어, 실리콘(Si) 전자회로와 동시 집적이 가능하도록 한다.
바이오, 센서, 다이아몬드, 분자, DNA, 바이러스-
公开(公告)号：KR100998349B1
公开(公告)日：2010-12-03
申请号：KR1020080102175
申请日：2008-10-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 다이아몬드와 금속의 밀착력 향상에 관한 것으로 보다 구체적으로는 고온, 산화 분위기에서 버퍼층의 소재 및 구조를 디자인하여 다이아몬드와 금속의 접합력을 유지하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 다이아몬드층, 금속 전극층, 및 다이아몬드층과 금속 전극층 사이에 위치하는 버퍼층을 포함하는 소자에 있어서, 상기 버퍼층이 (i) 금속 질화물층(Me-N) 및 (ii) 실리콘 질화물층(Si-N), 금속-실리콘-질화물층(Me-Si-N), 보론 질화물층(BN) 및 금속-보론 질화물층(Me-BN)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 나노두께로 반복적층한 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자를 제공한다.
나노 다층막, 확산 방지 막, 다이아몬드, 금속 전극, 밀착력, metallization-
公开(公告)号：KR100889372B1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：KR1020070051602
申请日：2007-05-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 열적 안정성이 우수한 경질 다층 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 TiAlN 막층과 BN 막층으로 이루어진 박막 단위체가 하나 이상 적층된 다층구조를 이루고 있으며, TiAlN 막층과 BN 막층 각각의 두께 조절과 더불어 박막 단위체의 두께 조절에 의해 고온에서의 열적 안정성을 도모하여 상온 내지 900℃의 고온 조건에서도 고 경도화에 의한 내마모성을 향상시키므로, 절삭공구 및 미세 정밀부품의 표면 피복용 재료로 사용되어서는 표면강도를 향상시키는 효과가 기대되는 경질 다층 박막에 관한 것이다.
경질 다층 박막, TiAlN, BN, 금속질화물, 경도, 열 안정성
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