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公开(公告)号：KR101866084B1
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：KR1020160146474
申请日：2016-11-04
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은일정조사영역으로빛을조사할수 있는매트릭스구조를갖는발광부를통해수광부에서일정영역의신호를순차적으로수신하여처리하는매트릭스구조를갖는라이다시스템의발광제어장치를제공하는것을목적으로한다. 이를위해, 본발명은물체에빛을조사하는복수의광원이 M × n 매트릭스구조로배열되고, 차량으로부터검출한차량의주행정보에따라상기광원이임의의발광패턴으로빛을조사하도록설정하며, 상기설정된발광패턴에따라빛의출력세기(光量)를가변시켜상기광원이동작되도록제어하는것을특징으로한다. 따라서, 본발명은일정조사영역으로빛을조사할수 있는매트릭스구조를갖는발광부를통해수광부에서일정영역의신호를순차적으로수신하여처리함으로써, 회로를단순화시킬수 있고, 발광부의전체픽셀중에서일부만순차적으로동작시켜발광소자의고주파제어가가능하며, 왜란광과, 잘못된포인트클라우드의발생방지와, 인체유해성을개선할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101840810B1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：KR1020160053226
申请日：2016-04-29
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은마이크로미터급발광소자분광분석용공초점현미경장치에관한것으로서, 더욱상세하게는마이크로미터이하의사이즈를가지는발광소자의분광분석에적용할수 있는마이크로미터급발광소자분광분석용공초점현미경장치에관한것이다. 본발명에따른마이크로미터급발광소자분광분석용공초점현미경장치는기존의와이어본딩을통한전류공급방식을대체하여프로브를통한발광소자에전류공급이가능한시스템을적용함으로써수 내지수백마이크로미터사이즈를가지는발광소자의분광분석을수행할수 있고, 기존갈바노스캐너를통한스캔방식을대체하여스테이지를이동시키는스캔방식을적용함으로써기존의방식보다고해상도및 고선명도의이미지를획득할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明是一种千分尺的发光装置光谱孔焦点涉及一种显微镜装置，并且更具体地，把注意力集中在具有尺寸发光器件被施加到频谱分析光谱微米级发光元件小于微米孔显微镜装置 它涉及。 微米级发光器件光谱孔，用于根据本发明的聚焦，所述显微镜装置是通过用具有几百微米大小的电流供给通过常规的引线键合施加到通过探针提供到发光元件的电流的可用的系统 并且它可以通过施加扫描方法没有扫描器移动台存在能够获得高分辨率和高亮度比传统方法的图像的优点，以取代先前的电扫描方法进行发光元件的频谱分析。
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公开(公告)号：KR1020180005720A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020180000680
申请日：2018-01-03
Applicant: 한국광기술원
IPC: B23K35/26 , B23K35/36 , B23K35/365 , B23K35/40
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/36 , B23K35/365 , B23K35/40
Abstract: 본발명은주석산화물로코팅된탄소소재가함유된솔더복합체및 이의제조방법에관한것으로서, 상기와같은본 발명에따르면주석산화물이코팅된탄소소재를솔더에적용함으로써, 주석산화물을코팅한탄소소재의주석젖음성이향상되어복합체내탄소소재함유율을더욱높일수 있으며, 탄소소재솔더복합체의열적물성, 기계적물성, 전기적물성등을향상시키는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及含有涂覆有氧化锡的碳材料的焊料复合物及其制造方法，涂覆有氧化锡的碳材料被应用于焊料， 可以提高碳材料的锡润湿性，并且可以进一步增加复合体中碳材料的含量，并且可以提高碳材料焊料复合材料的热学，机械和电学性能。
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公开(公告)号：KR1020170079940A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150191022
申请日：2015-12-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L25/16 , H01L25/075 , H01L33/40 , H01L33/48 , F21K99/00 , H01L21/677
Abstract: 본발명은 LED 모듈을지지기판에부착하고자외선흡수층과접착력이약한패시베이션층을이용하여 LED 모듈을다른기판으로쉽게이송할수 있는 LED 구조체및 이의전사방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해, 본발명은 p-n 접합구조를갖는복수의 LED 모듈이메탈본딩층을통해지지기판과접착되고, 일정파장범위의광에의해상기지지기판과의접착력이약해지면, 상기접착된 LED 모듈이상기지지기판에서개별또는어레이형태로분리되도록한다. 따라서본 발명은 LED 모듈을지지기판에부착하고자외선흡수층과접착력이약한패시베이션층을이용하여분리함으로써, LED 모듈을다른기판으로쉽게전사할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种附接至所述支撑基板和使用该LED结构，可以很容易将LED模块转移到另一个基片和它的成像方法具有弱粘合性钝化层中的紫外线吸收层的LED模块。 为此，本发明是多个键合到通过金属接合层在支撑基板的LED模块，通过在一定波长范围内的光haejimyeon周围具有pn结结构中的粘合剂LED模块的移相器的支撑基板的密合性 在支撑基板上以单独或排列的形式分离。 因此，本发明具有通过安装LED模块的支撑基板容易转移，LED模块和使用弱的紫外线吸收层和钝化层粘附到其它基质中分离出来的优点。
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公开(公告)号：KR101720210B1
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020150002955
申请日：2015-01-08
Applicant: 조선대학교산학협력단 , 한국광기술원
Abstract: 본발명은 LED칩을 LED램프의렌즈층에나노크기의입자들을결합하여미 산란을유도함으로써후방으로의배광영역을확장시킬수 있는 COB 타입무지향성 LED램프에관한것으로서, LED칩과, 상기 LED칩이실장되는회로기판을포함하는조명부와; 상기조명부가설치되는본체와; 상기조명부에전원을공급하도록상기본체에결합되어외부전원에접속되는소켓부와; 상기조명부의상부를감싸도록형성되어상기조명부를보호하며상기 LED칩에서방출된빛이통과할수 있도록투명한소재로형성된베이스와, 상기베이스내부에분포되어상기베이스를통과하는빛을미 산란시키기위한산란입자들을포함하는렌즈부;를구비한다. 본발명에따른 COB 타입무지향성조명램프는 LED의배치를변경하거나, 램프의내부구조를변경하지않고후배광을형성하여제작단가의상승없이기존의조명과같은배광분포를얻음으로써제조단가하락을통해대중화에기여할수 있을뿐만아니라, 렌즈부에산란입자가분포된구조를적용함으로써원하는배광분포및 휘도의손실없이기존의조명과유사한배광분포및 조도를얻을수 있는장점을갖는다.
Abstract translation: 本发明中，LED芯片，所述LED芯片涉及一种COB型非定向LED的灯，sikilsu由纳米尺寸的颗粒的LED芯片结合到LED灯的透镜层引导米氏散射扩大后方的配光区域 包括待存储的电路板的照明单元; 主体，照明单元安装在主体上; 插座单元，连接到主体以向照明单元供电并连接到外部电源; 散射粒子的非散射光，并形成以包围所述照射服装保护部分照明的部分，并通过从LED芯片底座发射的光被传递一个透明材料形成，其分布在基底的穿过底座内 和一个镜头单元。 根据本发明COB型非定向照明灯，制造成本通过改变LED的布置贬值，或者形成在不改变灯的内部结构，而不生产单价获得的光分布，增加初级光如常规照明 通过应用其中散射颗粒分布在透镜部分中的结构，可以获得类似于传统照明的光分布和照度，而不会损失期望的光分布和亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170019559A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020150113417
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국광기술원
IPC: B23K35/26 , B23K35/36 , B23K35/365 , B23K35/40
Abstract: 본발명은주석산화물로코팅된탄소소재가함유된솔더복합체및 이의제조방법에관한것으로서, 상기와같은본 발명에따르면주석산화물이코팅된탄소소재를솔더에적용함으로써, 주석산화물을코팅한탄소소재의주석젖음성이향상되어복합체내탄소소재함유율을더욱높일수 있으며, 탄소소재솔더복합체의열적물성, 기계적물성, 전기적물성등을향상시키는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020140116311A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：KR1020130030821
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: The present invention relates to a light emitting device with improved light emitting efficiency and a manufacturing method thereof. The light emitting device according to the invention comprises: a p-type reflective contact layer (110); a p-type nitride layer (120) formed on the p-type reflective contact layer (110); an active layer (130) formed on the p-type nitride layer (120); an n-type nitride layer (140) formed on the active layer (130); and a plasmon generating unit (150) having an n-type electrode (153) which is prepared to be insulated by an insulation layer (152) containing metal nano particles (151) and penetrate the p-type reflective contact layer (110), p-type nitride layer (120), and active layer (130), such that one end thereof comes in contact with the n-type nitride layer (140). According to the present invention, luminous efficiency is improved due to local plasmon resonance effects in a vertical type nitride light emitting device. Also, the luminous efficiency is further enhanced by excluding electrode arrangements with low light extraction efficiency from a light exit surface.
Abstract translation: 本发明涉及发光效率提高的发光元件及其制造方法。 根据本发明的发光器件包括：p型反射接触层（110）; 形成在p型反射接触层（110）上的p型氮化物层（120）; 形成在p型氮化物层（120）上的有源层（130）; 形成在有源层（130）上的n型氮化物层（140）; 和具有n型电极（153）的等离子体发生单元（150），所述n型电极准备被包含金属纳米颗粒（151）的绝缘层（152）绝缘并穿透p型反射接触层（110）， p型氮化物层（120）和有源层（130），使得其一端与n型氮化物层（140）接触。 根据本发明，由于垂直型氮化物发光器件中的局部等离子体共振效应，发光效率得到改善。 此外，通过从光出射表面排除具有低光提取效率的电极布置，进一步增强了发光效率。
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公开(公告)号：KR101355086B1
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020120148521
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0091
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a high quality semi-polar nitride layer using a nanopillar structure. A high crystalline semi-polar nitride layer can be formed by forming a second nitride by a side growth of the nanopillar structure after the nanopillar structure is formed in the upper region of a first semi-polar nitride layer. According to the present invention, light extraction efficiency can be improved by preventing the deterioration of the light extraction efficiency due to the total reflection of the light generated from pores in a process of growing a second nitride layer from the nanopillar structure. According to the present invention, a nitride layer can be used for an electronic device such as a light emitting diode.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米柱结构制造高品质半极性氮化物层的方法。 可以通过在第一半极性氮化物层的上部区域中形成纳米柱结构之后通过纳米柱结构的侧向生长形成第二氮化物来形成高结晶半极性氮化物层。 根据本发明，通过防止在从纳米柱结构生长第二氮化物层的过程中由于由孔产生的光的全反射而导致的光提取效率的劣化，可以提高光提取效率。 根据本发明，氮化物层可用于诸如发光二极管的电子器件。
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公开(公告)号：KR101297353B1
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：KR1020110142140
申请日：2011-12-26
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 식각정지층을 포함하여 기판에서 각각의 발광다이오드로 분리할 때 발광다이오드의 식각을 용이하게 하고, n형 전극층과 p형 전극층이 쇼트되는 것을 방지하는 발광 다이오드를 제공함에 그 목적이 있다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 내부에 비아홀이 형성된 반도체층; 상기 반도체층의 상부 일부표면에 형성되는 반사층; 상기 반도체층의 상부 바깥 가장자리 일부표면에 형성되는 식각정지층; 상기 반사층의 전면 상부 및 상기 식각정지층의 일부 상부에 형성되는 제 1 금속층; 상기 반도체층의 가장자리를 상기 식각정지층과의 경계까지 식각한 후, 식각된 위치를 통해 상기 식각정지층의 일부 내부를 관통하여 제 1 금속층과 접촉하는 제 2 금속층; 상기 제 1 금속층의 전면 상부 표면 및 상기 비아홀의 내주면을 덮는 절연보호막; 및 상기 반도체층의 비아홀 내부의 내경보다 작은 외경을 가지고, 상기 비아홀 내부를 관통하여 반도체층과 접촉함과 동시에 상기 절연보호막 전면 상부에 형성되는 전극;을 포함하여 이루어진다.Abstract translation: 发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，尤其涉及一种发光二极管及其制造方法， 还有一个发光二极管。
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公开(公告)号：KR1020130087429A
公开(公告)日：2013-08-06
申请号：KR1020130008533
申请日：2013-01-25
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L2933/0008
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semi-polar nitride device without a stacking fault is provided to easily remove the stacking fault on a III group nitride layer by using an epitaxial lateral overgrowth method and a time difference-selective etching method. CONSTITUTION: A first III group nitride layer (200) is formed on a substrate (100). A second III group nitride layer (300) is formed on the first III group nitride layer. A plurality of cavities (320) are formed on the second III group nitride layer. A patterned mask layer (310) is formed on the first III group nitride layer. The surfaces of the cavities formed on the second III group nitride layer are etched. A third III group nitride layer (500) is formed on the second III group nitride layer. [Reference numerals] (AA,DD,GG) Front figure; (BB) Plane figure; (CC) Stacking fault; (EE) Plane figure; (FF) Protection layer
Abstract translation: 目的：提供一种不产生堆垛层错的半极性氮化物器件的制造方法，通过使用外延侧向生长法和时差选择腐蚀法，能够容易地除去Ⅲ族氮化物层上的堆垛层错。 构成：在基板（100）上形成第一III族氮化物层（200）。 在第一III族氮化物层上形成第二III族氮化物层（300）。 在第二III族氮化物层上形成多个空腔（320）。 图案化的掩模层（310）形成在第一III族氮化物层上。 蚀刻形成在第二III族氮化物层上的空腔的表面。 第三III族氮化物层（500）形成在第二III族氮化物层上。 （附图标记）（AA，DD，GG）前图; （BB）平面图; （CC）堆叠故障; （EE）平面图; （FF）保护层
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