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公开(公告)号：KR20210028385A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190109381A
申请日：2019-09-04
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/38 , H01L33/44
Abstract: 라운드형 발광소자를 개시한다. 본 발명은 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 포함하고, 상기 에피 구조체는 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2016163595A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/KR2015/006689
申请日：2015-06-30
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: C22C38/04 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자의 정전기(Electrostatic Discharge: ESD) 내압특성을 개선할 수 있는 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 발광소자는, 상부면에 v-피트 구조를 갖는 제1전도성 반도체층에 전도성이 낮은 물질을 이용하여 평탄하게 형성되는 활성층과 제2전도성 반도체을 포함하거나 상부면에 v-피트 구조를 갖는 제1전도성 반도체층에 전도성이 낮은 물질을 이용하여 평탄화하고 활성층과 제2전도성 반도체층의 인접면에 v피트 구조를 가짐으로써, v피트 영역은 임계두께 이상이 되어 전도성이 매우 낮아서 전류의 이동이 차단되는 반면에, 그 이외 영역은 임계두께 이하를 가져 상부로 전류의 이동이 가능하여 누설전류 및 기타 소자의 내구성을 강화시키면서도 관통전위에 의해 발생되는 비발광 재결합을 줄여 광도 저하를 최소화할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法，其可以改善氮化物半导体发光器件的静电放电（ESD）内压特性。 本发明的发光装置包括使用低导电性材料在其上表面上具有v凹坑结构的第一导电半导体层上形成的有源层，以及第二导电半导体 或者在第二导电半导体层和有源层之间的接触表面上具有使用低导电性材料形成的V阱结构，在第一导电半导体层上具有v阱结构 其上表面。 因此，v坑区域的厚度等于或大于临界厚度，因此具有非常低的导电性，从而防止电流流动，而剩余区域的厚度等于或小于临界厚度，因此 电流可以向上流动。 因此，本发明具有减少电流泄漏和强化其它元件的耐久性的效果，同时减少由穿透位错产生的非辐射复合，从而使发光度降低最小化。 本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法，其可以改善氮化物半导体发光器件的静电放电（ESD）内压特性。 本发明的发光装置包括使用低导电性材料在其上表面上具有v凹坑结构的第一导电半导体层上形成的有源层，以及第二导电半导体 或者在第二导电半导体层和有源层之间的接触表面上具有使用低导电性材料形成的V阱结构，在第一导电半导体层上具有v阱结构 其上表面。
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公开(公告)号：KR101928353B1
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：KR1020170179331
申请日：2017-12-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0216
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公开(公告)号：KR101681279B1
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020140049354
申请日：2014-04-24
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 질화물박막및 그제조방법이개시된다. 본발명의질화물박막은, 실리콘기판을반응로내에서고온의제1온도로가열하고, 상기반응로내에수소를주입하고, 상기실리콘기판을상기제1온도보다낮은제2온도로냉각하고, 상기반응로내에수소를일정하게주입하면서, 트리메틸알루미늄(TMA)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소및 TMA를일정하게주입하면서, 암모니아(NH)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소, TMA 및 NH를일정하게주입하면서, 상기실리콘기판을상기제1온도로가열하여제조한다.
Abstract translation: 公开了一种氮化物薄膜及其制造方法。 本发明的氮化物薄膜通过以下步骤制备：在反应炉中以高温的第一温度加热硅树脂基材; 将氢气送入反应炉; 在低于第一温度的第二温度下冷却硅树脂基材; 均匀地将氢气进料到反应炉中; 喂三甲基铝（TMA）一段时间; 在反应炉中均匀加入氢气和TMA; 在一段时间内喂氨（NH_3） 并在第一温度下加热硅树脂衬底，同时在反应炉中均匀地供给氢气，TMA和NH_3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160106961A
公开(公告)日：2016-09-13
申请号：KR1020150029758
申请日：2015-03-03
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: G02B23/2461 , F41G1/34
Abstract: 본발명은광원부로부터발광된임의의발광파장을갖는빛의경로를평행광선으로정렬시켜반사함으로써, 시차발생을감소시키는광학식조준경을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은하우징; 상기하우징에설치한경통; 상기경통의내측에설치되어빛을발광하는광원부; 상기광원부와일정거리이격설치하여, 상기광원부로부터발광된빛이평행광선이되도록변환하는광학렌즈부; 및상기광학렌즈부에의해변환된평행광선을다른경로로반사하는반사부를포함하여구성한다. 따라서본 발명은광원부로부터발광된임의의발광파장을갖는빛의경로를평행광선으로정렬시켜반사함으로써, 시차발생을감소시키고, 이에따라목표물에대해보다효율적이고안정적인조준을달성할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种光学瞄准器，其以平行射线对准从光源单元发射的任意发光波长的光的路径以反射平行光线以减小视差。 为了实现该目的，光学瞄准具包括：壳体; 安装在壳体上的主管; 安装在主管内侧以发光的光源单元; 光学透镜单元，安装和分离光源单元，以将从光源单元发射的光转换成平行光线; 以及将由光学透镜单元转换的平行光线反射到不同路径的反射单元。 因此，本发明将从光源单元发射的任意发光波长的光的平行光线对准以反射平行光线，以便有效和稳定地瞄准目标。
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公开(公告)号：KR1020150141002A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140069361
申请日：2014-06-09
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는플렉서블 LED 및그 제조방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은제 1 도전성반도체층과, 활성층과, 제 2 도전성반도체층과, 반사부가적층되고, 상기제 1 도전성반도체층에제 1 전극이설치되며, 상기반사부에제 2 전극이설치되고, 상기반사부에열을방출하는방열부가설치되며, 상기방열부에잘 구부러지는유연성을갖는플렉서블기판을설치한것을특징으로한다. 따라서본 발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는장점이있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种灵活的LED，其具有容易弯曲LED器件的灵活性及其制造方法。 为此，堆叠第一导电半导体层，有源层，第二导电半导体层和反射部分; 第一电极安装在第一导电半导体层上; 第二电极安装在反射部分上; 并且在反射部上安装有散热部，以将热量辐射到反射部。 具有柔性的柔性基板安装在散热部上。 因此，本发明具有容易弯曲LED器件的灵活性。
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公开(公告)号：KR101568133B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020140067034
申请日：2014-06-02
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L21/318 , H01L21/20
Abstract: 복수의 GaN 조각을준비하는단계; 제조하고자하는대면적질화물기판의크기에상응하여복수의 GaN 조각을로더상에서로이격시켜배치하는단계; 상기서로이격된복수의 GaN 조각의측면에 GaN을성장시켜상기복수의 GaN 조각사이에 GaN 머지영역을형성하는단계; 상기 GaN 조각및 상기 GaN 머지영역을덮도록상부 GaN층을형성하는단계; 및상기복수의 GaN 조각, GaN 머지영역, 상기상부 GaN층으로이루어진대면적질화물기판을상기로더로부터분리하는단계를포함하는조각 GaN을이용한대면적질화물기판의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 提供一种使用GaN片段制造具有大面积的氮化物衬底的方法，其包括以下步骤：制备多个GaN片段; 对应于具有大面积的氮化物衬底的尺寸，在装载器上分开布置GaN片段; 通过在彼此分离的GaN片段的侧面上生长GaN来在GaN片段之间形成GaN合并区域; 形成顶部GaN层以覆盖GaN合并区域和GaN片段; 并且从装载器中分离具有由GaN片段，GaN合并区域和顶部GaN层组成的大面积的氮化物衬底。
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公开(公告)号：KR1020150097307A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018658
申请日：2014-02-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01B13/0026
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 상기 기판상에 탄소 나노 튜브 도전층을 형성하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법에 관한 것으로서, 복수 개의 탄소 나노 튜브를 구비하는 분산액을 제조하는 단계, 상기 분산액에 대하여 원심 분리 공정을 진행하는 단계, 상기 원심 분리 공정을 거친 분산액을 기판에 대하여 성막하는 단계, 상기 성막 단계를 진행하여 형성된 막의 표면에 대하여 활성화 공정을 진행하는 단계, 적어도 금속 원소를 포함하는 도금액을 준비하는 단계, 상기 활성화를 진행한 기판을 상기 도금액에 넣어 도금 공정을 진행하는 단계 및 상기 기판에 대하여 열처리를 구비하는 후처리 공정을 진행하는 단계를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법을 개시한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种制造碳纳米管导电层以在基板上形成碳纳米管导电层的方法。 该方法包括：制造具有碳纳米管的分散液的工序; 对分散液体进行离心过滤处理的步骤; 在基板上形成通过离心过滤处理的分散液体层的工序; 在通过进行层形成步骤形成的层的表面上进行活化处理的步骤; 制备至少包含金属元素的电镀溶液的步骤; 将通过激活处理的基板浸渍在电镀液中的电镀工序的工序; 以及对基板进行热处理的后处理工序的工序。
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公开(公告)号：KR101402440B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120134782
申请日：2012-11-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: Provided is a manufacturing method of a vertical light emitting diode which includes the steps of: forming a buffer layer on a growth substrate; forming a light-emitting structure including an active layer on the buffer layer; attaching a flexible support substrate on the light-emitting structure; and separating the light-emitting structure from the growth substrate by selectively removing the buffer layer using an etching solution.
Abstract translation: 提供了一种垂直发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：在生长衬底上形成缓冲层; 在缓冲层上形成包括活性层的发光结构; 将柔性支撑基板附接到发光结构上; 并且通过使用蚀刻溶液选择性地除去缓冲层，将发光结构与生长衬底分离。
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