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公开(公告)号:KR100211949B1
公开(公告)日:1999-08-02
申请号:KR1019960061023
申请日:1996-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02J7/04
Abstract: 본 발명은 충전식 배터리 팩 내부에 충전상태를 감지하는 회로가 있고 표면에 충전상태를 표시하는 계수형 디스플레이 소자가 부착된 충전식 배터리 팩에 관한 것이다. 그 목적은 충전기를 이용하여 충전할 때는 충전전압을 나타내고, 충전식 배터리 팩의 유휴 상태에서는 자체전원을 이용하여 독자적으로 충전이 얼마나 되어 있는지를 용이하게 식별할 수 있도록 하는 배터리 팩을 제공함에 있다. 그 구성은 충전식 배터리 팩 내에 설치되어 충전상태를 나타내는 표시수단 및 충전식 배터리들로부터 전원을 공급받아 표시수단을 제어하는 제어수단으로 되어 있다.
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公开(公告)号:KR1019990050431A
公开(公告)日:1999-07-05
申请号:KR1019970069550
申请日:1997-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K23/00
Abstract: 본 발명은 출력파형의 듀티 비가 1:1인 5분주회로로서, 듀티 비가 1:1인 클럭이 인가 되었을 때 '1' 상태와 '0' 상태가 같은 길이를 갖는, 즉 듀티 비가 1:1인 출력파형을 만들어내는 5 분주 회로에 관한 것이다. 일반적인 경우 플립플롭 3개와 일반 게이트들을 사용하여 5 분주 회로를 만드는데, 이 경우 출력파형의 듀티 비가 2:3, 3:2 등으로 나타난다. 따라서, 본 발명은 듀티비가 2:3인 출력파형을 만드는 5분주회로에 플립플롭과 인버터, 오아 게이트를 하나씩 첨가하여, 도 1과 같이 구성하면 출력파형의 듀티 비가 1:1인 5분주회로가 만들어진다. 종래에는 출력파형의 듀티 비가 1:1인 5분주회로를 만들기 위해서 주파수가 2배인 클럭을 사용하여 5분주 한 뒤 결과파형을 다시 플립플롭을 이용하여 2분주하는 방법을 사용하였으나 본 발명에서는 클럭의 주파수를 2배로 높이지 않아도 출력파형의 듀티 비가 1:1이 된다.
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公开(公告)号:KR1019990050430A
公开(公告)日:1999-07-05
申请号:KR1019970069549
申请日:1997-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 휴대용 전화기의 안테나를 몸체에 완전 삽입하거나, 사용시에 한쪽 손의 엄지손가락을 누름으로써 내장된 스프링의 힘을 원동력으로 안데나가 뽑아지도록 하여 사용이 편리하도록 한 누름 스윗치에 의한 휴대 전화기용 자동 안테나에 관한 것이다.
기존의 휴대 전화기용 안테나는 전화기의 크기보다 손가락 한마디쯤 돌출 되어 있어서 전화기의 외형을 줄이는데 제한이 되었다.
본 발명은 휴대 전화기의 일측에 설치되어 신장, 수축되는 안테나로서, 관형상의 전도성 재질로 구성되며, 일측에는 2 단안테나부(210)의 인출 및 압축고정됨을 제어하도록 하는 걸림쇠뭉치(230)를 구비한 1단 안테나부(220)와; 상기 1단 안테나부(220)의 관내에 삽입설치되며, 전도성 재질로서 슬라이드 압축과 신장을 원활히 할 수 있도록 다수개의 가이드링(212)(214)을 구비하고, 중간 부분에는 안테나의 꼭지(211)를 눌렀을 때 상기 1단안테나부(210)에 구비되어 작동되는 걸림쇠 뭉치(230)에 걸리는 오목한 형태의 걸림부(213)를 구비한 2단 안테나부(210)와; 상기 1단 안테나부(220)의 내부에 삽입설치되며, 2단 안테나부(210)가 인출될 수 있도록 하는 탄성력을 주도록 하는 신장스프링(215)으로 구성되며, 상기 1단 안테나부(220)의 내측에 결합 설치되는 걸림쇠뭉치(230)는 누름 스윗치와 미끄럼식 걸림변(Slide type locking vane)에 의해 작동되는 것으로써, 사용시에 안테나를 엄지손가락 한 개만 사용해서 누름 스윗치를 누르는 것으로 인하여 내장된 스프링의 힘을 원동력으로 안테나가 뽑아지도록 함으로써, 안데나의 조작을 단순화시키며, 통상적으로 엄지와 검지 손가락으로 잡아 뽑아야하는 안테나의 꼭지부분도 몸체에 완전 삽입할 수 있게 함으로써, 전화기의 외형도 줄일 수 있도록 한 누름 스윗치에 의한 휴대 전화기용 자동 안테나에 관한 것임.-
公开(公告)号:KR100204033B1
公开(公告)日:1999-06-15
申请号:KR1019960054589
申请日:1996-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/06
Abstract: 본 발명은 실리콘 반도체를 이용한 100V급 이상의 MOS(Metal Oxide Semiconductor)형의 고압 소자인 SOI(Silicon On Insulator) 구조의 LDMOS(Lateral Double diffused MOS)를 제조하는데 있어서 소자의 전류 구동력을 개선하기 위한 것이다. 고압 소자에서는 드레인에 인가된 고전압을 주위의 낮은 배경전압에 대하여 전압항복없이 지탱시키는 방법으로서 종래는 SOI의 기판과 트렌치(trench) 구조와 같은 수직 절연막의 벽을 이용하였다. 그러나 이 수직 절연막은 소자 외부에 대해서는 절연이 가능하지만 소자 내부의 채널영역의 보호는 불가능하여 SOI상의 활성층의 두께를 얇게 할 수밖에 없었고, 이렇게 할 경우에는 소자의 전류 구동 능력이 현저하게 감소하였다. 본 발명에서는 SOI 활성층의 두께를 유지하면서도 소자의 내부의 채널영역의 보호를 위하여, 기존의 수평 게이트외에 다시 트렌치형의 수직 게이트를 추가로 형성시켜 다리(bridge)형의 게이트를 만들어 줌으로써 소자 내부의 표류영역과 소오스간의 전류단락(punch through)과, 표류영역과 채널영역간의 접합(junction) 전압항복을 방지할 수 있어 고압에서도 낮은 동작저항(R
on )과 높은 전류 구동력을 갖는 SOI형 LDMOS를 제작할 수가 있다.-
公开(公告)号:KR100194644B1
公开(公告)日:1999-06-15
申请号:KR1019960054405
申请日:1996-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02J7/04
Abstract: 본 발명은 무선 전화기나 캠코더 등의 전원으로 사용되는 충전식 배터리나 배터리팩 중에서 재충전이 안되는 충전식 배터리나 배터리팩도 충전할 수 있는 충전장치에 관한 것이다. 그 목적은 5~10배에 해당하는 고전압과 약간의 부가회로를 추가함으로써 과충전에 의해 열화되었거나 장시간 미사용으로 인하여 완전히 자연방전된 충전식 배터리에 대해서도 충전할 수 있는 충전장치를 구현하는 데에 있다. 그 구성은 전원 발생수단과 전원 구동수단과 잔류전압 검출수단 및 충전방식 선택수단으로 되어 있다. 전원 발생수단은 성능저하되었거나 자연방전된 비정상 배터리의 초기충전을 위한 제1충전전압과 정상 배터리의 쾌속충전과 표준충전을 위한 제2충전전압 두 종류의 충전전압을 발생시킨다. 전원 구동수단은 제어신호에 따라 전원 발생수단으로부터 제1충전전압과 제2충전전압 중 하나를 충전식 배터리에 공급한다. 잔류전압 검출수단은 충전식 배터리의 잔류전압을 검출하여 초기충전의 필요여부의 판단을 위한 잔류전압 신호를 출력한다. 충전방식 선택수단은 잔류전압 신호에 따라 초기충전의 필요여부를 판단하여 충전방식을 선택하고 전원 구동수단에 제어신호를 공급한다.
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公开(公告)号:KR1019990016059A
公开(公告)日:1999-03-05
申请号:KR1019970038481
申请日:1997-08-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/00
Abstract: 본 발명은 통상의 저 전력 CMOS소자로 제작된 직접 디지털 주파수 합성기 디바이스의 단점인 낮은 출력 주파수를 개선하여 고속 동작의 높은 출력 주파수를 얻을 수 있도록 하므로써, 높은 주파수의 합성이 가능하고, 주파수 해상도 및 위상과 주파수의 안정도를 향상시킬 수 있으며, 주파수합성기의 디바이스 칩 크기를 줄여서, 오늘날 이동통신 기기의 주파수 합성장치에 적합한 코-딕회로를 이용한 직접 디지털 주파수 합성기에 관해 개시된다.
종래의 CMOS 소자기술로 제작된 직접 디지털 주파수합성기의 합성된 주파수는 최대 동작 클럭 주파수의 1/4에 해당하는 낮은 주파수 출력과 사인 룩업 테이블인 사인롬(Sine ROM) 크기의 제약으로 인한 낮은 주파수 해상도와 정밀도 때문에 직접 디지털 주파수 합성기 단독으로는 50MHz이상의 고해상도의 고주파 합성기로서는 부적당하였다.
종래 기술의 단점인 저해상도의 저주파수 출력을 개량하기 위하여, 종래 구조의 직접 디지털 주파수 합성기의 구조와 연결 방법을 달리하여 최종 출력이 직접 디지털 주파수 합성기 한 개의 출력 주파수보다도 4배 혹은 그 이상의 합성된 출력 주파수와 고해상도의 출력을 얻을 수 있도록 구성하였으며, 통상의 저 전력 CMOS 소자기술로 제작할 경우 소형화와 저 전력화가 가능하도록 개선하였다.-
公开(公告)号:KR100155511B1
公开(公告)日:1998-11-16
申请号:KR1019950053689
申请日:1995-12-21
IPC: H04L7/00
Abstract: 본 발명은 동기식 다중화 구조의 하위 계층에서 포인터 생성회로에 관한 것으로서, 종래의 포인터 생성회로에 업/다운 카운터를 이용한 포인터 값 생성수단과, 3개의 프레임을 래치하여 포인터를 비교하는 3프레임 래치 및 포인터 비교수단을 부가하여 업 카운터와 다운 카운터의 병렬 연결로 데이타의 유효성을 향상시킬 수 있고, 연속적인 오류에 대해서 잘못된 포인터 값을 생성하는 문제점을 3개의 프레임과 다운 카운터 방법으로 비교하여 포인터를 생성하므로서 포인터 값의 신뢰성을 개선한 것이다.
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公开(公告)号:KR1019980035947A
公开(公告)日:1998-08-05
申请号:KR1019960054405
申请日:1996-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02J7/04
Abstract: 본 발명은 무선전화기나 캠코더 등의 전원으로 사용되는 충전식 배터리나 배터리팩 중에서 재충전이 안되는 충전식 배터리나 배터리팩도 충전할 수 있는 충전장치에 관한 것이다. 그 목적은 5∼10배에 해당하는 고전압과 약간의 부가회로를 추가함으로써 과충전에 의해 열화되었으나 장시간 미사용으로 인하여 완전히 자연방전된 충전식 배터리에 대해서도 충전할 수 있는 충전장치를 구현하는 데에 있다. 그 구성은 전원 발생수단과 전원 구동수단과 잔류전압 검출수단 및 충전방식 선택수단으로 되어 있다. 전원 발생수단은 성능저하되었거나 자연방전된 비정상 배터리의 초기충전을 위한 제 1 충전전압과 정상 배터리의 쾌속충전과 표준충전을 위한 제 2 충전전압 두 종류의 충전전압을 발생시킨다. 전원 구동수단은 제어신호에 따라 전원 발생수단으로부터 제 1 충전전압과 제 2 충전전압 중 하나를 충전식 배터리에 공급한다. 잔류전압 검출수단은 충전식 배터리의 잔류잔압을 검출하여 초기충전의 필요여부의 판단을 위한 잔류전압 신호를 출력한다. 충전방식 선택수단은 잔류전압 신호에 따라 초기충전의 필요여부를 판단하여 충전방식을 선택하고 전원 구동수단에 제어신호를 공급한다.
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公开(公告)号:KR100141285B1
公开(公告)日:1998-07-15
申请号:KR1019950053659
申请日:1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/16
Abstract: 종래의 CMOS 소자기술로 제작된 직접 디지털 주파수 합성기(DDS)의 합성된 주파수는 최대 동작 클럭 주파수의 1/4에 해당하는 낮은 출력 주파수 때문에 DDS 단독으로는 50 MHz 이상의 고주파 합성기로서는 부적당하였다.
종래 기술의 단점인 저주파수 출력을 개선하기 위하여, 병렬 연결된 파이프라인 구조의 위상누산기, 및 잡음성형기를 포함하는 것을 특징으로 하여, 최종 출력이 DDS 한 개의 출력 주파수보다도 4배 혹은 그 이상의 합성된 출력 주파수를 얻을 수 있도록 구성하였고, 종래의 저전력 CMOS 소자 기술로 제작할 경우 소형화와 저전력화가 가능하다.-
公开(公告)号:KR1019980016379A
公开(公告)日:1998-05-25
申请号:KR1019960035938
申请日:1996-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/18
Abstract: 본 발명은 저 전력 CMOS 소자로 제작된 직접 디지탈 주파수 합성기(Direct Digital Frequency Synthesizer) 디바이스의 단점인 낮은 출력 주파수를 개선하여 고속 동작의 높은 출력 주파수를 얻을 수 있도록 한 고성능의 주파수(RF) 디지탈 주파수 합성기에 관한 것이다.
즉, 종래의 직접 디지탈 주파수 합성기의 구조를 개선하여 기존의 직접 디지탈 주파수 합성기 보다 4배 이상의 높은 합성 주파수를 얻을 수 있고, 주파수 변환속도가 수 μsec 이내로 빠른 ㎓급 주파수 합성기로 사용할 수 있는 고주파(RF) 디지탈 주파수 합성기에 관한 것이다.
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