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公开(公告)号：KR1020100007684A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020080125427
申请日：2008-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
IPC: G06T9/00 , H04N19/124
CPC classification number: H04N19/94 , H04N19/865
Abstract: PURPOSE: A method for quantizing and inversely quantizing 3D mesh data is provided to change a quantization part of AFX(Animation Framework eXtension) of MPEG-4(Moving Picture Expert Group-4), thereby providing an improved result and entirely reducing quantization error by 40%. CONSTITUTION: Quantization ranges are differently set per x, y and z axes of a vector value of 3D mesh data. Quantization is performed using maximum values and minimum values of vector values per the set x, y, and z axes. Inverse quantization ranges are differently set per x, y and z axes of the vector value of the 3D mesh data. Inverse quantization is performed using maximum values and minimum values of vector values per the set x, y, and z axes.
Abstract translation: 目的：提供一种用于量化和反量化3D网格数据的方法，以改变MPEG-4（运动图像专家组-4）的AFX（动画框架扩展）的量化部分，从而提供改进的结果，并完全降低量化误差 40％。 构成：对于3D网格数据的向量值的x，y和z轴，量化范围是不同的。 使用集合x，y和z轴的向量值的最大值和最小值来执行量化。 针对3D网格数据的矢量值的x，y和z轴，反量化范围是不同的。 使用集合x，y和z轴的向量值的最大值和最小值来执行逆量化。
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公开(公告)号：KR100934228B1
公开(公告)日：2009-12-29
申请号：KR1020080021064
申请日：2008-03-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A vacuum channel transistor and a manufacturing method thereof are provided to secure operation stability by forming a cathode layer with a work function. In a vacuum channel transistor and a manufacturing method thereof, a vacuum channel transistor comprises an upper structure and a lower structure. In the upper structure, the anode layer(202) is formed on the lower surface of an upper plate(200). In the lower structure, a cathode layer(108) and a gate layer(112) are separated the top side of the lower substrate. A hollow is formed between the lower substrate and the cathode layer, and a cathode layer is formed with a work function material.
Abstract translation: 提供真空沟道晶体管及其制造方法以通过形成具有功函数的阴极层来确保操作稳定性。 在真空沟道晶体管及其制造方法中，真空沟道晶体管包括上部结构和下部结构。 在上部结构中，阳极层（202）形成在上板（200）的下表面上。 在下部结构中，阴极层（108）和栅极层（112）在下基板的上侧分开。 在下基板和阴极层之间形成中空部，阴极层由功函数材料形成。
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公开(公告)号：KR100927602B1
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：KR1020070126876
申请日：2007-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 소형화가 가능하며, 높은 전류 이득 특성을 가지는 스위칭 트랜지스터 소자 및 박막형 저항소자로 구성된 메모리 셀 및 그 메모리 셀의 제조방법을 제공한다. 또한, 열적으로 안정되고 고속 동작이 가능하며, 주변 회로 CMOS 공정과 쉽게 연계할 수 있는 메모리 셀 그 메모리 셀의 제조방법을 제공한다. 그 메모리 셀은 기판; 상기 기판 상에 형성된 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 물질을 기반으로 하는 3 단자 스위칭 소자; 및 상기 기판 상으로 형성되고 상기 스위칭 소자의 어느 한 단자에 전기적으로 연결된 MIT 물질을 기반으로 하는 저항 소자;를 포함한다.
MIT 트랜지스터, MIT 채널층, 모트(Mott) 전계효과 트랜지스터, 저항형 메모리 셀, 박막형 저항Abstract translation: 提供基于金属 - 绝缘体转变材料的存储单元及其制造方法，以通过使用底部栅极模式的开关器件来防止通过后续工艺形成的VO2薄膜的性质变化。 氧化硅膜（115）形成在衬底（110）上。 栅电极（120）形成在氧化硅膜上。 栅绝缘膜（130）形成在氧化硅膜和栅电极上。 源电极（140）和漏电极（150）形成在栅极绝缘膜上。 在源电极和漏电极之间的栅极绝缘膜上形成用于开关的MIT（金属绝缘体转变）薄膜（160）。 在漏电极上形成用于电阻的MIT薄膜（170）。 在MIT薄膜上形成顶电极（180）用于电阻。 顶部绝缘膜（190）覆盖用于开关的源电极，漏电极和MIT薄膜。
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公开(公告)号：KR1020090110777A
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：KR1020080125521
申请日：2008-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
Inventor： 이승욱 , 구본기 , 김진서 , 이지형 , 김호원 , 추창우 , 황본우 , 박정철 , 박지영 , 임성재 , 박일규 , 최윤석 , 김갑기 , 이영직 , 장의선 , 김대용 , 김병준 , 전재범 , 손경수 , 손기석
IPC: G06T17/00
CPC classification number: G06T9/001 , H04N19/124
Abstract: PURPOSE: A three dimensional mesh compressing device based on a quantization technique and a method thereof are provided to supply a recording medium of a program capable of performing the program in a computer and improve compression speed. CONSTITUTION: A three dimensional mesh compressing device based on a quantization technique includes as follows. A data analysis unit(510) separates geometry information(511), attribute information(512), and connection information(513). A mesh model quantization unit generates separates geometry information, attribute information, and connection information. A crystal bit encoding unit encodes separates geometry information, attribute information, and connection information.
Abstract translation: 目的：提供一种基于量化技术的三维网格压缩装置及其方法，以提供能够在计算机中执行该程序的程序的记录介质并提高压缩速度。 构成：基于量化技术的三维网格压缩装置包括如下。 数据分析单元（510）分离几何信息（511），属性信息（512）和连接信息（513）。 网格模型量化单元生成分离几何信息，属性信息和连接信息。 晶体位编码单元对几何信息，属性信息和连接信息进行编码。
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公开(公告)号：KR100747489B1
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：KR1020060031078
申请日：2006-04-05
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: G06T17/20
Abstract: 본 발명은 3차원 메쉬 정보의 부호화 및 복호화에 관한 것으로서, 구체적으로는, 3차원 메쉬 모델(원본 모델)에 대한 3차원 메쉬 정보의 부호화 과정에서 정점 및 면과 같은 원본 모델의 요소 순서가 변경되는 점을 고려하여 이들 요소 순서 정보를 별도로 부호화/복호화하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 3차원 메쉬 정보 부호화 방법은, 3차원 메쉬 정보를 부호화하여 부호화된 비트스트림(encoded bitstream)을 출력하는 단계와, 상기 3차원 메쉬 정보에 포함되는 적어도 하나 이상의 요소 각각에 대한 원본 모델내의 순서 정보를 계산하는 단계와, 상기 요소 순서 정보를 부호화하는 단계와, 상기 비트스트림에 대한 패킷을 생성하되 상기 부호화된 요소 순서 정보를 상기 패킷내에 삽입하는 단계를 포함한다.
3차원 메쉬 정보, 부호화, 복호화, 요소 순서 정보-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100687726B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020050049196
申请日：2005-06-09
Applicant: 한국전자통신연구원 , 선문대학교 산학협력단
IPC: H01J37/147
Abstract: 본 발명은 배선 수를 감축시킬 수 있는 마이크로 컬럼 전자빔 장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 마이크로 컬럼 전자빔 장치는, LTCC(low temperature Co-fired Ceramic) 기판을 포함한다. 상기 LTCC 기판의 상면 소정 부분에 수 개의 편향기 전극이 형성되어 있으며, 상기 LTCC 기판의 상면 가장자리에 상기 편향기 전극에 외부 신호를 전달하는 패드 전극이 형성된다. 상기 LTCC 기판 내에는 상기 편향기 전극 및 패드 전극을 전기적으로 연결하는 연결수단이 형성된다.
LTCC(low temperature Co-fired Ceramic), 편향기(deflector), 전자빔 리소그라피, RC 지연-
公开(公告)号：KR100687718B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020040107225
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J37/147
Abstract: 본 발명은, 히트파이프를 채용한 전자빔 장치에 관한 것으로서, 전자를 방출하는 에미션 팁(emission tip)부; 상기 에미션 팁부을 내장하는 하우징; 상기 하우징이 실장되는 외부케이스; 상기 외부케이스의 내부와 외부에 걸쳐 위치하여, 상기 외부케이스의 내부의 열을 외부로 전달하는 열전달부; 상기 하우징에 열적으로 결합되어 있는 흡열부와, 상기 열전달부의 부분 중에 상기 외부케이스의 내부에 위치한 부분에 열적으로 결합된 발열부를 구비하는 히트파이프;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 히트파이프를 채용한 전자빔 장치에 의하면, 간단한 구성으로도 고온의 부품을 효율적으로 냉각하는 것이 가능하여, 전체 장치의 수명과 신뢰성을 확보할 수 있다는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020060108499A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1020060031078
申请日：2006-04-05
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: G06T17/20
Abstract: 본 발명은 3차원 메쉬 정보의 부호화 및 복호화에 관한 것으로서, 구체적으로는, 3차원 메쉬 모델(원본 모델)에 대한 3차원 메쉬 정보의 부호화 과정에서 정점 및 면과 같은 원본 모델의 요소 순서가 변경되는 점을 고려하여 이들 요소 순서 정보를 별도로 부호화/복호화하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 3차원 메쉬 정보 부호화 방법은, 3차원 메쉬 정보를 부호화하여 부호화된 비트스트림(encoded bitstream)을 출력하는 단계와, 상기 3차원 메쉬 정보에 포함되는 적어도 하나 이상의 요소 각각에 대한 원본 모델내의 순서 정보를 계산하는 단계와, 상기 요소 순서 정보를 부호화하는 단계와, 상기 비트스트림에 대한 패킷을 생성하되 상기 부호화된 요소 순서 정보를 상기 패킷내에 삽입하는 단계를 포함한다.
3차원 메쉬 정보, 부호화, 복호화, 요소 순서 정보-
公开(公告)号：KR1020060083111A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050102222
申请日：2005-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: G06T9/001 , H04N19/124 , H04N19/136 , H04N19/172
Abstract: 본 발명은 3차원 메쉬 정보의 텍스처 좌표 부호화/복호화에 관한 것으로, 구체적으로는 효과적인 텍스처 매핑(texture mapping)을 위해 3차원 메쉬 정보내의 텍스처 좌표의 무손실 복원이 가능한 부호화/복호화에 관한 것이다. 본 발명에 따른 3차원 메쉬 정보내의 텍스처 좌표를 부호화하는 방법은, 상기 텍스처 좌표의 양자화를 위한 적응적 양자화 스텝 크기를 설정하는 단계와, 상기 적응적 양자화 스텝 크기를 이용하여 상기 텍스처 좌표를 양자화하는 단계와, 상기 양자화된 텍스처 좌표를 부호화하는 단계를 포함한다. 본 발명에서 상기 적응적 양자화 스텝 크기는 상기 텍스처 이미지 크기의 역수값으로 설정되거나, 상기 텍스처 좌표를 이용하여 설정되는 것을 특징으로 한다.
삼차원 메쉬 정보, 텍스처 좌표, 적응적 양자화 스텝 크기, 부호화/복호화-
公开(公告)号：KR1020060068512A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107225
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J37/147
Abstract: 본 발명은, 히트파이프를 채용한 전자빔 장치에 관한 것으로서, 전자를 방출하는 에미션 팁(emission tip)부; 상기 에미션 팁부을 내장하는 하우징; 상기 하우징이 실장되는 외부케이스; 상기 외부케이스의 내부와 외부에 걸쳐 위치하여, 상기 외부케이스의 내부의 열을 외부로 전달하는 열전달부; 상기 하우징에 열적으로 결합되어 있는 흡열부와, 상기 열전달부의 부분 중에 상기 외부케이스의 내부에 위치한 부분에 열적으로 결합된 발열부를 구비하는 히트파이프;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 히트파이프를 채용한 전자빔 장치에 의하면, 간단한 구성으로도 고온의 부품을 효율적으로 냉각하는 것이 가능하여, 전체 장치의 수명과 신뢰성을 확보할 수 있다는 효과가 있다.
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