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公开(公告)号：KR1020060070396A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020050049196
申请日：2005-06-09
Applicant: 한국전자통신연구원 , 선문대학교 산학협력단
IPC: H01J37/147
Abstract: 본 발명은 배선 수를 감축시킬 수 있는 마이크로 컬럼 전자빔 장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 마이크로 컬럼 전자빔 장치는, LTCC(low temperature Co-fired Ceramic) 기판을 포함한다. 상기 LTCC 기판의 상면 소정 부분에 수 개의 편향기 전극이 형성되어 있으며, 상기 LTCC 기판의 상면 가장자리에 상기 편향기 전극에 외부 신호를 전달하는 패드 전극이 형성된다. 상기 LTCC 기판 내에는 상기 편향기 전극 및 패드 전극을 전기적으로 연결하는 연결수단이 형성된다.
LTCC(low temperature Co-fired Ceramic), 편향기(deflector), 전자빔 리소그라피, RC 지연-
公开(公告)号：KR100670945B1
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050051981
申请日：2005-06-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 선문대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02
Abstract: LTCC 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼 어레이에 대해 개시한다. 그 마이크로칼럼 어레이는 배선이 형성된 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic) 기판과 상기 LTCC 기판의 적어도 일측에 접합되며, 전자빔을 편향시키는 복수개의 편향소자가 배열된 상기 웨이퍼 크기의 편향기 어레이를 포함한다. LTCC 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼 어레이에 의하면 시간당 반도체 웨이퍼 처리량을 획기적으로 증가시킬 수 있고, 제조공정을 간단하게 하고 소요되는 경비를 크게 낮출 수 있다.
웨이퍼 규모, LTCC 기판, 편향소자, 동일한 방위각-
公开(公告)号：KR100687726B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020050049196
申请日：2005-06-09
Applicant: 한국전자통신연구원 , 선문대학교 산학협력단
IPC: H01J37/147
Abstract: 본 발명은 배선 수를 감축시킬 수 있는 마이크로 컬럼 전자빔 장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 마이크로 컬럼 전자빔 장치는, LTCC(low temperature Co-fired Ceramic) 기판을 포함한다. 상기 LTCC 기판의 상면 소정 부분에 수 개의 편향기 전극이 형성되어 있으며, 상기 LTCC 기판의 상면 가장자리에 상기 편향기 전극에 외부 신호를 전달하는 패드 전극이 형성된다. 상기 LTCC 기판 내에는 상기 편향기 전극 및 패드 전극을 전기적으로 연결하는 연결수단이 형성된다.
LTCC(low temperature Co-fired Ceramic), 편향기(deflector), 전자빔 리소그라피, RC 지연-
公开(公告)号：KR1020060070398A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020050051981
申请日：2005-06-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 선문대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02
Abstract: LTCC 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼 어레이에 대해 개시한다. 그 마이크로칼럼 어레이는 배선이 형성된 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic) 기판과 상기 LTCC 기판의 적어도 일측에 접합되며, 전자빔을 편향시키는 복수개의 편향소자가 배열된 상기 웨이퍼 크기의 편향기 어레이를 포함한다. LTCC 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼 어레이에 의하면 시간당 반도체 웨이퍼 처리량을 획기적으로 증가시킬 수 있고, 제조공정을 간단하게 하고 소요되는 경비를 크게 낮출 수 있다.
웨이퍼 규모, LTCC 기판, 편향소자, 동일한 방위각-
公开(公告)号：KR100913132B1
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：KR1020070132746
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/13357 , H01J1/30 , B82Y30/00
CPC classification number: G02F1/133602 , G02F2001/133601 , G02F2001/133625 , H01J63/02
Abstract: 본 발명은 전계 방출 장치에 관한 것으로, 특히 외부 전극과의 배선을 간편하게 할 수 있는 로컬 디밍이 가능한 전계 방출형 백라이트 유닛을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 전계 방출형 백라이트 유닛의 캐소드 구조물은, 캐소드 기판 상에 간격을 두고 형성되는 다수 개의 데이터 전극; 상기 데이터 전극 상에 형성되며 소정 개수마다의 상기 데이터 전극을 노출시키는 노출 영역을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며 상기 노출 영역을 통하여 상기 데이터 전극과 전기적으로 연결되는 캐소드 전극; 및 상기 캐소드 전극 상에 형성되는 적어도 하나의 전계 에미터를 포함하되, 전기적으로 서로 분리된 상기 캐소드 전극을 기준으로 각각의 캐소드 블록이 정의되고 상기 데이터 전극을 통하여 입력되는 전류에 의하여 각각의 상기 캐소드 블록의 휘도 조절이 가능하다.
전계 방출, 백라이트, 로컬 디밍-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100911370B1
公开(公告)日：2009-08-10
申请号：KR1020060084912
申请日：2006-09-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J9/025 , B22F2999/00 , C22C2026/002 , H01J1/304 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , B22F1/0022 , B22F1/0018 , B22F1/0074
Abstract: 본 발명은 나노 크기의 금속입자를 첨가한 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display : 이하 FED)용 고 신뢰성 CNT 페이스트 제조 방법 및 상기 방법으로 제조된 CNT 에미터 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 CNT 페이스트 제조 방법은 (ⅰ) 탄소 나노 튜브(CNT) 파우더를 용매에 분산시키는 단계, (ⅱ) 상기 CNT 파우더가 혼합된 분산용액에 유기 바인더를 첨가하는 단계 및 (ⅲ) 상기 유기 바인더가 첨가된 분산용액의 점도를 조절하기 위해 밀링 공정을 수행하는 단계를 포함하며, 상기 (ⅰ)단계 또는 상기 (ⅲ)단계에 나노 크기의 금속 입자를 첨가하되, 상기 금속 입자가 파우더 형태인 경우, 상기 금속 입자를 상기 (ⅰ) 단계에서 첨가하고, 상기 금속 입자가 페이스트 형태인 경우 상기 금속 입자를 상기 (ⅲ) 단계에서 첨가하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, CNT 페이스트의 금속성 충전제를 나노 크기의 금속입자로 첨가함으로써, CNT의 열화가 나타나지 않는 낮은 온도에서 금속을 용융시킬 수 있으며, 이에 의해, CNT 페이스트와 음전극과의 접착성을 향상시킬 수 있으며, 음전극과 CNT 또는 CNT와 CNT 간의 저항을 낮출 수 있다. 더욱이, 상기 방법으로 제작된 CNT페이스트를 CNT 에미터 제조에 이용함으로써, CNT 에미터의 전자방출을 균일하게 얻을 수 있으며, 전자방출 사이트가 증가할 수 있어, CNT 에미터의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.
CNT 페이스트, CNT 에미터, 탄소 나노 튜브(CNT), 나노 크기의 금속 입자-
公开(公告)号：KR100868531B1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：KR1020070132755
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J17/49 , H01J2329/0455
Abstract: A field emission device is provided to perform the minute local dimming according to a plurality of cathode blocks without the limit of number of the cathode blocks. A field emission device comprises the anode electrode and the fluorescent substance formed on the one side of the anode substrate(100); the cathode electrodes and the field emission emitter formed on the one side of the cathode substrate(200) facing the anode substrate; the field emission device which is possible for the minute local dimming including the gate electrode formed between the cathode substrate and the anode substrate. A plurality of cathode electrodes is blocked according to the sub pixel or the given area and comprises a plurality of cathode blocks. The cathode substrate is formed with multilayer.
Abstract translation: 提供场致发射装置以根据多个阴极块执行微小的局部调光，而不限制阴极块的数量。 场致发射器件包括在阳极衬底（100）的一侧上形成的阳极电极和荧光体; 所述阴极电极和所述场发射发射体形成在所述阴极基板（200）的面向所述阳极基板的一侧上; 该场致发射器件可用于包括在阴极衬底和阳极衬底之间形成的栅电极的微小局部调光。 多个阴极电极根据子像素或给定区域被阻挡，并且包括多个阴极块。 阴极基板由多层形成。
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公开(公告)号：KR100801965B1
公开(公告)日：2008-02-12
申请号：KR1020060097752
申请日：2006-10-09
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G09G3/22 , G09G2300/08 , G09G2310/0208 , G09G2310/06 , H01J29/395 , H01J2329/0494
Abstract: An active-matrix field emission display is provided to make the pixels of a sub-scan set, which is not enabled, into a complete dark state by driving a gate voltage of a field emitter according to the supplement of pulses as much as the number of sub-scan sets. An active-matrix field emission display includes plural pixels, plural control transistors(210), and plural field emitters(220). The pixels, which are installed on a cathode panel and defined by plural signal lines inputted scan and data signals, include the signal lines of sub-scan sets. The control transistors are installed at the pixels. A cathode or a gate of the field emitters, which include the gate, are connected to drain electrodes of the control transistors. A gate of field emitter included in the same sub-scan set is connected to a common electrode of the field emitter. Pulse voltages having pulses as much as the number of sub-scan sets are supplied through the common electrode of the field emitter.
Abstract translation: 提供有源矩阵场致发射显示器，以通过根据脉冲数量的增加来驱动场发射器的栅极电压，使未被使能的子扫描组的像素成为完全黑暗状态 的子扫描集。 有源矩阵场发射显示器包括多个像素，多个控制晶体管（210）和多个场发射器（220）。 安装在阴极面板上并由输入扫描和数据信号的多个信号线限定的像素包括子扫描组的信号线。 控制晶体管安装在像素处。 包括栅极的场致发射体的阴极或栅极连接到控制晶体管的漏电极。 包括在同一子扫描组中的场致发射极的栅极连接到场发射极的公共电极。 通过场发射器的公共电极提供具有与子扫描组数相同的脉冲的脉冲电压。
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公开(公告)号：KR100801139B1
公开(公告)日：2008-02-05
申请号：KR1020060087463
申请日：2006-09-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J1/304 , G09G3/22 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/319
Abstract: 본 발명은 전류를 기반으로 구동될 수 있으며, 박막 트랜지스터에 의한 누설 전류를 방지할 수 있는 액티브-매트릭스 전계 방출 디스플레이를 제공하고자 한다.
본 발명의 전계 방출 디스플레이는, 형광체의 음극 발광이 발생하는 발광 소자부와, 상기 각 발광 소자부를 구동하기 위한 박막 트랜지스터부를 포함하는 다수개의 단위 픽셀; 상기 각 단위 픽셀에 스캔 신호를 인가하기 위한 전류 소스; 및 상기 각 단위 픽셀에 데이터 신호를 인가하기 위한 전압 소스를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 전류 소스의 온-전류(on-current)는 주어진 쓰기 시간(writing time)내에 스캔 행의 부하 저항(resistance) 및 용량(capacitance)을 감당할 수 있을 만큼 충분히 크며, 상기 전류 소스의 오프-전류(off-current)는 각 픽셀에서 전자 방출이 무시될 수 있을 정도로 낮은 값을 가진다. 또한, 상기 전압 소스(voltage source)에서 인가되는 데이터 신호의 펄스 크기(amplitude) 또는 펄스 폭을 변화시켜 디스플레이의 계조를 표현한다.
FED, 전계 방출 디스플레이, 액티브-매트릭스, 전류 구동, 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020070061295A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060087463
申请日：2006-09-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J1/304 , G09G3/22 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/319
Abstract: An active-matrix field emission pixel and an active-matrix field emission display are provided to improve contrast and uniformity of a display by applying a scan signal as a current source and a data signal as a voltage source. A field emission pixel includes a cathode, an anode, a field emission gate, and a thin film transistor part. The cathode includes a field emitter(320) for emitting electrons. The anode includes a phosphor for absorbing the electrons emitted from the field emitter. The field emission gate is formed between the anode and the cathode in order to generate a field emission potential. The thin film transistor part includes a source connected to a current source according to a scan signal, a gate(311) for receiving a high enable data signal, and a drain connected to the cathode.
Abstract translation: 提供有源矩阵场发射像素和有源矩阵场发射显示器，以通过将扫描信号作为电流源和数据信号作为电压源来提高显示的对比度和均匀性。 场发射像素包括阴极，阳极，场发射门和薄膜晶体管部分。 阴极包括用于发射电子的场致发射体（320）。 阳极包括用于吸收从场致发射体发射的电子的荧光体。 在阳极和阴极之间形成场致发射栅，以产生场发射电位。 薄膜晶体管部分包括根据扫描信号连接到电流源的源极，用于接收高使能数据信号的栅极（311）和连接到阴极的漏极。
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