公开(公告)号：KR100223030B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019960056396

申请日：1996-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  이창석 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H01L27/06

Abstract: 본 발명은 초고주파 집적회로의 배선에서 기판 통전 구멍의 외곽에 또 다른 접지 기판 통전 구멍을 추가하고, 상기 두 통전 구멍 간의 거리를 조절하여 두 통전 구멍 사이에 생기는 커패시턴스의 크기를 변화시켜 기판 통전 구멍의 특성 임피던스를 조절할 수 있는 기판 통전 구멍의 임피던스 정합 방법에 관해 개시된다.

公开(公告)号：KR1019990052551A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970072044

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  황인갑 ,  이재진 ,  편광의 ,  이창석

IPC: H01Q1/08 ,  H01Q1/27

Abstract: 본 발명은 휴대용 전화기에서 전화 통화 시에 자동으로 안테나를 올려주고 통화 종료 시 자동으로 안테나를 내려주는 장치와 이 장치를 사용하지 않을 시 통화 중 휴대 전화기의 수신 신호의 세기에 따라 수신 신호가 일정치 이하로 약해질 경우 안테나를 자동으로 올려주는 장치에 관한 것으로 휴대전화기 사용 시 통화 율을 높이고 안테나로부터 발생되는 전자파가 휴대전화기 안에 있는 안테나로부터 뇌로 직접 방사되는 것을 방지하기위한 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에는 전화를 수신하기 위하여 키 패드의 키를 누르면 동시에 전화기 안테나의 구동 장치를 동작시켜 안테나를 올려주는 회로와 전화 통화가 끝난 후 통화 종료 버튼을 누르면 자동으로 안테나를 내려주는 회로로 구성되며, 또한 전화기에 수신되는 신호에 따라 수신 신호가 약할 때 자동으로 안테나를 올려주고 통화가 끝나면 자동으로 안테나를 내려 주는 회로로 구성된다.

公开(公告)号：KR100204600B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960047659

申请日：1996-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  김충환 ,  이창석 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H01L23/28

CPC classification number: H03H7/38 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 초고주파 모노리식 집적회로의 실장에 사용되는 패키지 접지단 패들의 기생성분을 나타내는 등가회로에 관한 것으로, 각각의 단자로부터 출력되는 임피던스 성분을 하나의 공통 임피던스 성분으로 하고, 이 공통 임피던스를 접지 하도록 한 등가회로 구조를 도입함으로써, 다운 본딩되는 금선의 수에 따라 기생성분의 표현을 쉽게 확장할 수 있는 패키지 접지단 패들의 근사적인 등가회로에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100129843B1

公开(公告)日：1998-10-01

申请号：KR1019940035166

申请日：1994-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황인갑 ,  김민건 ,  김충환 ,  이창석 ,  박형무

IPC: H03F1/26

CPC classification number: H03F3/1935 ,  H03F2200/372

Abstract: 커패시터들(101, 102)가 인덕터(103)로 이루어지는 입력정하부와, 이에 캐스케이드로 연결된 두개의 MESFET들(104, 113)과, 커패시터(117)로 이루어지는 출력정합부를 갖는 저잡음 증폭기에서, 접지를 한개의 노드로 묶고 본딩 와이어(120)를 이용하여 외부로 연결할 경우 저하되는 안정도를 개선하기 위하여 두개의 MESFET들(104, 113) 사이에 커패시터(110)를 병렬로 연결한다.

公开(公告)号：KR100135020B1

公开(公告)日：1998-04-25

申请号：KR1019940033479

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김충환 ,  김민건 ,  황인갑 ,  이창석 ,  박형무

IPC: G08C19/00

Abstract: 본 발명은 소스혼합기 회로에 관한 것으로 특히, GaAs기술을 이용한 제 1 트랜지스터(MESFET)(305)로 이루어진 소스 혼합기본체와, 상기 제 1 트랜지스터(305)와 동일한 특성을 가지며 케스케이드로 연결된 소스 공통의 제 2 트랜지스터(306)로 이루어진 중간주파수 증폭기와, 상기 트랜지스터들과 동일 특성을 가지며 출력단이 소스혼합 기본체의 소스로 입력되는 제 3 트랜지스터(307)와, 상기 제 1∼3 트랜지스터(305∼307)의 직류전압은 자기 바이어스(311, 321, 331)로 되어 있고 게이트(310, 347, 330)는 직류적으로 접지로 접속되며, RF와 중간주파수 증폭단은 드레인 전압부가용 저항(313, 323)을 사용하고, 상기 발진자증폭기의 드레인 전압부가용으로는 인덕터(333)를 사용하는 것을 특징으로 하는 수신단용 UHF 밴드 초고주파 모노리식 소스혼합기 회로를 제공하여 입력주 파수가 UHF 밴드이며 출력중간 주파수가 VHF의 낮은 주파수대역일 때 수신단 혼합기를 소스혼합기 형태로 쓰는 경우에 발진자 버퍼회로 출력단의 정합을 소스혼합기의 소스단에서의 중간주파수에 대하여 쇼트회로로 설계함으로써 모노리식 회로의 면적이 변하지 않고도 이득을 극대화시킬 수 있으므로 적은 발진자 전력으로도 변환이득을 얻을 수 있는 저소비전력형회로를 제공할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100120723B1

公开(公告)日：1997-11-04

申请号：KR1019940033883

申请日：1994-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  김충환 ,  황인갑 ,  이창석 ,  박형무

IPC: H03K19/01

Abstract: a first depletion mode MOSFET(201) having a gate where an input signal is inputted and a drain where an output signal is outputted; a first resistor(202) for drain bias of the first depletion mode MOSFET(201) which is connected between the drain of the first depletion mode MOSFET(201) and a positive voltage(Vdd); a second depletion mode MOSFET(203) having a drain connected to the positive voltage(Vdd), a source connected to the source of the first depletion mode MOSFET(201) and a gate connected to an intermittence control voltage(Vc); a second resistor(204) for gate bias of the second depletion mode MOSFET(203) which is connected between the gate of the second depletion mode MOSFET(203) and a ground; a constant current source(205) connected between the sources of the depletion mode MOSFETs(201, 203) and the ground; a bypass capacitor(206) which is connected in parallel with the constant current source(205) between the constant current source(205) and the ground and flows a RF signal to the ground; and a third resistor(207) for gate bias of the first depletion mode MOSFET(201) which is connected between the first depletion mode MOSFET(201) and the ground.

Abstract translation: 具有输入信号的栅极的第一耗尽型MOSFET（201）和输出信号的漏极; 用于第一耗尽型MOSFET（201）的漏极偏置的第一电阻器（202），其连接在第一耗尽型MOSFET（201）的漏极和正电压（Vdd）之间; 具有连接到正电压（Vdd）的漏极的第二耗尽型MOSFET（203），连接到第一耗尽型MOSFET（201）的源极的源极和与间歇控制电压（Vc）连接的栅极; 用于连接在第二耗尽型MOSFET（203）的栅极和地之间的第二耗尽型MOSFET（203）的栅极偏置的第二电阻器（204） 连接在耗尽型MOSFET（201,203）的源极与地之间的恒流源（205）; 旁路电容器（206），其与所述恒流源（205）和所述地之间的恒流源（205）并联连接，并将RF信号流向所述地; 和连接在第一耗尽型MOSFET（201）和地之间的第一耗尽型MOSFET（201）的栅极偏置的第三电阻器（207）。

公开(公告)号：KR1019970054456A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950049251

申请日：1995-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이창석 ,  김민건 ,  이종람 ,  편광의 ,  박형무

IPC: H01L29/772

Abstract: 본 발명은 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 고주파 잡음모델링 방법에 관한 것으로서, 종래 저잡음 회로, 설계에 있어서 사용하고자 하는 소자의 게이트 폭에 대하여 사용되는 전류의 크기에 따라 주파수별로 잡음특성이 주어져야만 설계가 가능하였던 문제점을 해결하기 위해 각 잡음원의 크기를 드레인 전류변화에 대해 4개의 파라미터로 진성저항의 잡음온도와 출력단 등가 잡음 콘덕턴스를 기술함으로써 GaAs MESFET에 대하여 네개의 파라미터만 주어지면 설계가 가능하므로 회로 설계의 편이성을 가질 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR100110411B1

公开(公告)日：1997-01-09

申请号：KR1019930027626

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤광준 ,  김민건 ,  황인덕 ,  고범규

IPC: H03F1/34

公开(公告)号：KR1019950022042A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930027626

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤광준 ,  김민건 ,  황인덕 ,  고범규

IPC: H03F1/34

Abstract: 본 발명은 갈륨비소 금속 반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)를 사용한 모노리식 초고주파 광대역 증폭회로에 관한 것으로, 공통소오스(112)와 공통게이트(115)가 직렬로 연결된 캐스코우드회로에 캐패시터(111)와 저항(110)을 사용한 공통게이트 회로와 직렬로 연결된된 저항(102)과 인덕터(103)를 병렬로 연결하고 캐패시터(101)와 직렬로 연결하여 입력단을 50ohm에 임피던스 정합시키는 입력단 정합회로(100)와, 캐패시터(106) (107)과 인덕터(108)(109)를 병렬 및 직렬로 연결하여 입력단 정합회로(100)의 출력부와 고이득 광대역회로(200)의 입력부를 정합시켜 주는 임피던스 정합회로(300)와 공통소오스 MESFET(126)의 드레인과 인덕터(129)를 직렬연결하고 궤환회로인 저항(123)과 인덕터(124), 캐패시터(125)를 공통소오스 MESFET(126)의 게이트와 인덕터(129)에 연결하고 자기바이 어스 회로인 저항(127)과 캐패시터(128)를 공통소오스 MESFET(126)의 소오스에 연결하여 출력단 증폭회로 (400)를 포함함으로써 전력소비가 적은 장점을 갖는다.