公开(公告)号：KR1020110079979A

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：KR1020100000106

申请日：2010-01-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  최성열 ,  최정용 ,  김봉준

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/0008 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/12041

Abstract: PURPOSE: A structure of a light emitting device using an avalanche metal-insulator transition phenomenon in a semiconductor is provided to enhance a yield rate by reducing the number of layers in a thin film and simplifying a light emitting device manufacturing process. CONSTITUTION: A semiconductor layer in which a light emission occurs in an avalanche domain is included. A buffer layer is formed on a substrate. A P type or a N type semiconductor layer is formed on the buffer layer. The first electrode layer is formed under the semiconductor layer or within the semiconductor layer. The second electrode layer is formed on the semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种在半导体中使用雪崩金属 - 绝缘体转变现象的发光器件的结构，以通过减少薄膜中的层数来提高成品率，并简化了发光器件制造工艺。 构成：包括在雪崩域中发生发光的半导体层。 在基板上形成缓冲层。 在缓冲层上形成P型或N型半导体层。 第一电极层形成在半导体层之下或半导体层内。 第二电极层形成在半导体层上。

公开(公告)号：KR101022661B1

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：KR1020080091266

申请日：2008-09-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  윤선진

IPC: G05F3/24

CPC classification number: H01L21/8222 ,  H01L23/62 ,  H01L27/067 ,  H01L27/082 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/14 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 발열문제를 해결하면서도 작은 사이즈로 대전류를 제어하고 스위칭할 수 있는 금속-절연체 전이(MIT) 소자를 구비한 대전류 제어회로, 그 대전류 제어회로를 포함하는 시스템을 제공한다. 그 대전류 제어회로는 전류구동소자로 연결되고, 소정 전이 전압에서 불연속 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)를 겪는 MIT 소자, 및 상기 전류구동소자와 상기 MIT 소자 사이에 연결되어 상기 MIT 소자의 온-오프(On-Off) 스위칭을 제어하는 스위칭제어 트랜지스터;를 포함하여, 상기 전류구동소자로 입력 또는 출력되는 대전류를 스위칭한다. 한편, MIT 소자는 발열 방지를 위한 발열방지 트랜지스터가 연결됨으로써 MIT-TR 복합소자를 구성할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 대전류 제어회로

公开(公告)号：KR1020100103348A

公开(公告)日：2010-09-27

申请号：KR1020100004474

申请日：2010-01-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  채병규 ,  김봉준 ,  윤선진

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/062

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/062

Abstract: PURPOSE: A solar cell, a solar cell module including the solar cell, and a solar light generating system including the solar cell module are provided to prevent the increase of temperature in the solar cell by reflecting far infrared ray using a metal-insulator transition thin film on an anti-reflective film. CONSTITUTION: A p-type semiconductor(120) and an n-type semiconductor(130) are formed on a lower electrode(110). An anti-reflective film(140) is formed on the n-type semiconductor. A far infrared ray reflective film(150) is formed on the anti-reflective film. A protective film(160) is formed on the far infrared ray reflective film. An upper electrode(170) is formed by passing through the protective film, the far infrared ray reflective film, and an anti-reflective film.

Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池，包括太阳能电池的太阳能电池模块和包括太阳能电池模块的太阳能发电系统，以通过使用金属 - 绝缘体转移薄膜反射远红外线来防止太阳能电池中的温度升高 防反光膜上的胶片。 构成：在下电极（110）上形成p型半导体（120）和n型半导体（130）。 在n型半导体上形成抗反射膜（140）。 在抗反射膜上形成远红外线反射膜（150）。 在远红外线反射膜上形成保护膜（160）。 通过使保护膜，远红外线反射膜和抗反射膜通过而形成上部电极（170）。

公开(公告)号：KR1020100094321A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020090095129

申请日：2009-10-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  서기완

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/50 ,  H01L21/20

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for growing a large area vanadium dioxide thin film are provided to reduce the number of processes and achieve uniform thickness of a thin film. CONSTITUTION: An apparatus for growing a large area vanadium dioxide thin film comprises a target, a large size substrate(110), a heater(102), and a fixing unit. The target is formed of a deposition material. The large size substrate is installed to face the target. The heater is arranged under the substrate to heat the substrate. The fixing unit mechanically secures the large size substrate to the heater without using an adhesive.

Abstract translation: 目的：提供用于生长大面积二氧化钒薄膜的装置和方法，以减少工艺数量并实现薄膜的均匀厚度。 构成：用于生长大面积二氧化钒薄膜的装置包括靶，大尺寸基板（110），加热器（102）和定影单元。 靶由沉积材料形成。 安装大尺寸基板以面对目标。 加热器布置在基板下面以加热基板。 固定单元将大尺寸基板机械地固定到加热器上而不使用粘合剂。

公开(公告)号：KR1020100033906A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：KR1020080127267

申请日：2008-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  채병규 ,  임정욱

IPC: H01L31/062 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/062 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A photo-induced metal-insulator transition(MIT) material complex for a solar cell, the solar cell and a solar cell module comprising the same are provided to implement a high efficiency solar cell. CONSTITUTION: A light - organic MIT material composite for a solar battery(100b) comprises a n-type metallic conductor(140) and p-type metallic conductor(130). The n-type metallic conductor has the electronic structure of a metal. The n-type metallic conductor is insulator and a semiconductor. The mover of the n-type metallic conductor is the electronics induced by the light. The p-type metallic conductor has the electronic structure of metal.

Abstract translation: 目的：提供一种用于太阳能电池的光诱导金属 - 绝缘体转变（MIT）材料复合体，太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池模块以实现高效率的太阳能电池。 构成：用于太阳能电池（100b）的轻有机MIT材料复合材料包括n型金属导体（140）和p型金属导体（130）。 n型金属导体具有金属的电子结构。 n型金属导体是绝缘体和半导体。 n型金属导体的移动器是由光引起的电子元件。 p型金属导体具有金属的电子结构。

公开(公告)号：KR100927598B1

公开(公告)日：2009-11-23

申请号：KR1020070100602

申请日：2007-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  이용욱 ,  김현탁 ,  김봉준 ,  임정욱 ,  최성열

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/113

Abstract: 본 발명의 광 게이팅 스위치 시스템은 기판 상에 형성된 광 감지 소자를 포함한다. 광 감지 소자는 기판 상에 형성된 광 감지층 및 광 감지층의 양단부에 형성된 전극들으로 구성된다. 본 발명의 광 게이팅 스위치 시스템은 광 감지 소자가 형성된 기판의 하부에 광 감지 소자에 광을 조사할 수 있는 광원을 포함한다. 광 감지 소자는 광(전자파)을 가했을 때나 광과 전계를 동시에 가했을 때, 전극들간에 전류가 흐르거나 흐르지 않게 할 수 있는 금속 절연체 전이소자이다.

Abstract translation: 提供了一种包括形成在衬底上的光敏器件的光电门控开关系统。 感光装置可以包括感光层和形成在感光层两端的电极。 将光照射到光敏器件的光源被集成在衬底的表面之下。

公开(公告)号：KR1020090091642A

公开(公告)日：2009-08-28

申请号：KR1020080091265

申请日：2008-09-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  김대용

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/067 ,  H01L49/003

Abstract: A circuit for preventing the self-heating and a method for fabricating a integrated device for the same circuit are provided to solve the self-heating phenomenon of the MIT device by configuring a transistor, a MIT device and a resistance unit. The MIT device(100) generates the metal-insulator transition(Metal-Insulator Transition) at the critical temperature or more, and is connected to the current-driven device and the current flow is controlled. A transistor is connected to the MIT device and the transistor controls the self-heating of the MIT device. A resistance unit(300) is connected to the MIT device and the transistor. The transistor is a bipolar transistor(200). The MIT device is connected between the base and the collector electrode of the bipolar transistor. The resistance unit is connected between the base and the emitter electrode of the bipolar transistor.

Abstract translation: 提供一种用于防止自身加热的电路和用于制造用于同一电路的集成器件的方法，以通过配置晶体管，MIT器件和电阻单元来解决MIT器件的自发现象。 MIT装置（100）在临界温度以上产生金属 - 绝缘体转变（金属 - 绝缘体转换），并连接到电流驱动装置，并且电流流动被控制。 晶体管连接到MIT器件，晶体管控制MIT器件的自发热。 电阻单元（300）连接到MIT器件和晶体管。 晶体管是双极晶体管（200）。 MIT器件连接在双极晶体管的基极和集电极之间。 电阻单元连接在双极晶体管的基极和发射极之间。

公开(公告)号：KR100901699B1

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：KR1020070069815

申请日：2007-07-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김대용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  채병규 ,  임정욱 ,  윤선진 ,  김현탁

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 본 발명은 금속-절연체 상전이 메모리 셀 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 위에 금속-절연체 상전이 채널 층을 형성하는 단계; 상기 금속-절연체 상전이 채널 층의 양측에 상호 대향되도록 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 상기 절연막, 상기 금속-절연체 상전이 채널 층, 그리고 상기 소스 및 드레인 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 금속-절연체 상전이 채널 층, 그리고 상기 소스 및 드레인의 상측에 위치되는 상기 게이트 절연막 위에 게이트를 형성하는 단계; 상기 드레인의 상측에 위치되는 상기 게이트 절연막을 개구한 후, 상기 드레인에 연결되는 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 위에 저항 박막을 형성하는 단계; 및 상기 저항 박막의 위에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 메모리 셀 및 그를 포함하는 반도체 메모리 장치는 초소형화 및 초고속화될 수 있다.
금속-절연체 상전이,MIT,메모리셀, 반도체 메모리 장치

公开(公告)号：KR1020090049008A

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020080042489

申请日：2008-05-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  이용욱 ,  김봉준 ,  윤선진

IPC: G05F3/24

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H02H3/085 ,  H02H5/047 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 퓨즈의 기능을 대체할 수 있고 또한 반영구적으로 사용할 수 있는 MIT 소자를 이용하여, 전력용 트랜지스터의 발열을 방지함으로써 전력용 트랜지스터를 보호할 수 있는 트랜지스터 발열제어 회로 및 그 발열제어 방법을 제공한다. 그 발열제어 회로는 소정 임계 온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 소자; 및 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력 공급을 제어하는 전력용 트랜지스터(power transitor);를 포함하고, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 트랜지스터의 베이스 또는 게이트 단자에 연결되어, 상기 트랜지스터가 상기 임계온도 이상 상승 시, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 트랜지스터의 발열을 방지한다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 트랜지스터 발열 제어

公开(公告)号：KR100864833B1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：KR1020070041618

申请日：2007-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용욱 ,  김봉준 ,  최성열 ,  임정욱 ,  윤선진 ,  채병규 ,  김현탁 ,  김경옥

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/87 ,  H01L29/74 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L29/94 ,  H03B17/00

Abstract: 본 발명은 MIT 소자를 이용하여 간단하면서도 매우 높은 발진 주파수를 발생시킬 수 있는 MIT 소자 기반의 발진 회로 및 그 발진 회로 구동방법을 제공한다. 그 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 상기 MIT 소자에 최대 통전 전류를 제한하면서 직류 정전압을 인가하는 전원; 및 상기 MIT 소자에 전자파를 조사하는 광원;을 포함하여, 상기 광원을 통한 전자파 조사에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수 있다. 또한, 상기 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 및 상기 MIT 소자에 단 펄스(short pulse) 전압을 인가하는 전원;을 포함하고, 상기 단 펄스 전압 인가에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수도 있다.