公开(公告)号：KR1020120128543A

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：KR1020120023633

申请日：2012-03-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  이유정

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A transparent color solar cell is provided to improve the efficiency of power generation and transparency by forming an inorganic material having the same quantum dots between a first electrode layer and the electrode layer. CONSTITUTION: A first electrode layer(20) is formed on a substrate. A transparent material layer(40) has quantum dots with the same size. The quantum dots absorb the visible light of a first wave length which is provided to the first electrode layer. The quantum dots selectively transmit the visible light of a second wave length. A second electrode layer(70) is formed on the transparent material layer.

Abstract translation: 目的：提供透明彩色太阳能电池，通过在第一电极层和电极层之间形成具有相同量子点的无机材料来提高发电效率和透明度。 构成：在基板上形成第一电极层（20）。 透明材料层（40）具有相同尺寸的量子点。 量子点吸收提供给第一电极层的第一波长的可见光。 量子点选择性地传输第二波长的可见光。 在透明材料层上形成第二电极层（70）。

公开(公告)号：KR1020100033906A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：KR1020080127267

申请日：2008-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  채병규 ,  임정욱

IPC: H01L31/062 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/062 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A photo-induced metal-insulator transition(MIT) material complex for a solar cell, the solar cell and a solar cell module comprising the same are provided to implement a high efficiency solar cell. CONSTITUTION: A light - organic MIT material composite for a solar battery(100b) comprises a n-type metallic conductor(140) and p-type metallic conductor(130). The n-type metallic conductor has the electronic structure of a metal. The n-type metallic conductor is insulator and a semiconductor. The mover of the n-type metallic conductor is the electronics induced by the light. The p-type metallic conductor has the electronic structure of metal.

Abstract translation: 目的：提供一种用于太阳能电池的光诱导金属 - 绝缘体转变（MIT）材料复合体，太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池模块以实现高效率的太阳能电池。 构成：用于太阳能电池（100b）的轻有机MIT材料复合材料包括n型金属导体（140）和p型金属导体（130）。 n型金属导体具有金属的电子结构。 n型金属导体是绝缘体和半导体。 n型金属导体的移动器是由光引起的电子元件。 p型金属导体具有金属的电子结构。

公开(公告)号：KR1020100030549A

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：KR1020080129395

申请日：2008-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  김상훈 ,  김현탁

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A solar cell and a method for manufacturing the same are provided to obtain efficient light absorption by adjusting the composition ratio of germanium which is included in the light absorbent layer of the solar cell. CONSTITUTION: A transparent substrate(202) is glass substrate or a flexible substrate which is composed of stainless steel, metal film and polymer film. A light absorbent layer is composed of silicon or silicon germanium and includes a plurality of semiconductor layers with different germanium ratio. An anti-reflective layer(201) and various buffer layers are inserted into the transparent substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，通过调整包含在太阳能电池的吸光层中的锗的组成比来获得有效的光吸收。 构成：透明基板（202）是由不锈钢，金属膜和聚合物膜构成的玻璃基板或柔性基板。 光吸收层由硅或硅锗组成，并且包括具有不同锗比例的多个半导体层。 将抗反射层（201）和各种缓冲层插入到透明基板中。

公开(公告)号：KR100927598B1

公开(公告)日：2009-11-23

申请号：KR1020070100602

申请日：2007-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  이용욱 ,  김현탁 ,  김봉준 ,  임정욱 ,  최성열

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/113

Abstract: 본 발명의 광 게이팅 스위치 시스템은 기판 상에 형성된 광 감지 소자를 포함한다. 광 감지 소자는 기판 상에 형성된 광 감지층 및 광 감지층의 양단부에 형성된 전극들으로 구성된다. 본 발명의 광 게이팅 스위치 시스템은 광 감지 소자가 형성된 기판의 하부에 광 감지 소자에 광을 조사할 수 있는 광원을 포함한다. 광 감지 소자는 광(전자파)을 가했을 때나 광과 전계를 동시에 가했을 때, 전극들간에 전류가 흐르거나 흐르지 않게 할 수 있는 금속 절연체 전이소자이다.

Abstract translation: 提供了一种包括形成在衬底上的光敏器件的光电门控开关系统。 感光装置可以包括感光层和形成在感光层两端的电极。 将光照射到光敏器件的光源被集成在衬底的表面之下。

公开(公告)号：KR100901699B1

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：KR1020070069815

申请日：2007-07-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김대용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  채병규 ,  임정욱 ,  윤선진 ,  김현탁

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 본 발명은 금속-절연체 상전이 메모리 셀 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 위에 금속-절연체 상전이 채널 층을 형성하는 단계; 상기 금속-절연체 상전이 채널 층의 양측에 상호 대향되도록 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 상기 절연막, 상기 금속-절연체 상전이 채널 층, 그리고 상기 소스 및 드레인 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 금속-절연체 상전이 채널 층, 그리고 상기 소스 및 드레인의 상측에 위치되는 상기 게이트 절연막 위에 게이트를 형성하는 단계; 상기 드레인의 상측에 위치되는 상기 게이트 절연막을 개구한 후, 상기 드레인에 연결되는 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 위에 저항 박막을 형성하는 단계; 및 상기 저항 박막의 위에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 메모리 셀 및 그를 포함하는 반도체 메모리 장치는 초소형화 및 초고속화될 수 있다.
금속-절연체 상전이,MIT,메모리셀, 반도체 메모리 장치

公开(公告)号：KR100864833B1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：KR1020070041618

申请日：2007-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용욱 ,  김봉준 ,  최성열 ,  임정욱 ,  윤선진 ,  채병규 ,  김현탁 ,  김경옥

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/87 ,  H01L29/74 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L29/94 ,  H03B17/00

Abstract: 본 발명은 MIT 소자를 이용하여 간단하면서도 매우 높은 발진 주파수를 발생시킬 수 있는 MIT 소자 기반의 발진 회로 및 그 발진 회로 구동방법을 제공한다. 그 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 상기 MIT 소자에 최대 통전 전류를 제한하면서 직류 정전압을 인가하는 전원; 및 상기 MIT 소자에 전자파를 조사하는 광원;을 포함하여, 상기 광원을 통한 전자파 조사에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수 있다. 또한, 상기 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 및 상기 MIT 소자에 단 펄스(short pulse) 전압을 인가하는 전원;을 포함하고, 상기 단 펄스 전압 인가에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수도 있다.

公开(公告)号：KR100864827B1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：KR1020070011121

申请日：2007-02-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진 ,  김현탁

IPC: H03K19/20

CPC classification number: H03K19/20

Abstract: 본 발명은 종래의 실리콘 반도체 기반의 논리소자들의 문제점들 극복하기 위하여, 전계 또는 전압의 변화에 따라 절연체에서 금속으로 불연속 전이를 일으키는 MIT 소자를 이용하여 논리 연산을 수행할 수 있는 MIT 소자를 이용한 논리회로를 제공한다. 그 논리회로는 MIT(metal-insulator transition) 박막 및 MIT 박막에 컨택하는 전극 박막을 구비하고 전이 전압(V
T )에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자를 적어도 1개 구비한 MIT 소자부; MIT 소자에 전원을 인가하는 전원을 적어도 1개 포함하는 전원부; 및 MIT 소자에 연결된 적어도 1개의 저항;을 포함하고, 전원을 통해 인가된 신호에 대하여 논리 연산된 신호를 출력한다.

公开(公告)号：KR1020080086335A

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：KR1020070109611

申请日：2007-10-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김준관 ,  임정욱 ,  윤선진 ,  김상훈 ,  김현탁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

Abstract: A method of forming a p-type zinc oxide layer and a method of fabricating a semiconductor device including the same are provided to realize large area mass production by forming a dopant layer doped with a p-dopant on an n-type zinc oxide layer and diffusing the p-dopant into the zinc oxide layer. A method of forming a p-type zinc oxide layer includes the steps of: forming a dopant layer(114) doped with a p-dopant on a substrate(112); forming a first zinc oxide layer(116) on the dopant layer doped with the p-dopant; and subjecting the dopant layer and the first zinc oxide layer to a thermal treatment. The first zinc oxide layer is in contact with the dopant layer directly.

Abstract translation: 提供了形成p型氧化锌层的方法以及制造其的半导体器件的制造方法，以在n型氧化锌层上形成掺杂有p掺杂剂的掺杂剂层来实现大面积批量生产， 将p-掺杂剂扩散到氧化锌层中。 形成p型氧化锌层的方法包括以下步骤：在衬底（112）上形成掺杂有p掺杂剂的掺杂剂层（114）; 在掺杂有p掺杂剂的掺杂剂层上形成第一氧化锌层（116）; 并对掺杂剂层和第一氧化锌层进行热处理。 第一氧化锌层直接与掺杂剂层接触。

公开(公告)号：KR1020080047238A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：KR1020070041618

申请日：2007-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용욱 ,  김봉준 ,  최성열 ,  임정욱 ,  윤선진 ,  채병규 ,  김현탁 ,  김경옥

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/87 ,  H01L29/74 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L29/94 ,  H03B17/00

Abstract: An oscillation circuit based upon an MIT(metal insulator transition) device is provided to form an oscillation circuit capable of generating a very high oscillation frequency by adding only one resistance element connected in series with an MIT device. An MIT device(800) includes an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film wherein discontinuous MIT occurs at an MIT generation voltage in the MIT device. A resistance element(700) is connected in series with the MIT device. A power source(600) applies a DC constant voltage to the MIT device, limiting maximum conduction current. A light source(900) irradiates electromagnetic wave to the MIT device. An oscillation characteristic occurs in the MIT device by the irradiation of the electromagnetic wave of the light source. The light source can be an infrared light source, and the MIT generation voltage of the MIT device decreases as the intensity of the infrared of the light source increases.

Abstract translation: 提供了一种基于MIT（金属绝缘体转换）器件的振荡电路，以形成能够通过仅添加与MIT器件串联连接的一个电阻元件而产生非常高的振荡频率的振荡电路。 MIT装置（800）包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，其中在MIT装置中以MIT产生电压发生不连续MIT。 电阻元件（700）与MIT器件串联连接。 电源（600）向MIT装置施加直流恒定电压，限制最大传导电流。 光源（900）向MIT设备照射电磁波。 通过照射光源的电磁波，在MIT装置中产生振荡特性。 光源可以是红外光源，并且MIT装置的MIT产生电压随着光源的红外线强度的增加而减小。

公开(公告)号：KR100825738B1

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：KR1020060098638

申请日：2006-10-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진 ,  김현탁 ,  이용욱

IPC: H01L27/10 ,  H01L51/00 ,  H01L29/86

CPC classification number: H01L27/0676 ,  H01L28/40 ,  H01L49/003

Abstract: 다양한 제너 전압을 조절할 수 있고, 제조공정이 간단한 급격한 금속-절연체 전이를 이용한 전압조정 시스템을 제공한다. 그 시스템은 입력전원과 직렬로 연결된 직렬저항 R
c 과 직렬로 연결되며, 직렬저항 R
c 의 저항값에 따라 출력전압을 일정하게 유지하는 전압조정 구간의 폭이 달라지는 급격한 금속-절연체 전이를 하는 MIT 절연체를 포함한다.
급격한 금속-절연체 전이, 직렬저항, 전압조정