Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 에피택셜장치용 증발도가니 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 요지 본 발명은 도가니 플랜지에 장착되어있는 도입관의 길이를 가변적으로 조절하므로써 원료교체나 부분품 수리시 진공챔버내의 전체적인 진공을 유지하면서 도가니 부분의 국부적 진공만을 파괴하여 장비의 오염과 상태 회복의 시간을 극소화 할 수 있는 에피택셜장치용 증발도가니를 제공함에 그 목적이 있다. 3. 발명의 해결방법의 요지 본 발명은 진공챔버의 진공을 유지하고 도입하기 위해 개폐되는 수단; 성장물질을 증발시키기 위해 열을 제공하는 히터와 지지대가 구비된 도입관; 상기 도입관의 일단부에 장착되어 어댑터 플랜지와 결합되는 도가니 플랜지; 상기 진공챔버의 진공을 유지한 채로 국부적 진공만을 제거하여 도입관을 진공챔버로부터 이탈 시킬 수 있도록 신장 및 수축하는 수단; 및 상기 신장 및 수축수단의 이동을 안내하는 수단을 포함하는 에피택셜장치용 증발도가니를 제공한다. 4. 발명의 중요한 용도 진공챔버의 전체진공을 제거하지 않고 부분품을 쉽게 분해조립하는 것임.
Abstract:
Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 이용하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor;HBT)를 제조함에 있어 HBT 소자 제조시 소자간 단차를 극복하여 금속배선의 신뢰성을 제고하기 위해 기존의 소자분리방법과는 달리 소자분리 메사영역의 재성장 및 컬렉터 전극형성의 제조방법을 개선한 것이다.
Abstract:
갈륨비소(GaAs) 기판위에 알루미늄 비소(AlAs)와 갈륨비소(GaAs) 초격자거울(distributed Brag reflector)을 하단부에 성장시키고 그위에 조성 그레이딩 방법으로 인디움갈륨비소(InGaAs) 버퍼층을 성장시킨 후, 격자 부정합이 크나 전위없는 인디움 인(InP)층과 활성층인 인디움갈륨비소(InGaAs) 양자우물구조(quantum well)를 성장시키고 그 위에 인디움알루미늄비소(InAlAs)와 인디움갈류비소(InGaAs) 초격자거울을 생성하는 방법이다. 하단부 거울은 굴절율 차이가 크며 열전도율이 매우 좋아 구조상 이상적이며 활성층과 상단부거울은 광자와 전자의 구속력이 좋고 굴절율 차이도 비교적 좋아 상단부로 레이징하기에 적합하여 상온 연속발진이 가능하다.
Abstract:
본 발명은 넓은 에너지갭(wide energy gap)을 갖는 화합물 반도체의 조합인 n-A1 Ga N/p-GaN/n-GaN을 에미터/베이스/컬렉터로 하는 고 전력용(high power) 이중접합 바이폴라 트랜지스터(Heteroiunction Bipolar Transistor:HBT)의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 고 전력을 나타낸 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 제작을 위한 에피구조 설계방법에서, 넓은 에너지갭(wide energy gap)의 n형 GaN을 컬렉스터로 활용하여 높은 전계, 높은 포화전자표류속도 및 높은 열전도도의 장점과 큰 에너지갭으로 인한 고 출력 특성을 얻고, p형 GaN을 베이스로 이용하며, 에미터는 에미터의 전자주입효율을 극대화시킬 수 있도록 보다 큰 에너지갭의 n형 AlGa₁N으로 이루어진 nAlGa₂N 에미터-p gAn 베이스-n gAn 컬렉터 구조로 제작된다.
Abstract:
Ⅲ - V족 화합물 반도체를 이용하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor: HBT)를 제작함에 있어, HBT 소자고유의 고속특성을 극대화 하기 위하여 임시 에미터 전극과 폴리이미드 측벽을 이용한 에미터-베이스 간의 자기정렬 제작방법을 고안함으로써 기존의 HBT 소자제작 공정을 개선하였다.