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公开(公告)号：KR102133942B1
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：KR1020190007420
申请日：2019-01-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08F290/00 , C08G73/10 , C08F290/06 , C08F290/14 , H01L31/0232
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公开(公告)号：KR101893872B1
公开(公告)日：2018-09-03
申请号：KR1020170009022
申请日：2017-01-19
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물, 이로부터제조된방열필름및 이의제조방법에관한것으로, 본발명인반응성디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물은대면적으로화합물의평면방향으로배향될수 있고, 이로부터제조된방열필름은화합물의평면방향으로우수한 2D의열전도도를보이며화합물의수직방향(필름의두께방향)으로낮은열전도도를나타내는효과가있어다양한전자기기및 디스플레이장치등에응용될수 있다.
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公开(公告)号：KR101888620B1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：KR1020160065425
申请日：2016-05-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은다관능성광가교단량체를포함하는폴리아믹산수지조성물및 이로부터제조되는감광성폴리이미드수지조성물에관한것으로, 본발명에따른다관능성광반응단량체를함유한감광성폴리이미드경화물은내열특성이뛰어날뿐만아니라, 우수한내약품성성및 전기절연특성등으로인하여디스플레이소자에사용되는컬러필터의감광성바인더소재, 전기회로간 고내열절연막및 접촉패널(touch panel)용고분자격벽재료로서의응용에적합하다. 또한, 제조된폴리이미드계수지자체로서광반응이가능하여기존과같이제조된폴리이미드계수지의박막위에내광성층을코팅한후 패턴을형성한다음다시이를제거하는복잡한공정을단축할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020180085841A
公开(公告)日：2018-07-30
申请号：KR1020170009022
申请日：2017-01-19
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C09K5/08 , C09K19/32 , C09K2019/0429
Abstract: 본발명은디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물, 이로부터제조된방열필름및 이의제조방법에관한것으로, 본발명인반응성디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물은대면적으로화합물의평면방향으로배향될수 있고, 이로부터제조된방열필름은화합물의평면방향으로우수한 2D의열전도도를보이며화합물의수직방향(필름의두께방향)으로낮은열전도도를나타내는효과가있어다양한전자기기및 디스플레이장치등에응용될수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101783420B1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020160058108
申请日：2016-05-12
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08F22/12 , C08F2/44 , C08K5/17 , H01L29/786 , H01L21/324 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0035 , C08L37/00 , C08L2203/20 , C08L2205/025 , H01L51/0026 , H01L51/0052 , H01L51/0074 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/0566 , H01L51/105 , H01L2251/301
Abstract: 본발명은박막트랜지스터절연막용조성물, 이를포함하는절연막및 유기박막트랜지스터에관한것으로, 본발명에따른조성물로부터형성된박막트랜지스터용절연막은낮은표면에너지와더불어양호한유전율을나타내고, 이를적용한유기박막트랜지스터는상기절연막상부에형성되는유기반도체의모폴로지를개선시킴으로써, 누설전류밀도가감소되고, 전하이동도가향상되며, 전류점멸비가향상된효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种绝缘膜和包含所述组合物，其用于薄膜晶体管的绝缘膜时，根据本发明的组合物形成的薄膜晶体管的绝缘膜示出了具有低表面能的良好的介电常数的有机薄膜晶体管，有机薄膜晶体管应用于它是 通过改善形成在上绝缘膜的有机半导体的形态，漏电流密度减小，并且改善的电荷迁移率度，电流比提高闪烁的效果。
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公开(公告)号：KR101685035B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020140135189
申请日：2014-10-07
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은박막트랜지스터유기절연체용고분자화합물을제공한다. 본발명에따른박막트랜지스터유기절연체용고분자화합물은종래알려진유기절연체물질보다내열성이우수할뿐만아니라, 우수한전기적절연성을나타내는효과가있다. 이에따라, 높은공정온도를요구하는용액공정용금속산화물박막트랜지스터의유기절연체의재료로사용될수 있으며, 본발명에따른고분자화합물을유기절연체층으로포함하는박막트랜지스터는우수한성능을나타내는효과가있다.
Abstract translation: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的有机绝缘体的高分子化合物。 根据本发明的一个实施方案，用于薄膜晶体管的有机绝缘体的高分子化合物具有由式1表示的重复单元。根据本发明，用于薄膜晶体管的有机绝缘体的高分子化合物 具有比常规的有机绝缘体材料更大的耐热性，并且具有优异的电绝缘性。 因此，用于薄膜晶体管的有机绝缘体的高分子化合物可用作用于需要在高温下进行的溶液工艺的金属氧化物薄膜晶体管的有机绝缘体的材料， 包括作为有机绝缘体层的高分子化合物的薄膜晶体管具有优异的性能。
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公开(公告)号：KR101681156B1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：KR1020150138192
申请日：2015-09-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08F251/00 , C08L5/00 , H01L51/05 , H01L51/00
Abstract: 본발명은가교된혼성유기게이트절연체용고분자조성물및 이를포함하는박막트랜지스터에관한것이다. 본발명에따른가교된유기절연체용고분자조성물은높은유전특성을나타내나절연특성이낮은하이드록실기를포함하는유기절연체를언하이드라이드기를포함하는고분자형가교제와반응시켜, 상기하이드록실기의단점을최소화함으로써 100 nm이하의두께에서도높은유전특성을보임과동시에우수한절연특성을나타내므로박막트랜지스터의유기게이트절연체로유용하게사용될수 있다.
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59.发明授权높은 패킹구조를 갖는 폴리아믹산 수지 조성물로부터 제조된 저온경화형 폴리이미드 절연체 및 이를 이용한 낮은 히스테리스 특성 보유 전유기박막트랜지스터 소자 有权具有高填料结构的低温可固化聚酰亚胺和使用它们的有机薄膜晶体管器件
公开(公告)号：KR101648745B1
公开(公告)日：2016-08-30
申请号：KR1020090061995
申请日：2009-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08G73/10 , C08L79/08 , H01L29/786
CPC classification number: C08G73/1021 , C08G73/1007 , C08G73/1067 , C08L79/08 , H01L51/052
Abstract: 본발명은저온경화형폴리아믹산수지조성물로부터제조된폴리이미드절연막및 이를이용한전유기박막트랜지스터에관한것으로서, 보다상세하게는높은패킹구조를갖는방향족테트라카르복시산이무수물과방향족디아민의단량체를중합반응시켜제조한폴리아믹산수지를이미드화반응시킴에있어서, 저온경화가가능한저비점유기촉매를필수조성물로서함유시켜, 100~200 ℃범위의저온이미드화반응이가능할뿐만아니라, 박막공정후 촉매의잔존량이 200 ppm 이하로매우낮으며, 그결과뛰어난트랜지스터특성을보이는전유기박막트랜지스터소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150111438A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140033975
申请日：2014-03-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01B3/38 , H01L29/786
CPC classification number: H01B3/002 , H01B3/38 , H01L29/786
Abstract: 본발명은저온-용액공정으로제조된알루미나/폴리이미드게이트절연체와이를포함하는용액공정박막트랜지스터에관한것으로 , 본발명에따른알루미나로표면처리된유기절연체및 금속산화물반도체를이용한트랜지스터에있어서, 알루미나층의공정온도를, 예를들어 200℃로기존공정온도보다현저히낮추면서금속산화물반도체에화학적으로유사한계면을제공하고, 낮은누설전류밀도, 높은전하이동도및 점멸비등의우수한전기절연성을가져박막트랜지스터의소자특성이향상된효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过低温工艺生产的氧化铝/聚酰亚胺栅极绝缘体和使用包含该氧化铝/聚酰亚胺栅极绝缘体的溶液工艺的薄膜晶体管。 使用根据本发明的使用氧化铝进行表面处理的有机绝缘体和金属氧化物导体的晶体管在200℃下显着降低氧化铝层的处理温度，比较常规的加工温度提供与金属氧化物类似化学的界面 并且由于具有优异的低漏电流密度的电绝缘性，高电荷迁移率和闪烁比等，具有改善薄膜晶体管器件性能的效果。
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