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公开(公告)号：KR101893470B1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：KR1020170106065
申请日：2017-08-22
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01B1/22 , H01B13/0036
Abstract: 본발명은 3차원프린팅이가능한전극형성용페이스트조성물및 이를이용하여제조되는전극에관한것이다. 보다상세하게는입체전자회로의제작을위하여 3차원프린팅적용이용이한금속나노입자기반의고전도성전극형성용페이스트조성물및 이를이용하여제조되는전극에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101831634B1
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：KR1020160086334
申请日：2016-07-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01B1/22 , B29C67/00 , B29C67/24 , B29B7/08 , C08K9/04 , C08K3/04 , C08K3/08 , C08K9/12 , C01B31/02 , B33Y70/00
CPC classification number: B29B7/08 , B29C67/00 , B29C67/24 , B33Y70/00 , C01B32/168 , C08K3/04 , C08K3/08 , C08K9/04 , C08K9/12 , H01B1/22
Abstract: 본발명은인쇄가가능하고, 유연성및 신축성을가지면서우수한전도도를구현할수 있어유연성이요구되는전자부품에적용할수 있을뿐만아니라 3차원인쇄가가능한유연전극용복합소재및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170048714A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020150149140
申请日：2015-10-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 하기관계식 1을만족하는금속나노입자; 융점 800℃이하의저융점금속; 비수계유기바인더; 및비수계용매를포함하는광소결용잉크조성물및 이의제조방법에관한것이다. [관계식 1] A/A≤ 0.2 (관계식 1에서, A/A는금속나노입자의표면에있어서의 X-선광전자분광스펙트럼상, 금속의산화물의금속 2p피크면적(A)을, 금속의금속 2p피크면적(A)으로나눈비이다.)
Abstract translation: 满足以下关系式1的金属纳米粒子; 一种熔点为800℃或更低的低熔点金属; 非水有机粘合剂; 和水基溶剂及其制备方法。 A /A≤0.2在关系式1中，A / A表示金属纳米粒子表面的X射线光电子能谱图上的金属氧化物的金属2p峰面积（A） 2p峰面积（A））。
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公开(公告)号：KR101573241B1
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020140054793
申请日：2014-05-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한리튬이차전지용전극에관한것으로, 보다상세하게는그래핀소재와나노금속소재를복합화하여복합나노소재를제조하고, 추가적으로복합나노소재의표면에그래핀을형성시켜 3차원그래핀구조체를제조함으로써, 그래핀간의네트워킹을형성시켜전기전도성이향상된 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한전극제조방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150128056A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020140054793
申请日：2014-05-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/182 , C01B32/184 , C01B2204/00
Abstract: 본발명은 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한리튬이차전지용전극에관한것으로, 보다상세하게는그래핀소재와나노금속소재를복합화하여복합나노소재를제조하고, 추가적으로복합나노소재의표면에그래핀을형성시켜 3차원그래핀구조체를제조함으로써, 그래핀간의네트워킹을형성시켜전기전도성이향상된 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한전극제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种三维石墨烯结构体及其制造方法以及使用该锂二次电池的电极，更具体地，涉及三维石墨烯结构体及其制造方法和制造方法 通过使用它们的电极的方法，用于通过石墨烯材料和纳米金属材料的络合来制造复合纳米材料，并且另外通过在复合纳米材料的表面上形成石墨烯来另外制造三维结构，从而通过形成 石墨烯之间的网络。
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公开(公告)号：KR101402010B1
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR1020120139390
申请日：2012-12-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H05K3/00 , H01L21/027 , B23K26/00
CPC classification number: B23K26/0006 , B23K26/0087 , B23K26/32 , B23K26/342 , B23K2201/35 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H05K1/092 , H05K3/1283 , H05K2201/0257 , H05K2203/107 , H01L21/0275
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a fine conductive pattern using metal nano ink for a laser pattern process. Particularly, the present invention relates to the method for forming a fine metal conductive pattern by a fine laser pattern which includes the step of manufacturing the fine metal conductive pattern by a sintering method by laser radiation on an insulation substrate coated with ink compositions for manufacturing a new fine laser pattern.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用金属纳米油墨制造精细导电图案的激光图案处理方法。 特别地，本发明涉及通过精细激光图案形成精细金属导电图案的方法，该方法包括以下步骤：通过激光辐射的烧结方法在涂覆有制造墨水组合物的油墨组合物的绝缘基材上制造细金属导电图案 新的精细激光图案。
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公开(公告)号：KR101395790B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020130040111
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지 광활성층의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명의 제조방법은 a) 11족 금속의 제1칼코젠화합물 및 상기 제1칼코젠화합물보다 낮은 융점을 갖는 11족 금속의 제2칼코젠화합물이 단일한 입자 내에 혼재된 복합 입자 및 12족 내지 14족에서 하나 이상 선택된 원소의 전구체를 함유하는 잉크를 기판에 도포하여 도포막을 형성하는 단계; 및 b) 상기 도포막을 열처리하여 다원 칼코젠화합물을 제조하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140015095A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020120082837
申请日：2012-07-27
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/00 , C09D11/10 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , C09D11/00 , C09D11/10 , H01L31/042
Abstract: The present invention provides an element with improved solar cell characteristics by manufacturing a thin film for the photoactive layer of a solar cell while preventing cracks in a thin film using an ink composition for the photoactive layer of a solar cell including chalcogen particles, a binder polymer, and an organic solvent.
Abstract translation: 本发明提供一种通过制造太阳能电池的光敏层的薄膜同时防止使用包括硫属元素颗粒的太阳能电池的光敏层的油墨组合物在薄膜中的裂纹的改进的太阳能电池特性的元件，粘合剂聚合物 ，和有机溶剂。
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公开(公告)号：KR1020130100041A
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：KR1020120020623
申请日：2012-02-28
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B33/021 , C07B61/00 , B82B3/00
CPC classification number: C01B33/023 , C01P2004/64 , C01P2006/22 , C30B29/06 , C30B31/04
Abstract: PURPOSE: A doping nano-crystalline silicon and a manufacturing method thereof are provided to have nano size and to enhance luminosity and redispersibility and to manufacture easier than doping by existing ion beam. CONSTITUTION: A manufacturing method of doping nano-crystalline silicon comprises the following steps: manufacturing doped nano-crystalline silicon solution by injecting silicon source, doping source and reducing agent into organic solvent; and quenching reducing agent remaining behind in the doped nano-crystalline silicon solution.
Abstract translation: 目的：提供掺杂纳米晶体硅及其制造方法以具有纳米尺寸并提高发光度和再分散性，并且比现有离子束的掺杂更容易制造。 构成：掺杂纳米晶硅的制造方法包括以下步骤：通过将硅源，掺杂源和还原剂注入有机溶剂来制造掺杂的纳米晶体硅溶液; 和在掺杂的纳米晶硅溶液中残留的淬灭还原剂。
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