公开(公告)号：FR3051964B1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：FR1654790

申请日：2016-05-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TIRON RALUCA ,  POSSEME NICOLAS ,  CHEVALIER XAVIER

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：FR3051598B1

公开(公告)日：2018-10-05

申请号：FR1654556

申请日：2016-05-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  GRENOUILLET LAURENT

IPC: H01L21/8232 ,  H01L27/085

公开(公告)号：FR3037712B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：FR1555664

申请日：2015-06-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/3065 ,  C23C14/04 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58

公开(公告)号：FR3052911A1

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：FR1655739

申请日：2016-06-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POLLET OLIVIER ,  GARCIA-BARROS MAXIME ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention décrit un procédé de formation d'espaceurs (150) d'une grille (120) d'un transistor à effet de champ (100), la grille (120) comprenant des flancs (125) et un sommet (126) et étant située au-dessus d'une couche (146) en un matériau semi-conducteur , le procédé comprenant une étape (410) de formation d'une couche diélectrique (152) recouvrant la grille du transistor, le procédé comprenant : - après l'étape de formation de la couche diélectrique (152), au moins une étape de modification (430) de ladite couche diélectrique (152) par implantation d'ions en conservant des portions de la couche diélectrique (152) recouvrant les flancs (125) de la grille (120) non-modifiées sur toute leur épaisseur; les ions étant des ions à base d'hydrogène (H) et/ou à base d'hélium (He); - au moins une étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée à l'aide d'une gravure sélective de ladite couche diélectrique; l'étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée comprend une gravure humide à base d'une solution comprenant de l'acide fluorhydrique (HF) diluée à x% en masse, avec x≤0.2 et présentant un pH inférieur ou égal à 1.5.

公开(公告)号：FR3043837B1

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：FR1561044

申请日：2015-11-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BARRAUD SYLVAIN ,  AUGENDRE EMMANUEL ,  MAITREJEAN SYLVAIN ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: Procédé de réalisation d'un transistor (100) à nanofil semi-conducteur, comportant les étapes : - réaliser, sur un support (102), un nanofil semi-conducteur dont une portion (123) est recouverte d'une grille sacrificielle entourée, avec le nanofil, d'une couche diélectrique, - retirer la grille sacrificielle, formant un premier espace entouré de premières parties de la couche diélectrique, - implanter ioniquement une deuxième partie de la couche diélectrique sous ladite première portion, lesdites premières parties protégeant des troisièmes parties (136) de la couche diélectrique, - graver ladite deuxième partie, formant un deuxième espace, - réaliser une grille (140, 142) dans les espaces, et une portion diélectrique (148) sur la grille et lesdites premières parties, - implanter ioniquement des quatrièmes parties de la couche diélectrique entourant des deuxièmes portions du nanofil, la portion diélectrique protégeant lesdites premières et troisièmes parties, - graver lesdites quatrièmes parties.

公开(公告)号：FR3052294A1

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：FR1655090

申请日：2016-06-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LANDIS STEPHAN ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  DAVID THIBAUT ,  NOURI LAMIA ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/266

Abstract: L'invention porte notamment sur un procédé de formation de reliefs à la surface (101) d'un substrat (100), le procédé comprenant au moins les étapes suivantes: - une première implantation d'ions dans le substrat (100) selon une première direction (112) ; - une deuxième implantation d'ions dans le substrat (100) selon une deuxième direction (132) différente de la première direction (112); - au moins l'une des première et deuxième implantations est réalisée à travers au moins un masque (121, 221) présentant au moins un motif (120, 220); - une gravure de zones (106, 108, 208) du substrat (100) ayant reçu par implantation une dose supérieure ou égale à un seuil, sélectivement aux zones (107, 109) du substrat (100) n'ayant pas reçu par implantation une dose supérieure audit seuil ; les paramètres des première et deuxième implantations étant réglées de manière à ce que uniquement des zones (106, 108, 208) du substrat (100) ayant été implantées à la fois lors de la première implantation et lors de la deuxième implantation reçoivent une dose supérieure ou égale audit seuil.

公开(公告)号：FR3051966A1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：FR1654793

申请日：2016-05-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TIRON RALUCA ,  POSSEME NICOLAS ,  CHEVALIER XAVIER ,  NAVARRO CHRISTOPHE

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un motif de guidage fonctionnalisé destiné à un procédé de grapho-épitaxie, comportant les étapes suivantes : - formation d'un motif de guidage (4) sur un substrat (1), le motif de guidage (4) comportant une cavité (7) comportant un fond (6) et des parois latérales (5) ; - formation d'une première couche de fonctionnalisation (2) sur le motif de guidage (4), la première couche de fonctionnalisation (2) comportant une partie horizontale (11) déposée sur le fond (6) de la cavité (7) et une partie verticale (12) déposée sur les parois latérales (5) de la cavité (7) ; - (103) formation d'une couche protectrice (3) sur la première couche de fonctionnalisation (2) dans la cavité (7) ; - gravure de la couche protectrice (3) de façon à ne conserver qu'une partie horizontale (8) de la couche protectrice, la partie horizontale (8) étant présente sur le fond (6) de la cavité (7) et présentant une épaisseur inférieure à 15 nm ; - gravure sélective de la partie verticale (12) de la première couche de fonctionnalisation (2).

公开(公告)号：FR3051965A1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：FR1654791

申请日：2016-05-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TIRON RALUCA ,  POSSEME NICOLAS ,  CHEVALIER XAVIER

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un motif de guidage fonctionnalisé destiné à un procédé de grapho-épitaxie, comportant les étapes suivantes : - formation d'un motif de guidage (4) sur un substrat (1), le motif de guidage (4) comportant une cavité (7) comportant un fond (16) et des parois latérales (5) ; - formation d'une couche de fonctionnalisation, la couche de fonctionnalisation comportant une partie horizontale (11) déposée sur le fond (6) de la cavité (7) et une partie verticale déposée sur les parois latérales (5) de la cavité (7) ; - gravure sélective de la partie verticale de la couche de fonctionnalisation.

公开(公告)号：FR3041120B1

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：FR1558483

申请日：2015-09-11

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  SARRAZIN AURELIEN

IPC: G03F7/20 ,  C09D153/00

公开(公告)号：FR3047605A1

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：FR1650994

申请日：2016-02-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  MAZEL YANN

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation de connexions conductrices (30) d'une puce électronique, comprenant les étapes suivantes : a) déposer une couche isolante (7, 9) sur une face d'une plaquette ; b) réaliser une couche à base d'au moins un métal recouvrant la couche isolante et munie de premières ouvertures ; c) graver des deuxièmes ouvertures dans la couche isolante (7, 9) dans le prolongement des premières ouvertures par gravure plasma à base d'au moins un composé halogéné ; d) recuire sous vide l'ensemble de la structure obtenue après l'étape c) ; et e) former, après l'étape d), les connexions conductrices dans les deuxièmes ouvertures.