公开(公告)号：CN105228946A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480027517.8

申请日：2014-03-17

Applicant: 维斯普瑞公司

Inventor： 达娜·德勒斯 ,  肖恩·J·坎宁安 ,  阿瑟·S·莫里斯

IPC: B81B7/02 ,  H01G5/14

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B3/0051 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/053 ,  H01G4/1227 ,  H01G5/18

Abstract: 提供了操作分割的致动器板以获得微电子机械系统(MEMS)装置的可动部件的期望形状的装置和方法。在一些实施方式中，在本文中描述的主题可以包括一种微电子机械系统(MEMS)装置，其包括：多个致动电极，其附着至第一表面，其中，所述一个或多个致动电极中的每个独立可控；以及可动部件，其与所述第一表面隔开并且相对于所述第一表面可移动，其中，所述可动部件进一步包括与所述多个固定的致动电极隔开的一个或多个可动致动电极。

公开(公告)号：CN105228945A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480028457.1

申请日：2014-05-16

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 乔公国 ,  詹姆斯·道格拉斯·霍夫曼 ,  理查德·L·奈普 ,  维克拉姆·乔希 ,  罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01G5/18 ,  H01H59/00 ,  H02N1/00

CPC classification number: H02N1/006 ,  B81B7/008 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0221 ,  H01G5/011 ,  H01G5/18 ,  H01H59/0009 ,  H03J2200/39

Abstract: 本发明总体上涉及在使得MEMES器件在接触表面上的冲击最小化的同时操作MEMS DVC的方法。通过在MEMS器件的拉近移动时减小驱动电压，减小MEMS器件朝接触表面的加速，由此减小冲击速度，发生更少的MEMS DVC器件的损坏。

公开(公告)号：CN102822084B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201080062319.7

申请日：2010-07-28

Applicant: 歌尔声学股份有限公司

Inventor： 王喆

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H04R7/00

CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明涉及CMOS兼容的MEMS麦克风，其包括：SOI基底，其中，CMOS电路容纳在其硅器件层上；利用硅器件层的一部分形成的麦克风振膜，其中，麦克风振膜掺杂为导电性的；麦克风背板，包括夹有金属层的CMOS钝化层和多个通孔，设置在硅器件层的上方，其中，多个通孔形成在麦克风背板的与麦克风振膜相对的部分中，并且金属层形成背板的电极板；多个突出件，从与振膜相对的麦克风背板的下表面延伸；以及空气间隙，设置在振膜和麦克风背板之间，其中，构成空气间隙边界的隔离件设置在振膜之外或振膜边缘上，其中，在振膜下方的基底中形成背孔以允许声音通过，以及麦克风振膜用作电极板，与麦克风背板的电极板形成可变电容性传感元件。

公开(公告)号：CN102674235B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210061957.8

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤友博

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

Abstract: 本发明涉及MEMS及其制造方法。该MEMS包括：设置在基板上的第1电极；第1辅助构造体，与上述第1电极相邻地设置在上述基板上，处于电浮置状态；和第2电极，设置在上述第1电极和上述第1辅助构造体的上方，被向上述第1电极的方向驱动。

公开(公告)号：CN104418289A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410423786.8

申请日：2014-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.巴尔岑 ,  A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R31/003 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  H04R1/08 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括背板电极以及被部署为与所述背板电极间隔开的隔膜。所述隔膜包括可移位部分和固定部分。布置所述背板电极和所述隔膜，以使得所述隔膜的所述固定部分与所述背板电极的重叠区域小于最大重叠。

公开(公告)号：CN103864006A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310692997.7

申请日：2013-12-17

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·B·蒙特兹 ,  R·F·斯蒂姆勒

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/06 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/112 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0874

Abstract: 提供了一种用于通过减少源自基于TEOS的硅氧化膜的碳的数量来减小MEMS器件中的静摩擦的机制，其中所述膜在制作期间可以在多晶硅表面上累积。碳阻挡材料膜(510,520)可以在MEMS器件中的一个或多个多晶硅层(210,230)和基于TEOS的氧化硅层(220)之间沉积。所述阻挡材料防止碳扩散到所述多晶硅，从而减少在多晶硅表面上碳的累积。通过减少碳的累积，由于碳的存在造成的静摩擦机率同样被减小。

公开(公告)号：CN102822084A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080062319.7

申请日：2010-07-28

Applicant: 歌尔声学股份有限公司

Inventor： 王喆

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H04R7/00

CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明涉及CMOS兼容的MEMS麦克风，其包括：SOI基底，其中，CMOS电路容纳在其硅器件层上；利用硅器件层的一部分形成的麦克风振膜，其中，麦克风振膜掺杂为导电性的；麦克风背板，包括夹有金属层的CMOS钝化层和多个通孔，设置在硅器件层的上方，其中，多个通孔形成在麦克风背板的与麦克风振膜相对的部分中，并且金属层形成背板的电极板；多个突出件，从与振膜相对的麦克风背板的下表面延伸；以及空气间隙，设置在振膜和麦克风背板之间，其中，构成空气间隙边界的隔离件设置在振膜之外或振膜边缘上，其中，在振膜下方的基底中形成背孔以允许声音通过，以及麦克风振膜用作电极板，与麦克风背板的电极板形成可变电容性传感元件。

公开(公告)号：CN102336392A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110253951.6

申请日：2009-02-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小岛章弘 ,  杉崎吉昭 ,  下冈义明

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00476

Abstract: 本发明涉及一种构建到半导体集成电路中的电器件。基底包括功能元件。绝缘的第一膜与基底一起形成容纳功能元件的腔体并且包括多个通孔。绝缘的第二膜覆盖所述多个通孔，形成在第一膜上，并且其透气性高于第一膜的透气性。绝缘的第三膜形成在第二膜上，并且其透气性低于第二膜的透气性。

公开(公告)号：EP2746218B1

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：EP13196317.5

申请日：2013-12-09

Applicant: Freescale Semiconductor, Inc.

Inventor： Steimle, Robert F. ,  Montez, Ruben B.

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B3/0005 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/06 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/115 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0874

Abstract: A method for reducing stiction in a MEMS device by decreasing surface area between two surfaces that can come into close contact is provided. Reduction in contact surface area is achieved by increasing surface roughness of one or both of the surfaces. The increased roughness is provided by forming a micro-masking layer on a sacrificial layer used in formation of the MEMS device, and then etching the surface of the sacrificial layer. The micro-masking layer can be formed using nanoclusters (520). When a next portion of the MEMS device is formed on the sacrificial layer (810), this portion will take on the roughness characteristics imparted on the sacrificial layer by the etch process. The rougher surface (910) decreases the surface area available for contact in the MEMS device and, in turn, decreases the area through which stiction can be imparted.

公开(公告)号：EP2833153B1

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：EP13769927.8

申请日：2013-03-15

Applicant: Akebono Brake Industry Co., Ltd. ,  Japan Oil, Gas and Metals National Corporation

Inventor： TSUNODA Takahiro ,  KUNIMI Takashi ,  SEKINE Toru

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  G01P15/08 ,  H01L29/84 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00531 ,  G01P15/0802 ,  Y10T29/41

Abstract: In a method for fabricating an electrostatic capacitance-type acceleration sensor having a capacitor which electrostatic capacitance between a movable electrode and a fixed electrode changes according to the displacement of the movable electrode, the method includes: a step of forming a groove on at least one of the surface of an insulative substrate and the surface of a semiconductor substrate; a step of forming a hole in the semiconductor substrate so as to penetrate the semiconductor substrate at a position communicating with a passage formed by the groove; and a step of forming an electrode extraction hole in the insulative substrate so as to penetrate the insulative substrate, at a position communicating with the passage formed by the groove.