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    METHOD OF FABRICATING A SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE
    51.
    发明公开
    METHOD OF FABRICATING A SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE 有权
    方法制造SOI结构

    公开(公告)号：EP1846321A1

    公开(公告)日：2007-10-24

    申请号：EP05702532.2

    申请日：2005-01-31

    Applicant: Freescale Semiconductor Inc.

    Inventor： RENAUD, Philippe ,  BERTRAND, Isabelle

    IPC: B81C1/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

    CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667

    Abstract: In the field of sensor fabrication, it is known to form a silicon-on-insulator starting structure from which fabrication of the sensor based. The present invention provides a method of forming a silicon-on-insulator structure comprising a substrate (102) having an insulating layer (104) patterned thereon. A silicon oxide layer (106) is then deposited over the patterned insulating layer (104) before silicon is grown over both an exposed surface of the substrate (102) as well as the silicon oxide layer (106), mono-crystalline silicon (108) forming on the exposed parts of the substrate (102) and polysilicon (110) forming on the silicon oxide layer (106). After depositing a capping layer 112 over the structure, the wafer is heated, whereby the polysilicon (110) re-crystallises to form mono-crystalline silicon (108), resulting in the insulating layer 104 being buried beneath mono-crystalline silicon.

    METHODS FOR PLANARIZATION AND ENCAPSULATION OF MICROMECHANICAL DEVICES IN SEMICONDUCTOR PROCESSES
    53.
    发明公开
    METHODS FOR PLANARIZATION AND ENCAPSULATION OF MICROMECHANICAL DEVICES IN SEMICONDUCTOR PROCESSES 失效
    方法创建的微观力学安排半导体工艺厚度均匀，包胶

    公开(公告)号：EP0820599A1

    公开(公告)日：1998-01-28

    申请号：EP96911652.0

    申请日：1996-04-09

    Applicant: ANALOG DEVICES, INCORPORATED

    Inventor： KUNG, Joseph, T.

    IPC: B81B3 ,  B81B7 ,  B81C1 ,  B81C99 ,  G01P1 ,  G01P15

    CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  G01P1/023 ,  G01P2015/0828

    Abstract: A method for fabricating a micromechanical device (48) and a semiconductor circuit (70) on a substrate (10) includes the steps of forming the micromechanical device (48) on a device area (58) of the substrate (10), the micromechanical device (48) being embedded in a sacrificial material (22, 34, 42), selectively depositing a planarization layer (54) on the substrate (10) in a circuit area (56) thereof, forming the semiconductor circuit (70) on the planarization layer (54) in the circuit area (56) and removing the sacrificial material (22, 34, 42) from the embedded micromechanical device (48). In a preferred embodiment, the planarization layer is an epitaxial silicon layer (54). A protective cap (98) may be formed over the micromechanical device (48), so that it is completely encapsulated and is thereby protected against particulate contamination.

    경화동안 휘발성 부산물 또는 잔류물을 발생하지 않는접촉 평탄화 재료
    54.
    发明授权
    경화동안 휘발성 부산물 또는 잔류물을 발생하지 않는접촉 평탄화 재료 有权
    联系平面化材料，在固化过程中产生无挥发性副产物或残留物

    公开(公告)号：KR100905134B1

    公开(公告)日：2009-06-29

    申请号：KR1020047006248

    申请日：2002-10-29

    Applicant: 브레우어 사이언스 인코포레이션

    Inventor： 시흐우셍 ,  램제임스이써드

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/4763

    CPC classification number: B81C1/0046 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  C08G59/68 ,  C08L63/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/312

    Abstract: 본 발명은 접촉 평탄화 공정에서 사용되는 때 경화 공정 동안 휘발성 부산물을 거의 발생하지 않는 평탄화 재료에 관한 것이다. 상기 재료는 평탄화공정 동안에 광조사에 의하여 또는 열에 의하여 경화될 수 있고, 단량체, 올리고머 또는 이들의 혼합물을 포함하고, 임의적인 성분으로서 가교제 및 유기 반응성 용매를 포함한다. 상기 용매가 사용되는 경우, 이는 상기 단량체 또는 올리고머와 화학적으로 반응함으로써 경화 공정 동안 상기 중합체 기질의 일부가 된다. 상기 평탄화 재료는 다마신, 듀얼 다마신, 이층 및 다층 소자, 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS), 패키징, 광학 소자, 광자 소자, 광전자 소자, 마이크로 전자 소자, 및 센서 소자의 제작을 위하여 사용될 수 있다.
    접촉 평탄화, 휘발성 부산물, 경화, 단량체, 올리고머, 가교제, 반응성 용매, 마이크로 전자 소자

    製造一絕緣層上覆矽結構的方法 METHOD OF FABRICATING A SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE
    56.
    发明专利
    製造一絕緣層上覆矽結構的方法 METHOD OF FABRICATING A SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE 审中-公开
    制造一绝缘层上覆硅结构的方法 METHOD OF FABRICATING A SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE

    公开(公告)号：TW200701339A

    公开(公告)日：2007-01-01

    申请号：TW095100764

    申请日：2006-01-09

    Applicant: 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

    Inventor： 菲利普 雷諾 RENAUD, PHILIPPE ,  伊莎貝爾 伯川德 BERTRAND, ISABELLE

    IPC: H01L

    CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667

    Abstract: 在感測器製造領域中,已知形成一絕緣層上覆矽結構,用該絕緣層上覆矽結構作為製造感測器的基礎。本發明提供一種形成一絕緣層上覆矽結構之方法,該絕緣層上覆矽結構包括一基板(102),該基板(102)上具有已圖案化之絕緣層(104)。接著,先在該已圖案化之絕緣層(104)上沉積一氧化矽層(106),其後才在該基板(102)之已曝露表面上以及該氧化矽層(106)上生長矽,單晶矽(108)形成在該基板(102)之已曝露部分上,以及多晶矽(110)形成在該氧化矽層(106)上。在該結構上沉積一遮蓋層層112之後,將晶圓加熱,藉此多晶矽(110)重新結晶,以形成單晶矽(108),導致該絕緣層104被埋入在單晶矽下方。

    Abstract in simplified Chinese: 在传感器制造领域中,已知形成一绝缘层上覆硅结构,用该绝缘层上覆硅结构作为制造传感器的基础。本发明提供一种形成一绝缘层上覆硅结构之方法,该绝缘层上覆硅结构包括一基板(102),该基板(102)上具有已图案化之绝缘层(104)。接着,先在该已图案化之绝缘层(104)上沉积一氧化硅层(106),其后才在该基板(102)之已曝露表面上以及该氧化硅层(106)上生长硅,单晶硅(108)形成在该基板(102)之已曝露部分上,以及多晶硅(110)形成在该氧化硅层(106)上。在该结构上沉积一遮盖层层112之后,将晶圆加热,借此多晶硅(110)重新结晶,以形成单晶硅(108),导致该绝缘层104被埋入在单晶硅下方。

    超小型電氣機械複合體元件之製造方法
    57.
    发明专利
    超小型電氣機械複合體元件之製造方法 失效
    超小型电气机械复合体组件之制造方法

    公开(公告)号：TWI223642B

    公开(公告)日：2004-11-11

    申请号：TW091137488

    申请日：2002-12-26

    Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

    Inventor： 池田浩一 KOICHI IKEDA ,  木下隆 KINOSHITA, TAKASHI

    IPC: B81C

    CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0119 ,  B81C2201/0125

    Abstract: 本發明係提供一種超小型電氣機械複合體(MEMS：Micro Electro Mechanical Systemns)元件之製造方法，用以謀求靜電驅動型MEMS元件之驅動側電極表面的平坦化。本發明之超小型電氣機械複合體元件之製造方法，係在基板上形成基板側電極，在犧牲層形成前或形成後形成流動性膜，更於被平坦化的表面上形成具有驅動側電極的樑部，然後除去犧牲層。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种超小型电气机械复合体(MEMS：Micro Electro Mechanical Systemns)组件之制造方法，用以谋求静电驱动型MEMS组件之驱动侧电极表面的平坦化。本发明之超小型电气机械复合体组件之制造方法，系在基板上形成基板侧电极，在牺牲层形成前或形成后形成流动性膜，更于被平坦化的表面上形成具有驱动侧电极的梁部，然后除去牺牲层。

    固化期間不產生揮發性副產物或殘留物之接觸平面化材料 CONTACT PLANARIZATION MATERIALS THAT GENERATE NO VOLATILE BYPRODUCTS OR RESIDUE DURING CURING
    58.
    发明专利
    固化期間不產生揮發性副產物或殘留物之接觸平面化材料 CONTACT PLANARIZATION MATERIALS THAT GENERATE NO VOLATILE BYPRODUCTS OR RESIDUE DURING CURING 审中-公开
    固化期间不产生挥发性副产物或残留物之接触平面化材料 CONTACT PLANARIZATION MATERIALS THAT GENERATE NO VOLATILE BYPRODUCTS OR RESIDUE DURING CURING

    公开(公告)号：TW200302251A

    公开(公告)日：2003-08-01

    申请号：TW091132263

    申请日：2002-10-31

    Applicant: 布瑞沃科學公司 BREWER SCIENCE, INC.

    Inventor： 石戊盛 WU-SHENG SHIH ,  詹姆斯E 藍博 三世 JAMES E. LAMB, III

    IPC: C08L

    CPC classification number: B81C1/0046 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  C08G59/68 ,  C08L63/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/312

    Abstract: 本發明係關於平面化材料，當用於接觸平面化法時，該平面化材料在硬化期間產生少量或不產生揮發性副產物。該材料能夠在平面化法期間藉照光或加熱而硬化，且該材料包括一種或多種形式單體、寡聚物或其混合物、選用之交聯劑和選用之有機反應性溶劑。溶劑(倘若使用)係與單體或寡聚物化學反應，所以在固化期間變成聚合物基質的一部份。這些材料能夠用於鑲嵌、雙重鑲嵌、雙層和多層應用、微電機系統(MEMS)、封裝、光學裝置、光子學、光電學、微電子學和感應器裝置加工成形。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于平面化材料，当用于接触平面化法时，该平面化材料在硬化期间产生少量或不产生挥发性副产物。该材料能够在平面化法期间藉照光或加热而硬化，且该材料包括一种或多种形式单体、寡聚物或其混合物、选用之交联剂和选用之有机反应性溶剂。溶剂(倘若使用)系与单体或寡聚物化学反应，所以在固化期间变成聚合物基质的一部份。这些材料能够用于镶嵌、双重镶嵌、双层和多层应用、微电机系统(MEMS)、封装、光学设备、光子学、光电学、微电子学和感应器设备加工成形。

    超小型電氣機械複合體元件之製造方法
    60.
    发明专利
    超小型電氣機械複合體元件之製造方法 失效
    超小型电气机械复合体组件之制造方法

    公开(公告)号：TW200307643A

    公开(公告)日：2003-12-16

    申请号：TW091137488

    申请日：2002-12-26

    Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

    Inventor： 池田浩一 KOICHI IKEDA ,  木下隆 KINOSHITA, TAKASHI

    IPC: B81C

    CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0119 ,  B81C2201/0125

    Abstract: 本發明係提供一種超小型電氣機械複合體（MEMS：MicroElectroMechanicalSystems）元件之製造方法，用以謀求靜電驅動型MEMS元件之驅動側電極表面的平坦化。本發明之超小型電氣機械複合體元件之製造方法，係在基板上形成基板側電極，在犧牲層形成前或形成後形成流動性膜，更於被平坦化的表面上形成具有驅動側電極的樑部，然後除去犧牲層。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种超小型电气机械复合体（MEMS：MicroElectroMechanicalSystems）组件之制造方法，用以谋求静电驱动型MEMS组件之驱动侧电极表面的平坦化。本发明之超小型电气机械复合体组件之制造方法，系在基板上形成基板侧电极，在牺牲层形成前或形成后形成流动性膜，更于被平坦化的表面上形成具有驱动侧电极的梁部，然后除去牺牲层。

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