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    Process Monitoring Apparatus and Method
    51.
    发明申请
    Process Monitoring Apparatus and Method 失效
    过程监控装置及方法

    公开(公告)号：US20010051437A1

    公开(公告)日：2001-12-13

    申请号：US09322912

    申请日：1999-06-01

    Inventor： JAMES P. CRUSE

    IPC: H01L021/66

    CPC classification number: B24B37/013 ,  B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  H01J37/32963 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: An apparatus capable of processing a wafer, comprises a chamber adapted to process the wafer, whereby one or more parameters of the process being conducted in the chamber may change during processing of the wafer; and a signal analyzer adapted to receive a plurality of input signals relating to the parameters and provide a output signal in relation to the input signals.

    Abstract translation: 能够处理晶片的装置包括适于处理晶片的室，由此在晶片的处理过程中在室内进行的工艺的一个或多个参数可能改变; 以及信号分析器，适于接收与参数相关的多个输入信号，并提供与输入信号相关的输出信号。

    Etch end point detector using gas flow changes
    52.
    发明授权
    Etch end point detector using gas flow changes 失效
    蚀刻端点检测器使用气体流量变化

    公开(公告)号：US4362596A

    公开(公告)日：1982-12-07

    申请号：US279127

    申请日：1981-06-30

    Applicant: Brian H. Desilets ,  Thomas A. Gunther

    Inventor： Brian H. Desilets ,  Thomas A. Gunther

    IPC: C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01J37/32935 ,  B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138

    Abstract: As etching progresses from one layer of material to another in reactive ion etching systems, the partial pressures of the reaction chamber gas components change. In constant pressure reactive ion etching systems, changes in chamber pressure are corrected by changes in the etchant species flow rate into the reaction chamber. By monitoring flow rate, information is obtained which may be used to identify the points where partial pressures change, and latter may, in turn, be used to derive etching points in the material being etched.

    Abstract translation: 当反应离子蚀刻系统中的蚀刻从一层材料进入另一层时，反应室气体组分的分压变化。 在恒压反应离子蚀刻系统中，室压力的变化通过进入反应室的蚀刻剂物质流速的变化来校正。 通过监测流量，获得可用于识别分压变化的点的信息，并且后者可以用于导出被蚀刻材料中的蚀刻点。

    Verfahren zur Herstellung oberflächenmikromechanischer Strukturen durch Ätzung mit einem dampfförmigen, flusssäurehaltigen Ätzmedium
    55.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung oberflächenmikromechanischer Strukturen durch Ätzung mit einem dampfförmigen, flusssäurehaltigen Ätzmedium 有权
    一种用于通过用蒸气，含有氢氟酸的蚀刻剂进行蚀刻产生表面微机械结构的过程

    公开(公告)号：EP1081093A2

    公开(公告)日：2001-03-07

    申请号：EP00115385.7

    申请日：2000-07-15

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： Laermer, Franz ,  Schilp, Andrea

    IPC: B81B3/00 ,  H01L21/00

    CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0138 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67086

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung oberflächenmikromechanischer Strukturen vorgeschlagen, wobei zunächst auf ein beheizbares Substrat (25) eine Opferschicht (2) deponiert und strukturiert wird, die zumindest weitgehend oder bereichsweise aus Siliziumdioxid besteht, und dann auf der Opferschicht (2) eine zweite Schicht (3) abgeschieden und strukturiert wird. Anschließend wird dann die Opferschicht (2) in einem Ätzprozeß durch ein dampfförmiges, flußsäurehaltiges Ätzmedium (24) entfernt, wodurch die oberflächenmikromechanischen Strukturen (9) entstehen. Weiter wird mit dem fortschreitenden Entfernen der Opferschicht (2) eine kontrollierte Veränderung der relativen Feuchtigkeit in dem Ätzmedium (24) vorgenommen.

    Abstract translation: 该方法包括用氢氟酸蒸气介质含蚀刻。 牺牲层，其中含有二氧化硅要么基本上或部分区域，沉积在可加热的基底和结构化。 第二层沉积到牺牲层和结构化和牺牲层与含有氢氟酸的表面离开微机械结构蒸气介质的蚀刻工艺被去除。 蚀刻介质的相对湿度的受控变化蚀刻期间进行。

    Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system
    56.
    发明公开
    Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system 失效
    Methode und Apparat zur Prozesskontrolle mittels mehrerer参数eines Halbleiterbehandlungssystemes

    公开(公告)号：EP0878842A1

    公开(公告)日：1998-11-18

    申请号：EP98303722.7

    申请日：1998-05-12

    Applicant: Applied Materials, Inc.

    Inventor： Cruse, James P.

    IPC: H01L21/66

    CPC classification number: B24B37/013 ,  B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  H01J37/32963 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The disclosure relates to a method and apparatus for providing process monitoring within a semiconductor wafer processing system (100) using multiple process parameters. Specifically, the apparatus includes a signal analyzer (122) which analyzes multiple process parameters from generators (108,110,114,120) and statistically correlates these parameters to detect a change in process characteristics such that the endpoint of an etch process may be accurately detected, as well as detecting other characteristics within the chamber (102). The multiple parameters may include optical emissia, environmental parameters such as pressure and temperature within the reaction chamber, RF power parameters such as reflected power or tuning voltage, and system parameters such as particular system configurations and control voltages.

    Abstract translation: 本公开涉及一种使用多个工艺参数在半导体晶片处理系统（100）内提供过程监控的方法和装置。 具体地，该装置包括信号分析器（122），其分析来自发生器（108,110,114,120）的多个工艺参数，并且统计地将这些参数相关联以检测工艺特性的变化，使得蚀刻工艺的端点可以被精确地检测，以及检测 室内的其它特征（102）。 多个参数可以包括光学辐射，环境参数，例如反应室内的压力和温度，RF功率参数，例如反射功率或调谐电压，以及诸如特定系统配置和控制电压的系统参数。

    Procédé de fabrication d une pièce de micro-mécanique et la pièce fabriquée à l'aide de ce procédé
    59.
    发明公开
    Procédé de fabrication d une pièce de micro-mécanique et la pièce fabriquée à l'aide de ce procédé 审中-公开
    一种用于生产mikromechanichen部分和部分地由该方法生产的方法

    公开(公告)号：EP2840059A1

    公开(公告)日：2015-02-25

    申请号：EP14181691.8

    申请日：2014-08-20

    Applicant: Sigatec SA

    Inventor： Glassey, Marc-André ,  Clivaz, Johannes

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138

    Abstract: La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une pièce de micro-mécanique, notamment d'une pièce d'horlogerie mécanique, par gravure à partir d'un substrat, le procédé comprenant au moins une première étape effectuée par gravure ionique réactive profonde (DRIE) avec les paramètres ajustés afin de réaliser une gravure produisant les flancs essentiellement verticaux, ainsi qu'une deuxième étape effectuée par gravure ionique réactive profonde (DRIE) avec les paramètres ajustés afin de réaliser une gravure produisant les flancs inclinées sous un angle prédéterminé par rapport à la verticale, la première et la deuxième étape étant réalisées de manière continue, sans arrêt de gravure. En outre, la présente invention se rapporte également à une pièce de micro-mécanique, notamment une pièce d'horlogerie mécanique, fabriquée à l'aide de ce procédé, ayant un profil de flancs latéraux prédéterminé.

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