公开(公告)号：CN107851598A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045424.7

申请日：2016-07-12

Applicant: 昕芙旎雅有限公司

Inventor： 河合俊宏 ,  谷山育志 ,  小宫宗一 ,  重田贵司

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67772 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67376 ,  H01L21/67389 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供在使FOUP和EFEM连通时防止大气进入到FOUP和EFEM内的门开闭系统和具备门开闭系统的装载端口。该门开闭系统包括：基体(41)，其构成将输送空间与外部空间隔离的壁的一部分；开口部(92)，其设于基体(41)；门(81)，其能够开闭开口部(92)；第1密封构件(94)，其用于将基体(41)和容器(7)之间密封；第2密封构件(96)，其用于将基体(41)和门(81)之间密封；密闭空间，在处于容器(7)隔着第1密封构件(94)与开口部(92)相抵接的状态时，该密闭空间由基体(41)、第1密封构件(94)、第2密封构件(96)、盖体(72)以及门(81)构成；第1气体注入部(87)，其用于向密闭空间注入气体；以及第2气体排出部(88)，其用于对密闭空间进行排气。

公开(公告)号：CN107665811A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710839679.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 康胡 ,  尚卡尔·斯娃米纳森 ,  钱俊 ,  金万基 ,  丹尼斯·豪斯曼 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  阿德里安·拉瓦伊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明涉及使用复合PEALD和PECVD方法的可变深宽比特征的间隙填充，具体提供了用于填充半导体衬底上的一个或多个间隙的方法及设备。公开的实施方式尤其适用于在窄特征和宽特征中进行无接缝无孔洞的填充。所述方法可以在没有任何中间蚀刻操作的情况下进行以获得单步沉积。在多种实施方式中，使用新型PEALD填充机理进行第一操作以填充窄间隙并且在宽间隙中形成衬里。可以使用PECVD方法进行第二操作以继续填充宽间隙。

公开(公告)号：CN107154370A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710110698.6

申请日：2017-02-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 八幡橘

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67376 ,  H01L21/67389 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置、半导体器件的制造方法，其能够提高对衬底的处理品质。该衬底处理装置具有：处理衬底的多个处理室；搬送衬底的搬送室；多个移载室，其设在搬送室与处理室之间，并与各处理室分别对应；多个闸阀，其设在搬送室与移载室之间；多个第一气体供给部，其设在搬送室内，并分别对从多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；搬送机械手，其设在搬送室内，并将衬底向移载室内搬送；和控制部，其控制多个第一气体供给部和搬送机械手，使得当第一气体供给部的供给孔与从闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当上述距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给非活性气体。

公开(公告)号：CN103000551B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201210201995.9

申请日：2012-06-06

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 森幸弘 ,  山岸孝之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/32265 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742

Abstract: 一种晶片加工设备，包括：在同一平面上具有用于加工晶片的相同容量的八个或十个反应器，它们构成四个或五个分立的单元，每个单元具有两个并排设置的反应器，反应器的前部对准在一条线上；晶片传送腔室，晶片传送腔室包括两个晶片传送自动机械臂，它们都具有至少两个终端受动器；加载锁定腔室；以及定序器，该定序器使用两个晶片传送自动机械臂来执行从单元中的任一个卸载加工好的晶片/将未加工的晶片加载到单元中的任一个的步骤以及在晶片位于单元中的一个内的同时依次从所有其它对应的单元卸载加工好的晶片/将未加工的晶片加载到所有其它对应的单元的步骤。

公开(公告)号：CN103119692B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201180044067.X

申请日：2011-08-09

Applicant: 诺发系统公司

Inventor： 基思·福克斯 ,  牛冬 ,  乔·沃马克 ,  曼迪亚姆·西里拉姆 ,  乔治·安德鲁·安东内利 ,  巴特·范施拉芬迪克 ,  珍妮弗·奥洛克林

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/505 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/8229

Abstract: 描述了一种用于沉积超平滑的含硅膜和膜堆叠的方法和硬件。在一种实施方式中，公开了在等离子体增强化学气相沉积装置中在衬底上形成含硅膜的方法的一种实施方式，该方法包括：供给含硅反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给共反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给电容耦合等离子体至该等离子体增强化学气相沉积装置的处理站，该等离子体包括从该含硅反应产生的硅自由基和从该共反应物产生的共反应物自由基；以及在该衬底上沉积该含硅膜，该含硅膜具有介于1.4和2.1之间的折射率，该含硅膜还具有在硅衬底上测量的小于或等于4.5埃的绝对粗糙度。

公开(公告)号：CN105895517A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610266919.4

申请日：2009-10-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马修·F·戴维斯 ,  肯尼斯·J·巴格 ,  特雷斯·莫瑞 ,  詹姆斯·D·卡达希

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68785 ,  Y10T428/24008 ,  Y10T428/24628 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67011 ,  H01L2221/67

Abstract: 本发明提供种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)温度控制底座，所述温度控制底座具有从所述温度控制底座径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；B)一对基板支架，所述一对基板支架包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或C)圆顶形窗。

公开(公告)号：CN103403852B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280010528.6

申请日：2012-02-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马丁·杰夫·萨里纳斯 ,  P·B·路透 ,  阿尼鲁达·帕尔 ,  杰瑞德·阿哈默德·里 ,  I·优素福

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32844 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明的实施例提供能处理基板的双负载闸室。在一实施例中，双负载闸室包括腔室主体，腔室主体界定互相隔离的第一腔室容积和第二腔室容积。下腔室容积和第二腔室容积中的每一个，经由配置以传送基板的两个开口，能选择性连接至两个处理环境。双负载闸室还包括设在第二腔室容积内的加热基板支撑组件。加热基板支撑组件经配置以支撑及加热放置于上的基板。双负载闸室还包括连接至第二腔室容积的远端等离子体源，用以供应等离子体给第二腔室容积。

公开(公告)号：CN105103266A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018007.4

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/324 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831

Abstract: 提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN104944160A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510143784.8

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社大亨

Inventor： 松尾英树

IPC: B65G49/05

CPC classification number: B25J11/0095 ,  B25J5/02 ,  B25J15/0014 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748

Abstract: 本发明提供能够延长寿命的输送装置。输送装置包括引导机构(2)和被引导机构(2)引导而进行移动的移动体(4)，移动体(4)包括：第一支承体(41A)，其具有与引导机构(2)卡合的第一卡合部(411A)，沿着第一方向X可移动地被引导机构(2)支承；第二支承体(41B)，其具有与引导机构(2)卡合的第二卡合部(411B)，沿着第一方向(X)可移动地被引导机构(2)支承；保持部(45)，其被第一支承体(41A)和第二支承体(41B)支承，用于保持工件(89)，在第一卡合部(411A)，因移动体(4)的变形而载荷有第一反向力矩(M12)，第一反向力矩(M12)是与在工件(89)被保持于保持部(45)的情况下因工件(89)的负荷而载荷于第一卡合部(411A)的力矩(M11)反向的力矩。

公开(公告)号：CN103021908B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210396242.8

申请日：2006-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·R·赖斯

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 于第一实施方式中，本发明提供用于半导体元件制造期间使用的主机。该第一主机包括(1)侧壁，可界定适于容设机械臂的中心传送区；(2)数个面，形成于该侧壁上，各适于耦接至处理室；以及(3)延伸面，形成于该侧壁上，可让该主机能耦接到至少四个全尺寸处理室，同时提供该主机的维护进出口。本发明亦揭示其它多种实施方式。