公开(公告)号：TW201737313A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106102819

申请日：2017-01-25

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 皮耶賀 迪特爾 ,  PIERREUX, DIETER ,  納盆 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER ,  宗補羅度 伯特 ,  JONGBLOED, BERT

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144

Abstract: 一種蝕刻終止層，其包括金屬氧化物，所述金屬氧化物包括由週期表的第4族金屬、週期表的第5族金屬、週期表的第6族金屬以及釔構成的族群中選出的金屬。金屬氧化物形成對於灰化及HF暴露具抗性的格外薄的層。使蝕刻終止層經受灰化及HF蝕刻方法兩者以移除小於0.3奈米的蝕刻終止層的厚度，且更佳移除小於0.25奈米的蝕刻終止層的厚度。蝕刻終止層可較薄且可具有約0.5奈米-2奈米的厚度。在一些實施例中，蝕刻終止層包括氧化鉭（TaO）。

Abstract in simplified Chinese: 一种蚀刻终止层，其包括金属氧化物，所述金属氧化物包括由周期表的第4族金属、周期表的第5族金属、周期表的第6族金属以及钇构成的族群中选出的金属。金属氧化物形成对于灰化及HF暴露具抗性的格外薄的层。使蚀刻终止层经受灰化及HF蚀刻方法两者以移除小于0.3奈米的蚀刻终止层的厚度，且更佳移除小于0.25奈米的蚀刻终止层的厚度。蚀刻终止层可较薄且可具有约0.5奈米-2奈米的厚度。在一些实施例中，蚀刻终止层包括氧化钽（TaO）。

公开(公告)号：TW201732069A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105132286

申请日：2016-10-06

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J. ,  圖敏南 馬可 ,  TUOMINEN, MARKO ,  霍它利 哈努 ,  HUOTARI, HANNU

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: B05D1/60 ,  B05D1/36 ,  B05D3/145 ,  B05D2505/50 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234

Abstract: 用於有機膜的氣相沈積的方法以及設備經設置以在第一溫度下氣化有機反應物，將蒸氣輸送至容納基板的反應腔室，並且將所述基板維持在低於氣化溫度的溫度下。所述基板與所述有機反應物以及第二反應物以依序沈積順序的交替接觸可致使以藉由其他方式難以達成的方式藉由有機膜自下而上填充空隙以及溝槽。提供有助於沈積有機膜的沈積反應器。

Abstract in simplified Chinese: 用于有机膜的气相沉积的方法以及设备经设置以在第一温度下气化有机反应物，将蒸气输送至容纳基板的反应腔室，并且将所述基板维持在低于气化温度的温度下。所述基板与所述有机反应物以及第二反应物以依序沉积顺序的交替接触可致使以借由其他方式难以达成的方式借由有机膜自下而上填充空隙以及沟槽。提供有助于沉积有机膜的沉积反应器。

公开(公告)号：TW201708605A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105122325

申请日：2016-07-15

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 川原潤 ,  KAWAHARA, JUN ,  賀加 蘇維 ,  HAUKKA, SUVI ,  尼森卡恩 安堤 ,  NISKANEN, ANTTI ,  多益斯 艾娃 ,  TOIS, EVA ,  梅特洛 雷傑 ,  MATERO, RAIJA ,  末盛 秀美 ,  SUEMORI, HIDEMI ,  安提拉 雅各 ,  ANTTILA, JAAKKO ,  森幸博 ,  MORI, YUKIHIRO

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45548 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 根據本文中的某些實施例，闡述用於沈積薄膜的方法及裝置。在某些實施例中，在多個站中執行薄膜沈積，其中每一站提供不同反應物或反應物的組合。所述站可彼此氣體隔離以最小化或防止所述不同反應物或反應物的組合之間的不期望的化學氣相沈積（CVD）及/或原子層沈積（ALD）反應。

Abstract in simplified Chinese: 根据本文中的某些实施例，阐述用于沉积薄膜的方法及设备。在某些实施例中，在多个站中运行薄膜沉积，其中每一站提供不同反应物或反应物的组合。所述站可彼此气体隔离以最小化或防止所述不同反应物或反应物的组合之间的不期望的化学气相沉积（CVD）及/或原子层沉积（ALD）反应。

公开(公告)号：TW201708592A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105126474

申请日：2016-08-19

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 鈴木俊哉 ,  SUZUKI, TOSHIYA ,  波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J. ,  陳尚 ,  CHEN, SHANG ,  山田令子 ,  YAMADA, RYOKO ,  石川大 ,  ISHIKAWA, DAI ,  難波邦年 ,  NAMBA, KUNITOSHI

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/513 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274

Abstract: 本發明提供在高壓條件下在反應空間中在基板上形成氮化矽薄膜的方法。所述方法可包括多個電漿增強原子層沈積（PEALD）循環，其中至少一個電漿增強原子層沈積沈積循環包括在反應空間內在20托至500托的製程壓力下使基板接觸氮電漿。在某些實施例中，矽前驅物是例如H2 SiI2 等鹵化矽烷。在某些實施例中，所述製程允許在三維結構上沈積具有改良的屬性的氮化矽膜。舉例而言，在稀釋的HF中，此類氮化矽膜可具有約1:1的頂表面上的濕蝕刻速率對側壁上的濕蝕刻速率的比率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供在高压条件下在反应空间中在基板上形成氮化硅薄膜的方法。所述方法可包括多个等离子增强原子层沉积（PEALD）循环，其中至少一个等离子增强原子层沉积沉积循环包括在反应空间内在20托至500托的制程压力下使基板接触氮等离子。在某些实施例中，硅前驱物是例如H2 SiI2 等卤化硅烷。在某些实施例中，所述制程允许在三维结构上沉积具有改良的属性的氮化硅膜。举例而言，在稀释的HF中，此类氮化硅膜可具有约1:1的顶表面上的湿蚀刻速率对侧壁上的湿蚀刻速率的比率。

公开(公告)号：TW201705365A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105103209

申请日：2016-02-02

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 尼斯卡嫩 安提 具哈尼 ,  NISKANEN, ANTTI JUHANI ,  安提拉 雅各 ,  ANTTILA, JAAKKO

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883

Abstract: 自銅表面移除保護膜的方法可包括：例如在100℃至400℃的溫度下將保護膜暴露至汽相有機反應物。在某些實施例中，保護膜可藉由將銅表面暴露至苯並三唑而已形成，例如可在化學機械平坦化製程期間發生。可執行所述方法作為用於積體電路製作的製程的一部分。可相對於基板的另一表面而選擇性地在經清潔的銅表面上沈積第二材料。

Abstract in simplified Chinese: 自铜表面移除保护膜的方法可包括：例如在100℃至400℃的温度下将保护膜暴露至汽相有机反应物。在某些实施例中，保护膜可借由将铜表面暴露至苯并三唑而已形成，例如可在化学机械平坦化制程期间发生。可运行所述方法作为用于集成电路制作的制程的一部分。可相对于基板的另一表面而选择性地在经清洁的铜表面上沉积第二材料。

公开(公告)号：TW201638377A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105103434

申请日：2016-02-03

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 賀加 蘇維 P. ,  HAUKKA, SUVI P. ,  多益斯 艾娃 ,  TOIS, EVA

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/06 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45525

Abstract: 本發明提供用於相對於不同的第二表面、選擇性地沈積基板的表面的方法。一種示例性沈積方法可包括：相對於基板的不同的第二表面（例如H封端的表面）、選擇性地在同一基板的第一表面（例如SiO2 表面）上沈積材料，例如包含鎳、氮化鎳、鈷、鐵、及/或氧化鈦的材料。方法可包括：在沈積之前對基板的表面進行處理以提供H封端。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于相对于不同的第二表面、选择性地沉积基板的表面的方法。一种示例性沉积方法可包括：相对于基板的不同的第二表面（例如H封端的表面）、选择性地在同一基板的第一表面（例如SiO2 表面）上沉积材料，例如包含镍、氮化镍、钴、铁、及/或氧化钛的材料。方法可包括：在沉积之前对基板的表面进行处理以提供H封端。

公开(公告)号：TW202030778A

公开(公告)日：2020-08-16

申请号：TW109112983

申请日：2018-05-17

Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 胡加勒 羅伯特 ,  HUGGARE, ROBERT

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683

Abstract: 本發明係關於一種化學沉積、處理及/或滲入裝置，其用於在一基板之一表面上或在一基板之一表面中提供一化學反應。該裝置可具有：一頂部反應室部件及一底部反應室部件，一起形成一可關閉反應室；及一致動器，其經建構及配置以將該頂部反應室部件及該底部反應室部件相對於彼此自一閉合位置移至一打開位置，以便允許進入該反應室之內部。一頂部基板固持器連接至該頂部反應室部件以至少在該反應室處於該打開位置時固持一基板，且一底部基板固持器連接至該底部反應室部件以在該反應室處於該關閉位置時固持該基板。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种化学沉积、处理及/或渗入设备，其用于在一基板之一表面上或在一基板之一表面中提供一化学反应。该设备可具有：一顶部反应室部件及一底部反应室部件，一起形成一可关闭反应室；及一致动器，其经建构及配置以将该顶部反应室部件及该底部反应室部件相对于彼此自一闭合位置移至一打开位置，以便允许进入该反应室之内部。一顶部基板固持器连接至该顶部反应室部件以至少在该反应室处于该打开位置时固持一基板，且一底部基板固持器连接至该底部反应室部件以在该反应室处于该关闭位置时固持该基板。

公开(公告)号：TWI700391B

公开(公告)日：2020-08-01

申请号：TW105122325

申请日：2016-07-15

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 川原潤 ,  KAWAHARA, JUN ,  賀加 蘇維 ,  HAUKKA, SUVI ,  尼森卡恩 安堤 ,  NISKANEN, ANTTI ,  多益斯 艾娃 ,  TOIS, EVA ,  梅特洛 雷傑 ,  MATERO, RAIJA ,  末盛 秀美 ,  SUEMORI, HIDEMI ,  安提拉 雅各 ,  ANTTILA, JAAKKO ,  森幸博 ,  MORI, YUKIHIRO

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/205

公开(公告)号：TW202026458A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108132009

申请日：2019-09-05

Applicant: 荷蘭商ASM IP私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 嚴基喆 ,  UM, KICHUL ,  韓政勳 ,  HAN, JEUNGHOON ,  金頭漢 ,  KIM, DOOHAN ,  韓鎔圭 ,  HAN, YONGGYU ,  柳太熙 ,  YOO, TAEHEE ,  林完奎 ,  LIM, WANGYU ,  高東鉉 ,  KO, DONGHYUN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02

Abstract: 一種相對於包含一圖案結構的一基板的薄膜沉積方法包括：藉由經設置在一基板下方的一元件供應射頻功率；在基板的暴露於一反應空間的一暴露表面上形成一電位；使用電位在反應空間中將活性物質移動到暴露表面；以及在基板的暴露表面上形成包含活性物質成分的一薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种相对于包含一图案结构的一基板的薄膜沉积方法包括：借由经设置在一基板下方的一组件供应射频功率；在基板的暴露于一反应空间的一暴露表面上形成一电位；使用电位在反应空间中将活性物质移动到暴露表面；以及在基板的暴露表面上形成包含活性物质成分的一薄膜。

公开(公告)号：TWI693294B

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：TW105116389

申请日：2016-05-26

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 薩尼特 蒂納 ,  SARNET, TIINA ,  哈坦帕 堤摩 ,  HATANPAA, TIMO ,  里塔拉 邁可 ,  RITALA, MIKKO ,  雷凱拉 馬克 ,  LESKELA, MARKKU

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C07C49/92