公开(公告)号：KR1020080093904A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：KR1020080035301

申请日：2008-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  나카무라미치카즈

IPC: H05H1/36 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32532 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4682

Abstract: A plasma processing apparatus and a high frequency short-circuit apparatus are provided to divide a potential difference between a ground substrate and a wall of a container using a condenser and a short-circuit plate. A plasma processing apparatus includes a container(11), a lower electrode, an upper electrode, a high frequency power source(20), a ground substrate(26), and a short-circuit plate(36). A substrate is contained in the container. The lower electrode is arranged in the container. The substrate is mounted on the lower electrode. The upper electrode is arranged to be opposed to the lower electrode and provides a process gas into the container. The high frequency power source is connected to at least one of the lower and upper electrodes. The ground substrate supports at least one of the lower and upper electrodes with an insulator between them and is arranged to be apart from a wall of the container. The short-circuit plate short-circuits the ground substrate to the wall of the container. A condenser is applied between the short-circuit plate and the wall of the container. The condenser is formed on the wall of the container.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和高频短路装置，以使用冷凝器和短路板来划分接地基板和容器壁之间的电位差。 等离子体处理装置包括容器（11），下电极，上电极，高频电源（20），接地衬底（26）和短路板（36）。 容器内容纳有基材。 下电极布置在容器中。 基板安装在下电极上。 上电极被布置成与下电极相对并且将处理气体提供到容器中。 高频电源连接到下电极和上电极中的至少一个。 接地衬底支撑下电极和上电极中的至少一个，在它们之间具有绝缘体，并且布置成与容器的壁分离。 短路板将接地基板短路到容器的壁上。 在短路板和容器的壁之间施加冷凝器。 冷凝器形成在容器的壁上。

公开(公告)号：KR100623829B1

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020050035562

申请日：2005-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무 ,  사토료 ,  사사키가즈오 ,  사이토히토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 본 발명은 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에 있어서 캐소드 전극과 처리 용기의 벽부 사이에서 플라즈마가 발생하는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다. 하부 전극과 처리 용기 사이에 용량 성분을 포함하는 임피던스 조정부를 설치한다. 임피던스 조정부는 상부 전극으로부터 플라즈마, 하부 전극 및 처리 용기의 벽부를 거쳐 정합 회로의 접지 하우징에 이르기까지의 경로의 임피던스값을 상부 전극으로부터 플라즈마 및 처리 용기의 벽부를 거쳐서 상기 정합 회로의 접지 하우징에 이르기까지의 임피던스값보다도 작게 한다. 이로써, 균일성이 높은 플라즈마를 발생시킬 수 있다.

Abstract translation: 本发明的目的在于，抑制平行平板型等离子体处理装置中的阴极电极与处理容器的壁部之间的等离子体的产生。 在下部电极和处理室之间设置包含电容成分的阻抗调整单元。 阻抗调整部是从上部电极的等离子体，下部电极向下通过，并通过该等离子体和处理容器从所述匹配电路的接地壳体的上部电极部导致到接地外壳的路径的阻抗值的处理容器匹配电路壁的壁部 小于阻抗值。 因此，可以产生具有高均匀性的等离子体。

公开(公告)号：KR1020060047589A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050035562

申请日：2005-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무 ,  사토료 ,  사사키가즈오 ,  사이토히토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 본 발명은 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에 있어서 캐소드 전극과 처리 용기의 벽부 사이에서 플라즈마가 발생하는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다. 하부 전극과 처리 용기 사이에 용량 성분을 포함하는 임피던스 조정부를 설치한다. 임피던스 조정부는 상부 전극으로부터 플라즈마, 하부 전극 및 처리 용기의 벽부를 거쳐 정합 회로의 접지 하우징에 이르기까지의 경로의 임피던스값을 상부 전극으로부터 플라즈마 및 처리 용기의 벽부를 거쳐서 상기 정합 회로의 접지 하우징에 이르기까지의 임피던스값보다도 작게 한다. 이로써, 균일성이 높은 플라즈마를 발생시킬 수 있다.