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    고주파 플라즈마 처리 장치 및 고주파 플라즈마 처리 방법
    1.
    发明授权
    고주파 플라즈마 처리 장치 및 고주파 플라즈마 처리 방법 有权

    公开(公告)号：KR101768761B1

    公开(公告)日：2017-08-17

    申请号：KR1020150023092

    申请日：2015-02-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 도조도시히로 ,  사사키가즈오

    IPC: H01L21/02

    Abstract: (과제) 고주파전력이인가되는전극에접촉하는절연물의부분에서연면방전이생기기어려운고주파플라즈마처리장치및 고주파플라즈마처리방법을제공한다. (해결수단) 절연물(17)에접촉한전극(13)을갖고, 전극(13)에고주파전력을인가하고, 그것에의해생긴플라즈마에의해기판(G)을플라즈마처리하는고주파플라즈마처리장치는, 기판(G)에대해서플라즈마처리를행하는처리실(4)과, 절연물(17)에접촉한상태의전극(13)을수용하는전극수용부(3)와, 전극(13)에고주파전력을인가하는고주파전원(15)과, 전극수용부(3) 내의습도를, 전극수용부(3) 내에서연면방전이생기지않도록조정하는습도조정수단(58)을구비한다.

    유도 결합 플라즈마 처리 장치
    2.
    发明授权
    유도 결합 플라즈마 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101768744B1

    公开(公告)日：2017-08-17

    申请号：KR1020140012982

    申请日：2014-02-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 도조도시히로 ,  사토요시츠토무 ,  사사키가즈오

    IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

    Abstract: 대형피처리기판에대해, 분할타입의유전체창을이용해서균일한플라즈마처리를행할수 있는유도결합플라즈마처리장치를제공한다. 직사각형형상의기판에유도결합플라즈마처리를실시하는유도결합플라즈마처리장치는, 기판을수용하는처리실과, 처리실내의기판이배치되는영역에유도결합플라즈마를생성하기위한고주파안테나와, 유도결합플라즈마가생성되는플라즈마생성영역과고주파안테나사이에배치되며, 기판에대응해서마련된직사각형형상을이루는유전체창을구비하고, 고주파안테나는유전체창에대응하는면 내에주회하도록마련되고, 유전체창(2)은긴 변(2a)을포함하는제 1 분할편(201)과, 짧은변(2b)을포함하는제 2 분할편(202)을포함하도록, 금속제의지지빔(6)에의해복수의분할편으로분할되며, 제 2 분할편(202)의직경방향의폭 a와제 1 분할편(201)의직경방향의폭 b의비 a/b가 0.8 이상 1.2 이하의범위가되도록분할되어있다.

    유도 결합 플라즈마 처리 장치
    4.
    发明公开
    유도 결합 플라즈마 처리 장치 有权
    电感耦合等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020140103838A

    公开(公告)日：2014-08-27

    申请号：KR1020140012982

    申请日：2014-02-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 도조도시히로 ,  사토요시츠토무 ,  사사키가즈오

    IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

    Abstract: Disclosed is an inductively coupled plasma processing apparatus which performs a uniform plasma processing against a large treated substrate by means of a division type dielectric window. The inductively coupled plasma processing apparatus which performs the inductively coupled plasma processing on a rectangular substrate comprises: a processing room accommodating the substrate; a high frequency antenna to make inductively coupled plasma on the area whereby the substrate accommodated in the processing room is located; and a rectangular dielectric window arranged corresponding to the substrate and located between the plasma producing area and the high frequency antenna. The high frequency antenna is arranged on a surface corresponding to the dielectric window and is capable of winding. The dielectric window (2) is divided into a plurality of divisions by a support beam (6) of a metal material to include a first division (201) having a long side (2a) and a second division (202), wherein a width ratio of the width (a) of the second division (202) in a diameter direction and the width (b) of the first division (201) in a diameter direction is between 0.8 or more and 1.2 or less.

    Abstract translation: 公开了一种电感耦合等离子体处理装置，其通过分割型电介质窗对大的经处理的基板执行均匀的等离子体处理。 在矩形基板上进行电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置包括：容纳基板的处理室; 高频天线，用于在容纳在处理室中的基板所在的区域上形成电感耦合等离子体; 以及相对于衬底布置并位于等离子体产生区域和高频天线之间的矩形电介质窗口。 高频天线布置在与电介质窗口相对应的表面上并能够卷绕。 电介质窗（2）由金属材料的支撑梁（6）分成多个分隔，以包括具有长边（2a）和第二分割（202）的第一分割（201），其中宽度 第二分割部202的直径方向的宽度（a）与第一分割部（201）的直径方向的宽度（b）之比为0.8以上且1.2以下。

    유도 결합 플라즈마 처리 장치
    5.
    发明授权
    유도 결합 플라즈마 처리 장치 有权
    电感耦合等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR101406432B1

    公开(公告)日：2014-06-13

    申请号：KR1020120040771

    申请日：2012-04-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사사키가즈오 ,  도죠도시히로

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/507

    Abstract: 피처리 기판의 대형화에 대응하여 유전체 윈도우부를 1변 당 3 이상으로 분할하고 종래 기술보다도 다수의 분할 부분으로 분할한 경우에도, 처리실 내에 강한 플라즈마를 발생시키는 것이 가능한 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
    처리실 내의 플라즈마 생성 영역에 유도 결합 플라즈마를 발생시키는 고주파 안테나(11a 내지 11c)와, 플라즈마 생성 영역과 고주파 안테나(11a 내지 11c)의 사이에 배치되고, 복수의 유전 부재(3a 내지 3h)와, 상기 복수의 유전 부재(3a 내지 3h)를 지지하는 도전성 빔(7)을 포함하는 유전체 윈도우부(3)를 구비하며, 도전성 빔(7)이 유전체 윈도우부(3)를 1변 당 3 이상으로 분할하고, 또한, 도전성 빔(7)에는, 도전성 빔(7)이 유전체 윈도우부(3)를 1변 당 3 이상으로 분할했을 때에 유전체 윈도우부(3)의 중앙 부분에 고주파 안테나(11a, 11b)를 따라 생기는 폐루프 회로(200)가 없다.

    Abstract translation: 响应于在所述衬底通过电介质窗部至少3分割每一侧，以提供能够产生在所述处理室中的强等离子体即使当分割成多个分割部分的比现有技术的感应耦合等离子体处理装置的尺寸的增加 。

    처리 장치
    6.
    发明公开
    처리 장치 无效
    治疗装置

    公开(公告)号：KR1020110020879A

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：KR1020110002717

    申请日：2011-01-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 도조도시히로 ,  사사키가즈오

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01L21/67069

    Abstract: PURPOSE: A treatment apparatus is provided to improve the uniformity of a plane to be processed by discharging process gases which is not reached to a target and is not reacted with it. CONSTITUTION: In a treatment apparatus, a mounting unit(3) for a substrate(S) is formed in the upper part of a processing container. . A processing gas supply unit(44) supplies process gases from the upper part of the mounting unit. A gas discharge unit discharges gases inside the processing container. An air guide member(5) is arranged around the mounting unit. An elevating mechanism(35) raises the air current guide member.

    Abstract translation: 目的：提供一种处理装置，以通过排出未到达目标并且不与其反应的处理气体来提高待处理平面的均匀性。 构成：在处理装置中，在处理容器的上部形成有用于基板（S）的安装单元（3）。 。 处理气体供应单元（44）从安装单元的上部供应处理气体。 气体放电单元排出处理容器内的气体。 安装单元周围布置有引导构件（5）。 升降机构（35）升起气流引导构件。

    플라즈마 처리 장치
    7.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 失效
    等离子处理设备

    公开(公告)号：KR100884413B1

    公开(公告)日：2009-02-19

    申请号：KR1020070023637

    申请日：2007-03-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사사키가즈오 ,  미나미마사토 ,  도죠도시히로

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: 처리 용기의 대형화 또는 고주파 전원이 한층 더 고주파화하는 것에 관계없이 플라즈마의 면내 균일성이 높고, 온도 제어가 용이한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
    플라즈마 처리 장치의 처리 용기(2)와, 이 처리 용기(2)의 벽부를 덮도록 마련된 도전체로 이루어진 내벽판(6) 사이에 임피던스 조정부(60)를 접속하고, 캐소드 전극인 하부 전극(5)으로부터 플라즈마, 내벽판(6) 및 처리 용기(2)의 벽부를 거쳐서 접지 케이스인 매칭 박스(42)에 이르기까지의 임피던스 값이 하부 전극(5)으로부터 플라즈마, 애노드 전극인 상부 전극(3), 처리 용기(2)를 거쳐서 접지 케이스인 매칭 박스(42)에 이르기까지의 임피던스 값보다 크게 한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，无论处理容器是否扩大或高频电源的频率进一步提高，都具有高等离子体的面内均匀性和容易的温度控制。

    플라즈마 처리 장치
    8.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020030028394A

    公开(公告)日：2003-04-08

    申请号：KR1020020058297

    申请日：2002-09-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사사키가즈오 ,  스에키히데히토 ,  사토요시츠토무 ,  니시무라미치오

    IPC: H05H1/26

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to be capable of preventing foreign substance from being attached at a dielectric part between a high frequency antenna and a plasma generating part. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus(100) is provided with a high frequency antenna(112), a high frequency supply voltage source(160) connected to the high frequency antenna, and a susceptor(106) for loading a process object body. The plasma processing apparatus further includes a dielectric part(120) between the high frequency antenna and the susceptor, a conductive part(170) between the high frequency antenna and the dielectric part, a ground circuit(180) connected to the conductive part, and an inductor(302) installed at the ground circuit.

    Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以能够防止异物附着在高频天线和等离子体产生部件之间的介质部分。 构成：等离子体处理装置（100）设置有高频天线（112），连接到高频天线的高频电源（160），以及用于加载处理对象体的基座（106）。 等离子体处理装置还包括在高频天线和基座之间的介质部分（120），高频天线和电介质部分之间的导电部分（170），连接到导电部分的接地电路（180），以及 安装在接地电路上的电感器（302）。

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