公开(公告)号：KR102000797B1

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：KR1020140078688

申请日：2014-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사이토히토시 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  나이토하지메

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR101850193B1

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：KR1020150178938

申请日：2015-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  사사키요시히코 ,  헴미아츠시 ,  사이토히토시

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: (과제) 플라즈마처리를행할때에이용되는, 포커스링(6)을구비한탑재대(2)에있어서, 수직방향의전계에기인하는포커스링(6)의깎임을억제하여파티클을저감하는것. (해결수단) 유리기판 G가탑재되는탑재대본체(2)를, 측주면이평탄한기둥형상의구조로하고, 포커스링(6)의아래쪽에서탑재대본체(2)를둘러싸도록또한탑재대본체(2)의측주면에압접되도록측부절연부재(31)를마련하고있다. 따라서, 포커스링(6)의바로밑에는탑재대본체(2)가존재하지않으므로, 포커스링(6)에수직방향의전계가발생하지않게되어, 포커스링(6)의깎임을억제할수 있다. 또한하부전극(20)의측주면에측부절연부재(31)를압접시키고, 보조절연부재(32)를절연스페이서부재(28)에압접시킴과아울러, 측부절연부재(31)와, 보조절연부재(32)의틈을미로구조로하는것에의해, 이상방전을억제할수 있다.

公开(公告)号：KR101775751B1

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：KR1020130134997

申请日：2013-11-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사토요시츠토무 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명의과제는대형의피처리기판에대해서, 금속창을사용하여균일한플라즈마처리를실행할수 있는유도결합플라즈마처리장치를제공하는것이다. 직사각형의기판에유도결합플라즈마처리를실시하는유도결합플라즈마처리장치로서, 기판을수용하는처리실과, 처리실내의기판이배치되는영역에유도결합플라즈마를생성하기위한고주파안테나와, 유도결합플라즈마가생성되는플라즈마생성영역과고주파안테나사이에배치되고, 기판에대응하여마련된직사각형을이루는금속창을구비하고, 금속창(2)은장변(2a)을포함하는제 1 영역(201)과, 단변(2b)을포함하는제 2 영역(202)으로전기적으로절연되도록분할되고, 또한제 2 영역(202)의반경방향의폭(a)과제 1 영역(201)의반경방향의폭(b)의비(a/b)가 0.8 이상 1.2 이하의범위가되도록분할되어있다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种用于将要处理的大型基板，感应，这可以通过使用耦合型等离子体处理装置中的金属窗口运行一个均匀的等离子体处理。 对于矩形衬底上进行的感应耦合等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置，和用于产生在所述处理室中的电感耦合等离子体，并且其中所述基板设置在处理室中，用于接收所述衬底的区域中的高频天线，则产生感应耦合等离子体 它被设置在等离子体生成区域和所述高频天线是之间，设置有金属窗形成与所述衬底，金属窗口相对应地布置的矩形，（2）的第一区域201和短边包括eunjang侧（2A）（2B ），第二区域202被划分，以便被电绝缘，并且第二区域202，在第一区域（201）的径向方向上的宽度（a）中分配宽度，（b）中UIBI（一个在容纳的径向方向 / b）在0.8以上且1.2以下的范围内。

公开(公告)号：KR101351661B1

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：KR1020110089659

申请日：2011-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 직사각형 기판에 정면 대향한 상태의 플라즈마를 생성할 수 있는 안테나 유닛 및 그것을 이용하여 직사각형 기판에 균일한 플라즈마 처리를 실행할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 윤곽이 직사각형 형상을 이루는 평면형의 안테나(13a)를 갖는 안테나 유닛에 있어서, 안테나(13a)는, 복수의 안테나선(61, 62, 63, 64)을 동일 평면 내에 있어서 변의 중앙부의 권선수보다 코너부의 권선수가 많아지도록 권회하여 전체가 와류 형상이 되도록 구성되어, 안테나선의 배치 영역이 액자 형상을 이루며, 안테나(13a)의 외곽선(65) 및 내곽선(66)으로 둘러싸인 액자 영역(67)이 안테나(13a)의 대향하는 두 변을 가로지르는 중심선에 대해 선대칭이 되도록, 각 안테나선에 굴곡부(68)가 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020120136289A

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：KR1020120057484

申请日：2012-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01Q1/366 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: PURPOSE: An antenna unit for inductively coupled plasma and an apparatus for processing the inductively coupled plasma are provided to control electric field intensity of an edge portion and a central portion of a side by supplying high frequency power to a first antenna unit and second antenna unit, respectively. CONSTITUTION: A part forming an induced electric field of an antenna(13) comprises a rectangular shaped plane corresponding to a rectangular substrate. A first antenna portion(13a) is formed by winding a plurality of antenna wires in a spiral shape. The plurality of antenna wires of the first antenna portion forms four edge portions for the rectangular shaped plane. The plurality of antenna wires of the first antenna portion combines four edge portions at a position which is different from the rectangular shaped plane. A second antenna portion(13b) forms the central portion of the four sides of the rectangular shaped plane. The plurality of antenna wires of the second antenna portion is prepared in order to combine the central portion of four sides at the position which is different from the rectangular shaped plane.

Abstract translation: 目的：提供用于电感耦合等离子体的天线单元和用于处理电感耦合等离子体的设备，以通过向第一天线单元和第二天线单元提供高频功率来控制边缘部分和侧面的中心部分的电场强度 ， 分别。 构成：形成天线（13）的感应电场的部分包括对应于矩形基板的矩形平面。 第一天线部分（13a）通过将多根天线线缠绕成螺旋形而形成。 第一天线部分的多个天线布线形成矩形平面的四个边缘部分。 第一天线部分的多个天线线在与矩形平面不同的位置处组合四个边缘部分。 第二天线部分（13b）形成矩形平面四边的中心部分。 制备第二天线部分的多根天线，以便在不同于矩形平面的位置处组合四边的中心部分。

公开(公告)号：KR1020120025430A

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020110089659

申请日：2011-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01Q1/366 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: PURPOSE: An antenna unit and an inductance coupling plasma processing apparatus are provided to face a frame area on a rectangular substrate corresponding to a plasma producing area by the formation of a bent portion on each antenna wire. CONSTITUTION: An antenna unit has a flat antenna(13a) having a rectangular shape. The antenna comprises a plurality of antenna wires(61,62,63,64). The antenna wire has a vortex shape. The frame area is surrounded by the outline and inline of the antenna. The frame area is formed in order to be symmetric linearly to the central line crossing two sides of the antenna which face to each other. A bent portion(68) is formed in each antenna wire.

Abstract translation: 目的：通过在每个天线线上形成弯曲部分，提供天线单元和电感耦合等离子体处理装置，以面对对应于等离子体产生区域的矩形基板上的框架区域。 构成：天线单元具有矩形形状的平坦天线（13a）。 天线包括多个天线导线（61,62,63,64）。 天线线具有涡流形状。 框架区域被天线的轮廓线和内嵌线包围。 框架区域被形成为与穿过彼此面对的天线两侧的中心线线性对称。 在每根天线中形成弯曲部分（68）。

公开(公告)号：KR101058310B1

公开(公告)日：2011-08-22

申请号：KR1020090025456

申请日：2009-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  사이토히토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to suppress damage or exhaustion of a member or a substrate in a processing container. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus is composed of an exhaust pipe(241), a conductive member, and a dielectric(32). The exhaust pipe is arranged around a cathode electrode and processes a gas. The conductive member covers the exhaust pipe. The conductive member includes an opening conducting the process gas exhausted to the exhaust pipe, and a dielectric is interposed between the wall of a processing container(20) and the conductive member. The conductive member is a metal, and a dielectric is the ceramics.

公开(公告)号：KR100960408B1

公开(公告)日：2010-05-28

申请号：KR1020080049650

申请日：2008-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  사이토히토시

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 파티클을 발생시키지 않고, 수용실 내 공간에서 플라즈마를 균일하게 분포시킬 수 있는 기판 처리 시스템을 제공한다. 이를 위해서, 기판 처리 시스템(10)은, 3개의 플라즈마 처리 장치(13)와, 각 플라즈마 처리 장치(13)로 유리 기판 G를 반출입하는 반송실(11)을 구비하되, 각 플라즈마 처리 장치(13)는 기판 G를 수용하는 직방체 형상의 챔버(18)를 갖고, 챔버(18)는 측벽(18a)만이 반송실(11)과 접하여, 측벽(18a)에는 반송실(11)과 연통하는 반송구(31)가 개구하고, 측벽(18a)과 대향하는 측벽(18b)에는 개구부(32)가 개구하여, 반송구(31)의 개구 형상과, 개구부(32)의 개구 형상이 동일하다.

公开(公告)号：KR100908506B1

公开(公告)日：2009-07-20

申请号：KR1020070107831

申请日：2007-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토히토시 ,  사토료 ,  사사키요시히코

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 평행 평판 전극 사이에서 고주파 전력에 의해 플라즈마를 발생시키는 데에 있어서, 고주파 전류의 리턴 경로의 전기 저항을 작게 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 승강이 자유로운 애노드 전극을 이루는 상부 전극(3)에 도전성의 승강봉(51a, 51b)을 거쳐서 처리 용기(2) 밖에 있어서 도전성의 이동측 접촉 부재(5a, 5b)를 마련한다. 한편, 처리 용기(2)의 외부에는 도전성의 지지 부재(61∼63)를 거쳐, 플라즈마 처리를 하는 위치에 상기 상부 전극(3)이 설정되었을 때에, 상기 이동측 접촉 부재(5a, 5b)와 접촉하여 고주파 전류의 리턴 경로를 형성하도록 도전성의 고정측 접촉부(71∼73)를 마련한다. 고주파 전류는, 하부 전극(4)→플라즈마→상부 전극(3)→승강봉(51a, 51b)→이동측 접촉 부재(5a, 5b)→고정측 접촉부(71∼73)→지지 부재(61∼63)→처리 용기(2)→고주파 전원부(44)의 접지측의 경로로 흐르기 때문에, 상기 리턴 경로의 전기 저항을 작게 할 수 있다.

Abstract translation: 等离子体处理装置，等离子体处理方法和记录介质被提供用于通过使高频电流通过低电阻部件和处理容器流入高频源的接地部分来可靠地产生稳定的等离子体。 导电活动接触件（5a，5b）通过处理容器（2）外部的导电升降杆（51a，51b）设置在上电极（3）上。 上电极通过导电支撑构件（61-63）布置在处理容器外部的等离子体处理位置上。 固定接触构件被布置成与移动接触构件接触，使得形成高频电流返回路径。 高频电流依次通过上电极，升降杆，动触头部件，固定触头部件，支撑部件和处理容器从下电极（4）流向高频源（44）。

公开(公告)号：KR1020090052819A

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：KR1020080115911

申请日：2008-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  사이토히토시 ,  야마모토고지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 장치 비용 및 전력 비용을 높이지 않고, 플라즈마 처리 도중에 플라즈마 상태의 제어를 행할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
처리실(4) 상방에 유전체벽(2)을 통해서 고주파 전력이 공급됨으로써 처리실(4) 내에 유도 전계를 형성하는 고주파 안테나(13)를 배치하고, 유도 전계에 의해 상기 처리실 내에 형성되는 유도 결합 플라즈마의 발광 상태를 플라즈마 발광 상태 검출부(40)에 의해 검출하며, 이 플라즈마 발광 상태 검출부(40)의 검출 정보에 기초해서, 제어 수단(50)이 고주파 안테나를 포함하는 안테나 회로의 특성을 조절하는 조절 수단(21)을 제어하고, 이것에 의해 플라즈마 상태를 제어한다.