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公开(公告)号：KR100717280B1
公开(公告)日：2007-05-15
申请号：KR1020050076884
申请日：2005-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C8/14 , G11C16/0483 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11568
Abstract: 반도체 기억 장치의 셀 어레이 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 장치의 셀 어레이는 반도체 기판과 상기 반도체 기판에 정의된 활성영역을 포함한다. 상기 활성영역은 상기 반도체 기판에 정의된 제 1 영역과, 상기 제 1 영역에 연하여 상기 제 1 영역의 양측에 정의되며 상기 제 1 영역의 주면(main surface)과 레벨이 다른 주면을 가지는 제 2 영역으로 이루어진다. 상기 활성영역의 기판을 일부분 식각하여 제 1 영역에 비해 낮게 리세스된 제 2 영역을 형성하거나, 제 2 영역에 비해 낮게 리세스된 제 1 영역을 형성할 수 있고, 상기 활성영역의 일부분에 반도체층을 에피택시얼 성장하여 제 1 영역보다 높은 제 2 영역을 형성하거나, 제 2 영역보다 높은 제 1 영역을 형성할 수 있다.
리세스 채널, 비휘발성, SONOSAbstract translation: 提供了半导体存储器件的单元阵列及其形成方法。 器件的单元阵列包括半导体衬底和在半导体衬底中限定的有源区。 其中有源区包括限定在半导体衬底上的第一区和限定在与第一区关联的第一区的两侧并且具有与第一区的主表面不同的电平的第二区， Lt。 有源区的衬底可以被部分蚀刻以形成比第一区低的第二区或比第二区低的第一区， 可以外延生长层以形成比第一区域高的第二区域或比第二区域高的第一区域。
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公开(公告)号：KR1020070022901A
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020050076884
申请日：2005-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C8/14 , G11C16/0483 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11568
Abstract: 반도체 기억 장치의 셀 어레이 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 장치의 셀 어레이는 반도체 기판과 상기 반도체 기판에 정의된 활성영역을 포함한다. 상기 활성영역은 상기 반도체 기판에 정의된 제 1 영역과, 상기 제 1 영역에 연하여 상기 제 1 영역의 양측에 정의되며 상기 제 1 영역의 주면(main surface)과 레벨이 다른 주면을 가지는 제 2 영역으로 이루어진다. 상기 활성영역의 기판을 일부분 식각하여 제 1 영역에 비해 낮게 리세스된 제 2 영역을 형성하거나, 제 2 영역에 비해 낮게 리세스된 제 1 영역을 형성할 수 있고, 상기 활성영역의 일부분에 반도체층을 에피택시얼 성장하여 제 1 영역보다 높은 제 2 영역을 형성하거나, 제 2 영역보다 높은 제 1 영역을 형성할 수 있다.
리세스 채널, 비휘발성, SONOS-
公开(公告)号：KR100640564B1
公开(公告)日：2006-10-31
申请号：KR1020000001996
申请日：2000-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼가 로딩되는 반응 챔버와, 상기 반응 챔버 상에 소스 가스를 균일하게 분사하는 가스 분사 장치와, 상기 가스 분사 장치로 소스 가스를 주입하게끔 일정 공간을 갖는 가스 주입부를 포함하는 반도체 제조 장비를 제공한다. 상기 가스 분사 장치는 상기 반응 챔버의 상부에 위치하면서 관통홀이 뚫어져 있는 한 개 혹은 두 개 이상의 분사판과, 상기 분사판의 양측부에는 상기 분사판과 챔버 또는 상기 분사판과 가스 주입부에 접하며 외기로부터 실링할 수 있는 한 개 이상의 실링부와, 상기 분사판 내에 위치하여 상기 실링부를 냉각할 수 있는 냉각부와, 상기 실링부 및 상기 냉각부의 내측에 설치되어 내부의 열이 상기 실링부로 전달되는 것을 방지함과 아울러 상기 분사판의 중앙부로 상기 냉각부의 냉각 효과의 전달을 방지하는 단열부를 구비한다.
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公开(公告)号：KR100382742B1
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020020021685
申请日：2002-04-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a capacitor of a semiconductor device is provided to reduce impurities remaining on a lower electrode or in a high dielectric layer, by performing an ozone or plasma annealing process as a pre-treatment process after the lower electrode is formed or by performing an ozone or plasma annealing process as a post-treatment process after the high dielectric layer is formed. CONSTITUTION: The lower electrode is formed on a semiconductor substrate(1). A pre-treatment process is performed regarding the lower electrode. A dielectric layer is formed on the lower electrode. The dielectric layer is annealed in an atmosphere of an oxygen radical or plasma, and a post-treatment process is performed. An upper electrode is formed on the post-treated dielectric layer. The pre-treatment process, the process for forming the dielectric layer and the post-treatment process are performed in the same chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的电容器的方法，以通过在形成下电极之后执行臭氧或等离子退火工艺作为预处理工艺来减少残留在下电极或高介电层中的杂质，或者 通过在高介电层形成之后执行臭氧或等离子体退火工艺作为后处理工艺。 构成：下电极形成在半导体衬底（1）上。 关于下电极执行预处理过程。 介电层形成在下电极上。 介电层在氧自由基或等离子体的气氛中退火，并且执行后处理过程。 在后处理的介电层上形成上电极。 预处理工艺，形成电介质层的工艺和后处理工艺在同一室中进行。
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公开(公告)号：KR100363081B1
公开(公告)日：2002-11-30
申请号：KR1019990039839
申请日：1999-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/321 , H01L28/55
Abstract: 본발명의박막형성장치는반도체웨이퍼를로딩및 언로딩할수 있는로봇암을구비하는트랜스퍼챔버에연결되어있고유전막을증착할수 있는다기능챔버와, 상기다기능챔버에오존발생기또는플라즈마발생기의어닐수단이연결되어있어상기다기능챔버에서하부전극전처리, 상기유전막후처리및 상부전극후처리를수행할수 있다. 그리고, 본발명의박막형성장치를이용하여커패시터의하부전극상에형성된유전막을어닐수단으로후처리함으로써커패시터의누설전류를감소시킬수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100351047B1
公开(公告)日：2002-09-10
申请号：KR1019990012031
申请日：1999-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본발명은커패시터의상하부전극등 백금족금속을포함하는층에미량의산소를첨가하는방법을제공한다. 본발명은, 커패시터의상하부전극등 백금족금속을포함하는층을형성한후, 이에대해산소이온주입공정을수행한다. 본발명에따르면, 백금족금속을포함하는층에산소이온주입공정을수행함으로써, 이백금족금속을포함하는층에미량의산소를그 농도를정확히조절하면서첨가할수 있다. 또한, 종래전기도금방법에의해백금족금속층을형성하는경우불가능했던산소첨가가가능해진다.
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公开(公告)号：KR100319882B1
公开(公告)日：2002-01-10
申请号：KR1019990007503
申请日：1999-03-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23C16/30
Abstract: 본발명은챔버에소스가스들을공급시키기위한장치를갖는화학기상증착장비에관한것으로, 바리움(Ba)을함유하는소스물질, 스트론티움(Sr)을함유하는소스물질, 및타이타늄(Ti)을함유하는소스물질을기체상태로변화시키어밀폐된챔버내부로주입시키는소스가스공급장치를갖는화학기상증착장비에있어서, 소스가스공급장치는챔버에병렬접속된복수의기화기를구비하여, 바리움(Ba)을함유하는소스물질및 스트론티움(Sr)을함유하는소스물질은복수의기화기중하나의기화기를통하여기화되고타이차늄(Ti)을함유하는소스물질은다른기화기를통하여기화되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020010080816A
公开(公告)日：2001-08-25
申请号：KR1020000001996
申请日：2000-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing semiconductor device is provided to prevent transmission of heat within the gas jet device by including a cooling section within a jet plate at the bottom of a sealing section and a heat insulated section within the cooling section. CONSTITUTION: The apparatus includes a reaction chamber(43) onto which a semiconductor wafer is loaded. A gas injection device has a plurality of through holes(47) for uniformly spraying a source gas on the reaction chamber. A gas injection section has a given space through which the source gas is injected into the gas injection device. The gas injection device includes upper and lower spray plates(49,51), that are located on the reaction chamber, one or more sealing sections(61,65) that face the spray plate and the chamber or the gas injection section and the spray plate at both sides of the spray plate, and a cooling section(63) located within the spray plate. A first gas injection line(55) is installed between the upper spray plate(51) and the lower spray plate(49).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的装置，以通过在密封部分的底部的喷射板和冷却部分内的隔热部分包括冷却部分来防止气体喷射装置内的热传递。 构成：该装置包括反应室（43），半导体晶片装载到该反应室。 气体注入装置具有用于在反应室上均匀喷射源气体的多个通孔（47）。 气体注入部分具有一定的空间，源气体通过该给定空间注入到气体注入装置中。 气体注入装置包括位于反应室上的上喷雾板和下喷射板（49,51），一个或多个密封部分（61,65）面对喷射板和腔室或气体喷射部分和喷雾 在喷雾板的两侧设有板，以及位于喷射板内的冷却部（63）。 第一气体注入管线（55）安装在上部喷射板（51）和下部喷射板（49）之间。
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公开(公告)号：KR1020000074727A
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019990018860
申请日：1999-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a ferroelectric capacitor using an ozone annealing process is provided to improve an electrical characteristic of a ferroelectric layer, by performing an ozone annealing process before or after the ferroelectric layer is formed. CONSTITUTION: A storage electrode(12) is formed on a semiconductor substrate(10). A ferroelectric layer(14) is formed on the storage electrode. The ferroelectric layer is annealed at an ozone atmosphere. A plate electrode of a ferroelectric capacitor is formed on the ferroelectric layer. The ferroelectric is an oxide of a Perovskite structure or stacked structure of bismuth layers.
Abstract translation: 目的：提供一种使用臭氧退火工艺制造铁电电容器的方法，通过在形成铁电层之前或之后进行臭氧退火处理来提高铁电层的电特性。 构成：存储电极（12）形成在半导体衬底（10）上。 在存储电极上形成铁电体层（14）。 铁电层在臭氧气氛下退火。 在铁电层上形成铁电电容器的平板电极。 铁电体是钙钛矿结构的氧化物或铋层的叠层结构。
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公开(公告)号：KR1020000065605A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990012031
申请日：1999-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: PURPOSE: A method for forming a capacitor using oxygen ion injection, a semiconductor device with a metal layer of a platinum group including oxygen ions, and a method for manufacturing the same are provided to prevent the leakage current of a capacitor by injecting oxygen ions on a layer including a platinum group metal. CONSTITUTION: A method for forming a capacitor using oxygen ion injection comprises the step of injecting oxygen ions to an upper electrode or a lower electrode(12) between a process for forming a lower electrode and a process for forming a dielectric layer. In the oxygen ion injection process, the ion injection energy is 1 to 500keV and its density is 1.0 times 10¬15 to 1.0 times 10¬18 ion/cm¬2. The method further comprises the step of performing a heat process for results injected with the oxygen ions after performing the oxygen ion injection process.
Abstract translation: 目的：提供一种使用氧离子注入形成电容器的方法，具有包含氧离子的铂族金属层的半导体器件及其制造方法，以通过将氧离子注入到电容器的漏电流 包含铂族金属的层。 构成：使用氧离子注入形成电容器的方法包括在用于形成下电极的工艺和形成电介质层的工艺之间将氧离子注入上电极或下电极（12）的步骤。 在氧离子注入过程中，离子注入能量为1〜500keV，密度为10〜15〜1.0倍10〜18离子/ cm 2的1.0倍。 该方法还包括在执行氧离子注入处理之后对用氧离子注入的结果进行热处理的步骤。
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