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公开(公告)号：KR2019980062173U
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR2019970006480
申请日：1997-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김현주
IPC: G11B23/087
Abstract: 테이프 레코더의 데크에 안착되는 테이프카세트의 가이드홈에 삽입되어 그 안착위치를 결정하도록 데크의 메인베이스에 마련되는 테이프 레코더의 테이프카세트 위치결정핀 구조체를 개시한다. 개시된 테이프 레코더의 테이프카세트 위치결정핀 구조체는 상기 메인베이스에 일체로 형성되도록 상기 메인베이스의 일부가 절개되어 벤딩된 절곡편을 포함하며, 상기 절곡편은 테이프카세트의 가이드홈 주위를 지지하기 위한 몸체부와 그 몸체부로부터 연장되도록 돌출되어 상기 가이드홈에 삽입되는 핀부로 이루어진다.
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公开(公告)号：KR1020170044539A
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020150144357
申请日：2015-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D21/04 , F25D11/02 , F25D23/04 , F25D23/061 , F25D23/069 , F25D23/082 , F25D25/005 , F25D25/02 , F25D2400/06
Abstract: 냉장고는본체벽의전면에위치하는미드프레임과, 미드프레임에마련되는발열유닛을포함하고, 미드프레임은전면프레임과, 전면프레임으로부터후방으로연장형성되는확장프레임으로서, 확장프레임의단부가인접한확장프레임보다두께가두껍게형성되는엣지(edge)부를갖는확장프레임을포함한다. 이러한구성을통해냉장고의내부로침투하는열을최소화시킬수 있다.
Abstract translation: 冰箱包括位于主体壁的前表面上的中框架和设置在中框架上的发热单元，中框架包括前框架和从前框架向后延伸的延伸框架。 并且具有形成为比框架更厚的边缘部分的放大框架。 这种结构可以最大限度地减少冰箱内部的热量渗透。
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公开(公告)号：KR1020170006542A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020150097318
申请日：2015-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D29/005 , F25D23/025 , F25D23/087 , F25D2323/023 , F25D2400/06 , F25D2400/361
Abstract: 냉장고는저장실과, 저장실의크기에대응되는크기의개구를갖는내부도어와, 개구에마련되는복수의도어가드와, 개구를개폐하는외부도어를포함하고, 내부도어는저장실의환경을제어할수 있는제어유닛을포함한다.
Abstract translation: 冰箱可以包括储藏室，内门，其包括具有对应于存储隔间的尺寸的开口的开口，多个门防护件和打开和关闭储藏室的外门，其中内门包括 控制单元可以控制储藏室的内部环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150141796A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：KR1020140070303
申请日：2014-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김현주
IPC: A47L9/00
CPC classification number: A47L9/2889
Abstract: 모터의냉각효율이향상되도록개선된구조를가지는청소기를개시한다. 청소기는공기를본체내부로흡입하기위한흡입력을발생시키는흡입유닛을포함하고, 상기흡입유닛은축 주위를회전가능한임펠러, 상기임펠러를통과한공기가이동하는배출유로가마련되는리턴채널, 상기임펠러가회전할수 있는동력을제공하도록배치되는모터및 상기임펠러의축방향(X)으로상기모터를지지하도록배치되는적어도하나의지지유닛을포함하고, 상기적어도하나의지지유닛에는상기배출유로의적어도일부를상기임펠러의축방향(X)으로연장시키는냉각핀이형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种具有改进的结构以提高电动机的冷却效率的清洁器。 该清洁器包括一个抽吸单元，其产生用于将空气吸入主体的吸力。 抽吸单元包括：围绕轴旋转的叶轮; 准备通过叶轮流动的空气的排出路径的返回通道; 电动机，其布置成提供用于旋转叶轮的动力; 以及至少一个支撑单元，其布置成在所述叶轮的轴向（X方向）上支撑所述马达，其中至少一个支撑单元具有用于沿轴向方向（X）延伸所述排出路径的至少一部分的冷却翅片 方向）。
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公开(公告)号：KR1020150026531A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130105513
申请日：2013-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/36 , H01L29/66143
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 제1 도전형의 에피층(epitaxial layer), 에피층 상에 서로 분리되어 배치된 애노드(anode) 전극 및 캐소드(cathod) 전극, 에피층 내에 형성된 제1 도전형의 제1 드리프트층(dirft layer), 에피층 내에 형성된 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물 영역, 및 애노드 전극과 제1 드리프트층이 접촉하여 정의되는 쇼트키 컨택 영역 하부에 형성된 아일랜드(island) 불순물 영역을 포함한다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括在外延层上彼此分离的第一导电性外延层，阳极电极和阴极电极，在外延层中形成的第一导电体的第一漂移层，第二导电层的杂质区域 电导率不同于第一导电性的岛状杂质区域和形成在由阳极电极和第一漂移层的接触限定的肖特基接触区域的下部的岛状杂质区域。
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公开(公告)号：KR1020150018688A
公开(公告)日：2015-02-24
申请号：KR1020130094390
申请日：2013-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/08 , G06F12/10 , G06F2212/7201
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따르면, 일반 데이터를 저장하는 일반 유닛 및 스왑 데이터를 저장하는 스왑 유닛을 포함하는 비휘발성 메모리, 및 상기 비휘발성 메모리를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 저장장치의 동작 방법이 제공된다. 상기 저장장치의 동작 방법은 호스트로부터 스왑 데이터 및 상기 스왑 유닛을 선택하는 유닛 선택 신호를 수신하는 단계, 및 상기 스왑 유닛의 데이터 처리 정책에 따라 상기 스왑 데이터를 처리하여 상기 스왑 유닛에 기입하는 단계를 포함하고, 상기 스왑 유닛의 데이터 처리 정책은 상기 일반 유닛의 데이터 처리 정책과 다를 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包括用于存储通用数据的通用单元和用于存储交换数据的交换单元的非易失性存储器，以及包括控制非易失性存储器的控制器的存储设备的操作方法。 存储装置操作方法包括以下步骤：从主机接收交换数据和选择交换单元的单元选择信号; 以及根据交换单元的数据处理策略来处理交换数据，以将处理的数据写入交换单元。 交换单元的数据处理策略可能与通用单元的数据处理策略不同。
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公开(公告)号：KR101424560B1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020080000587
申请日：2008-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: Y02B40/32
Abstract: 본 발명은 냉장고의 운전제어방법에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 냉장고의 절전모드 시 압축기의 운전율을 높여 압축기의 온/오프 횟수를 줄임으로써 에너지의 효율을 높일 수 있는 냉장고의 운전제어방법을 제공함에 있다.
이를 위해 본 발명은 냉장고의 절전모드인지 판단하고, 냉장고의 절전모드이면, 압축기의 운전율을 산출하고, 압축기의 운전율과 최대 설정 운전율을 비교하여 압축기의 운전율이 최대 설정 운전율에 도달하도록 압축기의 회전수를 가변시킨다.-
公开(公告)号：KR1020140091787A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020120149897
申请日：2012-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/086 , H01L29/1045 , H01L29/4983 , H01L29/66659 , H01L29/7816 , H01L29/7835
Abstract: Provided are a semiconductor device and a method for fabricating the same. The semiconductor device comprises a semiconductor substrate; a drain region which is located in the semiconductor substrate; a body region which is located in the semiconductor substrate and is separated from the drain region; a source region which is located in the body region; and a gate pattern which includes a first gate which is formed on the semiconductor substrate and is adjacent to the source region and a second gate which is adjacent to the drain region. The gate pattern includes a first conductive dopant. The concentration of the first conductive dopant in the first gate is higher than the concentration of the first conductive dopant in the second gate.
Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括半导体衬底; 位于所述半导体衬底中的漏区; 身体区域，其位于所述半导体衬底中并与所述漏极区域分离; 源区域，其位于身体区域中; 以及栅极图案，其包括形成在所述半导体衬底上并且与所述源极区域相邻的第一栅极和与所述漏极区域相邻的第二栅极。 栅极图案包括第一导电掺杂剂。 第一栅极中的第一导电掺杂剂的浓度高于第二栅极中的第一导电掺杂剂的浓度。
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