公开(公告)号：KR1019970017951A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950031818

申请日：1995-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 여기성 ,  여정호 ,  남정림

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 동일한 리티클을 사용하여 반도체기판상에 복수의 패턴을 형성하는 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로서, 그 방법은 상기 반도체기판상에 층간절연막을 도포하는 공정과; 리터클을 사용하여 소정패턴의 제1감광막을 형성하는 공정과; 상기 소정패턴의 감광막패턴을 마스크로 사용하여 상기 층간절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 상기 콘택홀을 충진하면서 상기 층간절연막상에 패턴대상막을 도포하는 공정과; 상기 동일한 리티클을 사용하여 소정패턴의 제2감광막을 형성하는 공정과, 상기 소정패턴의 제2감광막패턴을 마스크로 사용하여 상기 패턴대상막을 선택적으로 제거하는 공정을 포함한다. 본 발명의 패턴형성방법에 의하면 동일한 리티클을 사용하여 복수의 패턴을 형성할 수 있기 때문에 많은 리티클을 사용할 필요가 없을 뿐만 아니라, 적층에 대한 층대층의 오정렬을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970013161A

公开(公告)日：1997-03-29

申请号：KR1019950027722

申请日：1995-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성목 ,  남정림

IPC: H01L21/66

Abstract: HMDS처리 설비의 평가방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체장치의 제조에 사용되는 HMDS처리 설비의 평가방법에 있어서, 반도체 웨이퍼 상에 네가티브형 감광막을 형성하는 단계와, 상기 감광막의 두께를 1차 측정하는 단계와, 상기 감광막이 형성된 웨이퍼를 전면노광하는 단계와, 상기 감광막이 형성된 웨이퍼를 베이크하는 단계와, 상기 베이크된 웨이퍼를 HMDS처리하여 감광막을 실릴레이션 반응시키는 단계와, 상기 실릴레이션 반응된 감광막의 두께를 2차측정하여 실릴레이션 반응전의 감광막의 두께와 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HMDS 처리 설비의 평가방법을 제공한다. 본 발명에 의한 HMDS 처리설비의 평가방법은 그수행방법에 용이하고 정확하며 웨이퍼 표면 전면에 대한 균일도에 대한 정보도 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970007495A

公开(公告)日：1997-02-21

申请号：KR1019950023160

申请日：1995-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오석환 ,  남정림

IPC: G03F7/16

Abstract: 복수개의 토출부를 갖는 도포장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 웨이퍼가 놓이는 진공척과 감광액 또는 유기물을 토출하는 토출부로 구성된 도포장치에 있어서, 상기 토출부는 복수개 마련되어 있다. 본 발명의 도포장치는 넓어진 웨이퍼 면적에 대해 많은 양의 감광액 또는 유기물을 도포하기 위하여 종래의 1개의 토출부(nowwle) 대신에 다수개의 토출부를 설치하기 때문에 충분한 양의 감광액 또는 유기물을 웨이퍼 위에 고루 덮어 주어 도포 균일도를 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR100074155B1

公开(公告)日：1994-06-02

申请号：KR1019910009661

申请日：1991-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정림

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：KR100060398B1

公开(公告)日：1993-03-16

申请号：KR1019890020710

申请日：1989-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정림

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/28

公开(公告)号：KR1019920007186B1

公开(公告)日：1992-08-27

申请号：KR1019890020710

申请日：1989-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정림

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/28

Abstract: A method for removing residues in manufacturing semiconductor device compirses (A) forming phtoresist pattern on patterned layer of semiconductor substrate, (B) generating undercut and residues, (C) doping with polymer, (D) forming sidewall polymer on undercut-generated pattern, (E) removing residues, and (F) completing prescribed pattern. Patterned layer is formed by growing or depositing polycrystalline silicon, nitride, oxide or metal. The polymer used has higher etching selectivity than that of photoresist. The sidewall polymer is formed by etching back.

Abstract translation: （B）产生底切和残留物，（C）掺杂聚合物，（D）在底切生成的图案上形成侧壁聚合物的制造半导体器件的方法（A） （E）去除残留物，（F）完成规定的模式。 图案化层通过生长或沉积多晶硅，氮化物，氧化物或金属而形成。 所使用的聚合物具有比光致抗蚀剂更高的蚀刻选择性。 侧壁聚合物通过蚀刻形成。

公开(公告)号：KR1019910013491A

公开(公告)日：1991-08-08

申请号：KR1019890020710

申请日：1989-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정림

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/28

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1020100003469A

公开(公告)日：2010-01-11

申请号：KR1020080063382

申请日：2008-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정림

IPC: H01L33/64

Abstract: PURPOSE: An LED package is provided to prevent internal structural deformation at a high or extremely low temperature by mounting one LED chip inside a cavity after forming a plurality of cavities on a heat sink comprised of double metal layer. CONSTITUTION: A heat sink(110) is comprised of a metal layer and a plurality of cavities are formed on the heat sink. A second lead frame(130) is separated from the heat sink and a first lead frame(120) extended to one side of the heat sink. A mold unit(140) fixes the heat sink, the first lead frame, and the second lead frame. A plurality of LED chips(150) are individually mounted inside the cavity. A first filler(160) is filled inside the cavity to protect the LED chip. The inner surface of the cavity is inclined. The molding unit has a larger opening than the cavity.

Abstract translation: 目的：通过在由双金属层组成的散热片上形成多个空腔之后，通过在腔体内安装一个LED芯片来提供LED封装以防止在高温或极低温度下的内部结构变形。 构成：散热器（110）由金属层构成，多个空腔形成在散热片上。 第二引线框架（130）与散热器分离，并且第一引线框架（120）延伸到散热器的一侧。 模具单元（140）固定散热器，第一引线框架和第二引线框架。 多个LED芯片（150）分别安装在腔内。 第一填料（160）填充在腔内以保护LED芯片。 空腔内表面倾斜。 模制单元具有比腔更大的开口。

公开(公告)号：KR1020090014647A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：KR1020070078733

申请日：2007-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박현 ,  신상욱 ,  정병홍 ,  남정림 ,  장현석

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28141 ,  H01L21/31051

Abstract: A method of manufacturing flash memory device is provided to realize excellent step coverage on the polysilicon pattern by forming following metallic foil on polysilicon pattern with uniform thickness. In a method of manufacturing flash memory device, the insulating layer pattern(142) exposing the top of the polysilicon pattern is formed on the substrate(120). The top of the exposed polysilicon pattern by insulating layer pattern is rounded. The metallic foil is formed on the polysilicon pattern and the insulating layer pattern of which the top is rounded. A silicon included in the polysilicon pattern is reaction as the silicidation. Consequently, the metal silicide layer(160) having the uniform thickness is formed on the surface of the polysilicon pattern.

Abstract translation: 提供一种制造闪速存储器件的方法，通过在多晶硅图案上形成均匀厚度的后续金属箔来实现多晶硅图案上的优异的阶梯覆盖。 在制造闪速存储器件的方法中，在衬底（120）上形成暴露多晶硅图形顶部的绝缘层图案（142）。 通过绝缘层图案的暴露的多晶硅图案的顶部是圆形的。 金属箔形成在多晶硅图案上，绝缘层图案的顶部是圆形的。 包含在多晶硅图案中的硅是作为硅化物的反应。 因此，在多晶硅图案的表面上形成均匀厚度的金属硅化物层（160）。

公开(公告)号：KR1020090001377A

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：KR1020070065704

申请日：2007-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정병홍 ,  남정림 ,  박현 ,  정승필 ,  신상욱 ,  한정남 ,  장현석 ,  최호욱

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/28141 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11521

Abstract: The method for forming the semiconductor device is provided to form the trench having the excellent lateral profile by etching the substrate using the aluminum oxide film pattern and the mask pattern as the etching mask. The insulating layer, the conductive film, and the aluminum oxide film and the mask are successively formed on the substrate(100). The aluminum oxide film is etched by using the mask as the etching mask. The preliminary aluminum oxide film pattern(128) is formed to expose the conductive film's surface in the first width. The side of the preliminary aluminum oxide film pattern is etched. The aluminum oxide film pattern is formed, exposing the conductive film surface in the second width which is broader than the first width. The conductive layer pattern(142), and the insulating layer pattern(144) and trench(148) are formed by using the mask and aluminum oxide film pattern as the etching mask.

Abstract translation: 提供了形成半导体器件的方法，通过使用氧化铝膜图案和掩模图案作为蚀刻掩模通过蚀刻衬底来形成具有优异横向轮廓的沟槽。 绝缘层，导电膜和氧化铝膜和掩模依次形成在基板（100）上。 通过使用掩模作为蚀刻掩模来蚀刻氧化铝膜。 形成初步氧化铝膜图案（128）以使第一宽度的导电膜的表面露出。 蚀刻初步氧化铝膜图案的一侧。 形成氧化铝膜图案，使导电膜表面暴露于比第一宽度宽的第二宽度。 通过使用掩模和氧化铝膜图案作为蚀刻掩模来形成导电层图案（142）和绝缘层图案（144）和沟槽（148）。