公开(公告)号：KR1020040020143A

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：KR1020020051598

申请日：2002-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김홍범 ,  박호진 ,  인성환 ,  김하일

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/3183 ,  G11C29/56

CPC classification number: G06F11/2733 ,  G01R31/31908 ,  G01R31/31926

Abstract: PURPOSE: A semiconductor test system and a method for testing the same are provided to test a number of semiconductor chips simultaneously without limiting the number of data input and output pins. CONSTITUTION: A semiconductor test system includes a tester(20), a plurality of semiconductor chips(24-11 - 24-nm) and a control block(22). The tester(20) is provided with a plurality of data input and output pins, inputs and outputs data through the plurality of data input and output pins. The plurality of semiconductor chips(24-11¯24-nm) is tested by the tester(20). The control block(22) outputs the data outputted from the plurality of the semiconductor chips(24-11¯24-nm) to the tester(20), subsequently, during the read operation. And, the control block(22) applies the data inputted from the tester(20) to the plurality of chips, simultaneously, during the write operation.

Abstract translation: 目的：提供半导体测试系统及其测试方法，以同时测试多个半导体芯片，而不会限制数据输入和输出引脚的数量。 构成：半导体测试系统包括测试器（20），多个半导体芯片（24-11-24nm）和控制块（22）。 测试器（20）具有多个数据输入和输出引脚，通过多个数据输入和输出引脚输入和输出数据。 多个半导体芯片（24-11〜24nm）由测试器（20）测试。 在读取操作期间，控制块（22）将从多个半导体芯片（24-11〜24-nm）输出的数据输出到测试器（20）。 并且，在写入操作期间，控制块（22）将从测试器（20）输入的数据同时施加到多个芯片。

公开(公告)号：KR100316708B1

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：KR1019990012324

申请日：1999-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경돈 ,  박호진 ,  정용환 ,  김하일

IPC: G11C29/00

Abstract: 웨이퍼테스트시, 소정의신호패드들로외부테스트기의드라이버와연결시키지않고도상기신호패드의작용동작을지시하는내부신호를활성화전압레벨로제공하는반도체집적회로가개시된다. 본발명의반도체집적회로는상기반도체집적회로의동작전원의상태를나타내는파워-업신호및 웨이퍼테스트모드임을지정하는모드어드레스에응답하여테스트모드인에이블신호를발생하는테스트모드인에이블신호발생회로및 테스트모드인에이블신호에응답하여외부로부터상기반도체집적회로의신호패드로인가되는전압레벨에무관(don't care)하게상기신호패드의작용동작을지시하는내부신호를활성화로유지시키는테스트모드구동부를구비한다.

公开(公告)号：KR1020000075085A

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019990019455

申请日：1999-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정준 ,  박호진

IPC: G05F3/08

Abstract: PURPOSE: An internal operation voltage generation circuit of a semiconductor memory device is provided which can reduce the current consumption in a power-down mode by controlling the internal operation voltage in power-down to be lower than the internal operation voltage in normal operation. CONSTITUTION: An internal operation voltage generation circuit of a semiconductor memory device comprises: a comparison unit(20) which has a differential amplification structure and compares the size of a reference voltage applied through the first input terminal with the size of a distribution voltage applied through the second input terminal and generates a comparison output voltage corresponding to the compared result; a driving unit(22) which is driven in response to the comparison output voltage and outputs the driven result as an internal operation voltage; a voltage distribution unit(24) which is realized by K(

Abstract translation: 目的：提供一种半导体存储器件的内部工作电压产生电路，其通过将正常工作中的内部工作电压控制为低于内部工作电压来降低掉电模式下的电流消耗。 构成：半导体存储器件的内部工作电压产生电路包括：比较单元（20），其具有差分放大结构，并将通过第一输入端施加的参考电压的大小与施加的分配电压的大小进行比较 所述第二输入端子产生与所述比较结果相对应的比较输出电压; 驱动单元（22），其响应于比较输出电压被驱动，并将驱动结果作为内部操作电压输出; 通过连接在内部操作电压和分配电压之间形成第一电阻分量的K（

公开(公告)号：KR100252646B1

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019970002561

申请日：1997-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박호진

IPC: H03G3/00

Abstract: PURPOSE: A mixer amplifier having DC offset removal and pre-emphasis characteristics is provided which eliminates remaining deviation voltage of DC component to secure stable bias voltage and improve signal-to-noise ratio even if amplification rate is set large. CONSTITUTION: A mixer amplifier includes an input part(110) for allowing an input signal to have a predetermined bias voltage, and an amplification part(120) for amplifying a signal input through the input part. The amplification part has an OP-amplifier(121) for receiving the input signal through the non-inverted port and the first resistor(R120) connected between the output port of the OP-amplifier and the non-inverted port. The mixer amplifier further has a high pass filter(130) including the second resistor(R130) one end of which is connected to the non-inverted port and the first capacitor(C130) one end of which is connected to the other end of the second resistor. The mixer amplifier also has a low pass filter(140) connected between the other end of the first capacitor of the high pass filter and a filter bias voltage(Vcom). The amplifier serves as a voltage follower for DC component outputs to remove DC voltage difference at the non-inverted port and output port of the amplification part and has pre-emphasis that makes the gain in a predetermined frequency band different according to the high pass filter and the low pass filter.

Abstract translation: 目的：提供具有DC偏移去除和预加重特性的混频器放大器，其消除了DC分量的剩余偏差电压，以确保稳定的偏置电压，并且即使放大率设置较大，也提高了信噪比。 构成：混频器放大器包括用于允许输入信号具有预定偏置电压的输入部分（110）和用于放大通过输入部分输入的信号的放大部分（120）。 放大部分具有用于通过非反相端口接收输入信号的OP放大器（121）和连接在OP放大器的输出端口与非反相端口之间的第一电阻器（R120）。 混频器放大器还具有包括第二电阻器（R130）的高通滤波器（130），其一端连接到非反相端口，第一电容器（C130）的一端连接到第一电容器 第二电阻。 混频器放大器还具有连接在高通滤波器的第一电容器的另一端和滤波器偏置电压（Vcom）之间的低通滤波器（140）。 放大器用作直流分量输出的电压跟随器，以去除放大部分的非反相端口和输出端口处的直流电压差，并具有预加重，使得预定频带中的增益根据高通滤波器而不同 和低通滤波器。

公开(公告)号：KR1020000012874A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980031425

申请日：1998-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박호진

IPC: G05F1/52

Abstract: PURPOSE: A reference voltage generating circuit is provided, which generates a reference voltage which is not sensitive to a temperature change. CONSTITUTION: A reference voltage generating circuit comprises: a current generating circuit (10) for generating a current having a temperature factor which is increased according to the increase of a temperature; a voltage generating circuit (20) for inputting the current and generating a voltage which is independent to a temperature change; and a voltage level adjusting circuit (30) for adjusting a level of the voltage, wherein the current generating circuit (10) includes current mirrors and the voltage generating circuit (20) has a MOS transistor in which a current pass is formed in series from a first power supply source to a second power supply source. Thereby, a stable reference voltage to a power supply voltage and a temperature change is obtained.

Abstract translation: 目的：提供一种参考电压产生电路，产生对温度变化不敏感的参考电压。 构成：基准电压产生电路包括：电流产生电路（10），用于产生具有根据温度升高而增加的温度因数的电流; 用于输入电流并产生与温度变化无关的电压的电压产生电路（20）; 以及用于调节电压电平的电压电平调节电路（30），其中电流发生电路（10）包括电流镜，并且电压产生电路（20）具有MOS晶体管，其中电流通过串联形成 向第二电源提供第一电源。 由此，获得对电源电压和温度变化的稳定的基准电压。

公开(公告)号：KR1019990066313A

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019980002146

申请日：1998-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박호진

IPC: H04N5/208

Abstract: 본 발명은 선명도 제어 회로에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 TV나 VTR화면상의 에지 부분을 섬세하게 조절할 수 있는 선명도 제어 회로에 관한 것으로서, 선명도 제어 회로는 입력 신호를 지연시키기 위한 제 1 지연 회로와; 상기 제 1 지연 회로의 출력을 지연시키기 위한 제 2 지연 회로와; 상기 입력 신호와 제 1 지연 회로의 출력을 비교하기 위한 제 1 비교 회로와; 상기 제 1 및 제 2 지연 회로의 출력을 비교하기 위한 상기 제 2 비교 회로와; 상기 제 1 비교 회로와 제 2 비교 회로의 출력을 더하기 위한 제 1 합산 회로와; 상기 제 1 지연 회로의 출력과 상기 제 1 합산 회로의 출력을 더하기 위한 제 2 합산 회로를 포함한다.

公开(公告)号：KR100205246B1

公开(公告)日：1999-07-01

申请号：KR1019970011079

申请日：1997-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박호진

IPC: H03B5/00

Abstract: 본 발명은 발진기에 관한 것으로, 전압레벨을 제어하여 출력하는 주파수가변제어부와; 상기 주파수가변제어부로 부터의 전압레벨과 소정의 기준전압레벨을 비교하여 스위칭하는 비교부와; 상기 비교부로 부터의 전류를 제어하여 히스테리시스특성을 가지게하는 전류제어부와; 상기 전류제어부로 부터의 제어에 응답하여 출력전압레벨을 제어하는 출력전압제어부와; 상기 출력전압제어부로 부터의 궤환신호의 고주파발진을 방지하는 발진제어부를 구비하고, 종래의 발진기를 사용하여 출력주파수 및 출력파형의 듀티비를 가변하고자 할 때 별도의 회로를 접속해야 하는 문제점을 해결한 것으로, 입력전압에 의하여 히스테리시스를 제어할 수 있는 비교기를 이용함으로써, 별도의 추가회로 없이 출력주파수 및 듀티사이클을 변화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100174678B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019960029392

申请日：1996-07-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박호진

IPC: G06F15/02

Abstract: 본 발명은 전자수첩의 커버개폐장치에 관한것으로서, 플라스틱 특유의 유연성을 이용하여 힌지구조를 구현하여 기구적으로 단순화하고, 판스프링을 고정하는 공정을 삭제함으로서 생산성을 향상시키며, 재질을 균등하게 함으로서 제품수명을 오랜기간 유지하고, 사용자의 관점에서 엘씨디부가 위치하는 하부커버를 일지정지 가능하게 함으로서 엘씨디부에 출력된 메시지를 용이하게 보기위함이며, 양측과 중앙으로 만곡진 슬롯형 텐션구멍을 형성함과 동시에 내향으로 만곡진 곡부와 외향으로 만곡진 곡부를 형성하고, 양측면으로 고정용 리브를 형성한 스토퍼를 하부커버의 장착공간에 위치하게 하고, 상기 하부커버와 상부커버를 각각 샤프트핀으로 상기 샤프트핀을 회전중심으로하여 힌지아암에 결합하고, 상기 힌지아암의 양측으로 커버의 일� �정지가 가능하도록 돌기를 형성하여 커버개폐시에 상기 스토퍼와 상기 힌지아암의 돌기의 연동에 의해 커버의 개폐와 개폐의 일시정지가 가능함을 특징으로함으로서, 판스프링을 사용함으로서 현장에서 프레스가공을 하여 발생되는 재료의 재질변화, 열치리 및 도금등의 문제점을 해결하게 되고, 이에따라 스프링 텐션변화등을 예방하게 되어 제품수명이 연장되고, 플라스틱 재질의 특성이 유연성을 기구적구조물에 적용함으로서 작동력을 일정하게 유지할 수 있는 효과를 달성한다.

公开(公告)号：KR2019970045661U

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR2019950050266

申请日：1995-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박호진

IPC: G06F15/02

公开(公告)号：KR1019940001114A

公开(公告)日：1994-01-10

申请号：KR1019920009514

申请日：1992-06-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박호진

IPC: G11B20/00

Abstract: 본 발명은 재생된 비디오 신호로부터 잡음을 제거하기 위한 잡음제거회로로서 휘도 및 색신호분리부와 상기 휘도 및 색신호분리부로부터 분리되어 출력되는 휘도신호를 입력하여 그의 고주파성분만을 통과하는 고역필터와 상기 고역필터의 출력을 증폭하고 이 증폭된 신호중 일정크기의 진폭을 제한하여 출력하는 리미터블럭과 상기 리미터블럭의 출력신호를 입력하여 그진폭을 일정레벨로 감소하여 출력하는 감쇄기와 진폭이 조절된 재생된 비디오신호와 상기 감쇄기의 출력을 믹서하여 출력함으로써 재생된 비디오신호에 포함된 잡음을 제거하는 믹서를 포함하여 구성되는 잡음제거회로에 있어서, 상기 리미터블럭은 상기 고역필터의 출력을 증폭하는 증폭부와, 상기 증폭부의 출력을 입력으로 하고 그 입출력특성이 입력신호에 대한 출력신호의 비가 단일극점 단일영점을 가지는 단일극점 단일영점 필터를 포함하여 구성되어 특정주파수의 진폭을 제한하게 되는 것을 특징으로 하며 상기 단일극점 단일영점 필터를 구성함에 있어 외부적으로 조절할 수 있는 가변저항을 이용하도록 함으로써 잡음제거회로의 특성을 보정하는 것이 가능하게 되는 효과가 있다.