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公开(公告)号：KR101999608B1
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：KR1020160156779
申请日：2016-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/525 , H01L23/522
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公开(公告)号：KR1020170060407A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：KR1020150164830
申请日：2015-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명에따른메모리모듈은, 다수의메모리들을포함하고, 상기메모리모듈은, 제 1 데이터버스및 제 2 데이터버스를통해다수의데이터신호들을송수신하고, 상기제1 데이터버스를통해제 1 데이터신호를송수신하는 N개(N은 2 이상자연수)의메모리들을포함하는제1 메모리그룹및 상기제 2 데이터버스를통해제 2 데이터신호를송수신하는 N개의메모리들을포함하는제 2 메모리그룹을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的存储器模块包括多个存储器，其中存储器模块经由第一数据总线和第二数据总线发送和接收多个数据信号， 一个是发送和接收包括N个存储器，用于发送并且经由第一存储器组和所述第二数据总线，包括存储器接收第二数据信号的第二存储器组的N（N是2或更大的自然数）。
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公开(公告)号：KR1020170050678A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150152526
申请日：2015-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/07 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/522
CPC classification number: H01L24/02 , G11C5/025 , G11C8/10 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0217 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/03602 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/11002 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13026 , H01L2224/13082 , H01L2224/14181 , H01L2924/00014
Abstract: 집적회로소자는복수의제1 TSV 구조가기판을관통하도록형성된제1 영역을가지는 TSV 단위영역과, TSV 단위영역을포위하는주위영역과, 적어도하나의제2 TSV 구조를포함하는제2 영역과, 제1 TSV 구조와제2 TSV 구조와의사이에이격거리를제공하고 TSV 구조를포함하지않는제3 영역과, 제3 영역의적어도일부와적어도하나의제2 TSV 구조와의조합으로이루어지는얼라인키를포함한다. 집적회로소자를제조하기위하여, 제3 영역의적어도일부와적어도하나의제2 TSV 구조와의조합으로이루어지는얼라인키를이용하는노광공정을이용하여마스크층을패터닝한다.
Abstract translation: 用于集成电路元件的第二区域包括所述外围区域的第二TSV结构和至少一个围绕所述多个第一TSV单位面积的是具有形成为贯穿所述基板和，TSV单位面积的第一区域TSV结构和 ，由第二的权利要求1的TSV结构和对准inki提供TSV结构和第三区域之间的间隔距离，该距离不包括TSV结构，并且至少一个与至少一些所述第三区域的TSV结构的第二组合 它包括。 用于生产集成电路装置，所述图案化掩模层使用使用由所述第三区域中的至少至少一部分的TSV结构的第二组合的对准inki的曝光工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130066198A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110132928
申请日：2011-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/0653 , H01L29/7802 , H01L29/7854 , H01L29/7856 , H01L2029/7858
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a semiconductor package are provided to improve the mobility of an electron or a hole in a channel region of a second substrate, by bending the second substrate according to the shape of a first substrate. CONSTITUTION: A semiconductor device includes a first substrate(100), a second substrate(110), a transistor and an adhesive layer. An upper surface of the first substrate is a curved surface. The second substrate is attached to the upper surface of the first substrate, and is bent along the curved surface of the first substrate. The transistor is comprised on the second substrate. The adhesive layer is formed between the second substrate and the first substrate.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件和半导体封装，以通过根据第一衬底的形状弯曲第二衬底来提高第二衬底的沟道区域中的电子或空穴的迁移率。 构成：半导体器件包括第一衬底（100），第二衬底（110），晶体管和粘合剂层。 第一基板的上表面是曲面。 第二基板附接到第一基板的上表面，并且沿着第一基板的弯曲表面弯曲。 晶体管包括在第二衬底上。 粘合层形成在第二基板和第一基板之间。
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公开(公告)号：KR100881458B1
公开(公告)日：2009-02-06
申请号：KR1020070018447
申请日：2007-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H04N5/2254 , H04N5/2257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 마이크로렌즈 보호패턴을 갖는 촬상소자(image sensing device)를 제공한다. 이 소자는 반도체기판에 제공된 복수의 포토다이오드들을 구비한다. 상기 포토다이오드들 상에 절연막이 배치된다. 상기 절연막 상에 제공되고 상기 포토다이오드들의 상부에 각각 배치된 복수의 마이크로렌즈들이 형성된다. 상기 마이크로렌즈들은 보호패턴으로 덮인다. 상기 보호패턴은 평평한 상부표면을 구비하고, 상기 보호패턴의 상부표면은 상기 마이크로렌즈들보다 높은 레벨에 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020070033748A
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050088242
申请日：2005-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14689 , H01L27/14806
Abstract: An image sensor is formed by providing a semiconductor substrate having first, second and third pixel regions and first and second color filters disposed on their respective pixel regions. A photoresist layer is coated over the first and second color filters and the third color pixel region. The photoresist is removed from the first and second color filters, leaving a third color filter of substantially the same height as the first and second color filters. Micro lenses may then be formed on the color filters.
Abstract translation: 通过提供具有第一，第二和第三像素区以及设置在它们各自的像素区上的第一和第二滤色器的半导体衬底来形成图像传感器。 光致抗蚀剂层被涂覆在第一和第二滤色器以及第三颜色像素区域上。 从第一和第二彩色滤光片上除去光刻胶，留下与第一和第二彩色滤光片基本上相同高度的第三彩色滤光片。 然后可以在滤色器上形成微透镜。
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公开(公告)号：KR1020060091518A
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：KR1020050012438
申请日：2005-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조정현
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14645
Abstract: 실리콘 산화막으로 이루어진 복수개의 마이크로 렌즈들을 채택하는 이미지 센서를 제공한다. 상기 이미지 센서는 반도체 기판 및 상기 반도체 기판에 형성된 복수개의 포토 다이오드들을 구비한다. 상기 포토 다이오드들을 갖는 기판 상에 형성된 층간절연막이 제공된다. 상기 층간절연막 상에 형성되고 상기 포토 다이오드들 상부에 각각 위치하되, 그들의 각각은 반구형의 표면을 갖고 실리콘 산화막으로 이루어진 복수개의 마이크로 렌즈들을 구비한다. 상기 이미지 센서의 제조방법 또한 제공한다.
이미지 센서, 포토 다이오드, 칼라 필터, 실리콘 산화막, 마이크로 렌즈-
公开(公告)号：KR1020060023021A
公开(公告)日：2006-03-13
申请号：KR1020040071830
申请日：2004-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67242 , H01L21/68742
Abstract: 정전척 상으로부터 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프팅 장치에서, 다수의 리프트 핀들은 정전척의 상하를 관통하는 홀을 따라 상하 이동하며, 정전척의 하부에 배치되는 플레이트 상에 지지된다. 구동부는 상기 리프트 핀들을 이동시키기 위한 구동력을 제공하며, 상기 플레이트와 구동축을 통해 연결되어 있다. 상기 반도체 기판을 언로딩하는 동안 상기 리프트 핀들에 가해지는 압력은 상기 리프트 핀들과 결합된 센서에 의해 감지되며, 제어부는 상기 하중에 따라 상기 구동부의 동작을 제어한다. 따라서, 상기 반도체 기판의 언로딩 도중에 발생될 수 있는 반도체 기판의 파핑(popping)현상과 반도체 기판의 손상 등을 방지 할 수 있다.
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