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公开(公告)号：KR1020130092848A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：KR1020120014404
申请日：2012-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/45 , G02F1/13338 , G02F1/1368 , G06F3/0421 , G06F2203/04103 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/42384
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a display panel adopting the same are provided to improve electro-optic reliability by forming a structure to minimize external light which is inputted to a channel layer. CONSTITUTION: A first passivation layer (130) covers a gate (120). A channel layer (140) is formed on the first passivation layer. A source (160) and a drain (150) are in contact with both sides of the channel layer. A second passivation layer (170) covers the channel layer, the source, and the drain. A first transparent electrode layer (181) and a second transparent electrode layer (182) are separately formed on the second passivation layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的显示面板，以通过形成输入到沟道层的外部光的最小化结构来提高电光可靠性。 构成：第一钝化层（130）覆盖栅极（120）。 沟道层（140）形成在第一钝化层上。 源极（160）和漏极（150）与沟道层的两侧接触。 第二钝化层（170）覆盖沟道层，源极和漏极。 在第二钝化层上分别形成第一透明电极层（181）和第二透明电极层（182）。
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公开(公告)号：KR1020130058405A
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020110124396
申请日：2011-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L31/101 , G06F3/041 , H01L31/113
CPC classification number: H01L29/78606 , G06F3/041 , G06F3/042 , G06F2203/04103 , H01L31/1013 , H01L31/113
Abstract: PURPOSE: A light sensing circuit, a method of fabricating the light sensing circuit, and an optical touch panel including the light sensing circuit are provided to secure a thin optical touch panel not by using a capacitor. CONSTITUTION: A light sensor thin film transistor(14) is arranged on a substrate. The light sensor thin film transistor senses light. A switch thin film transistor(13) is arranged on the substrate. The switch thin film transistor outputs data from the light sensor thin film transistor. The active layer(121) of the light sensor thin film transistor includes a light sensitive oxide semiconductor material.
Abstract translation: 目的：提供光感测电路，制造光感测电路的方法和包括光感测电路的光学触摸面板，以不通过使用电容器来固定薄的光学触摸面板。 构成：光传感器薄膜晶体管（14）布置在基板上。 光传感器薄膜晶体管感测光。 开关薄膜晶体管（13）布置在基板上。 开关薄膜晶体管从光传感器薄膜晶体管输出数据。 光传感器薄膜晶体管的有源层（121）包括光敏氧化物半导体材料。
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公开(公告)号：KR1020120105786A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020110023432
申请日：2011-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04Q9/00 , G06F3/0304 , G06F3/03542 , G06F3/0412
Abstract: PURPOSE: A remote controller for optical touch screen and an operation method thereof are provided to increase stability by preventing failing of eyesight of a user due to laser light. CONSTITUTION: A laser light source unit(125) generates a laser light. A human body sensor(130) senses human body having a travel route of the laser light. A control module(121) controls an operation of a laser light source unit according to the output of the human body sensor. An infrared light generating unit(115) generates an infrared light for on/off control of a display device according to an operation of a power button. A laser operation button(120) operates the laser light source unit. [Reference numerals] (121) Control module
Abstract translation: 目的：提供一种用于光学触摸屏的遥控器及其操作方法，以通过防止由于激光导致的用户视力的失败来提高稳定性。 构成：激光光源单元（125）产生激光。 人体传感器（130）感测具有激光的行进路线的人体。 控制模块（121）根据人体传感器的输出来控制激光光源单元的动作。 红外光发生单元（115）根据电源按钮的操作产生用于显示设备的开/关控制的红外光。 激光操作按钮（120）操作激光光源单元。 （附图标记）（121）控制模块
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公开(公告)号：KR1020120062284A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020100123479
申请日：2010-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/0386 , G06F3/042 , G06F2203/04103 , G06F3/03542
Abstract: PURPOSE: An optical sensing circuit, a manufacturing method thereof, and an optical touch panel including the same are provided to simplify a manufacturing method of an optical sensing circuit by having an optical sensor transistor and a switch transistor. CONSTITUTION: An optical sensor transistor(14) is arranged on a substrate and senses light. A switch transistor(13) is arranged on the substrate and outputs data from the optical sensor transistor. An optical shield film(114) is arranged in a light incident surface of the switch transistor. The optical sensor transistor and the switch transistor use an oxide semiconductor material as a channel film.
Abstract translation: 目的：提供一种光学感测电路及其制造方法和包括该光学感测电路的光学触摸面板，以通过具有光学传感器晶体管和开关晶体管来简化光学感测电路的制造方法。 构成：光学传感器晶体管（14）布置在衬底上并感测光。 开关晶体管（13）布置在基板上并从光学传感器晶体管输出数据。 光屏蔽膜（114）布置在开关晶体管的光入射表面中。 光传感器晶体管和开关晶体管使用氧化物半导体材料作为沟道膜。
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公开(公告)号：KR1020110128049A
公开(公告)日：2011-11-28
申请号：KR1020100047647
申请日：2010-05-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/041
CPC classification number: H03K17/78 , H03K17/941 , G06F3/042
Abstract: PURPOSE: A light sensing circuit, a method of operating the light sensing circuit, and a light sensing device employing the light sensing circuit are provided not to need a capacitor by using an oxide semiconductor transistor which has excellent photosensitivity as an optical sensing device. CONSTITUTION: A switching transistor draws data by serially connecting an optical sensing transistor which senses the light. The optical sensing transistor uses a photosensitive oxide semiconductor as a material of a channel layer. A first gate line is connected to the gate of the switching transistor. A data line is connected to a source of the switching transistor. A driving voltage line is connected to the drain of the optical sensing transistor. A second gate line is connected to the gate of the optical sensing transistor.
Abstract translation: 目的：通过使用具有优异光敏性的氧化物半导体晶体管作为光学感测装置，提供光感测电路，操作光感测电路的方法和采用光感测电路的光感测装置，而不需要电容器。 构成：开关晶体管通过串联连接感测光的光学感测晶体管来绘制数据。 光感测晶体管使用光敏氧化物半导体作为沟道层的材料。 第一栅极线连接到开关晶体管的栅极。 数据线连接到开关晶体管的源极。 驱动电压线连接到光学感测晶体管的漏极。 第二栅极线连接到光学感测晶体管的栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110117993A
公开(公告)日：2011-10-28
申请号：KR1020100037531
申请日：2010-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/042 , G06F3/0346 , G06F3/14 , H04Q9/00
CPC classification number: H01L27/14681 , G01J1/44 , G06F3/03542 , G06F3/03545 , G06F3/0386 , G06F3/0412 , G09G3/3406 , G09G3/3648 , G09G3/3696 , G09G2320/043 , G09G2320/0626 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L31/1136 , H04N5/3745 , G06F3/042 , G06F3/0346 , G06F3/0423 , G06F3/14 , H04Q9/00
Abstract: 광센싱 소자로서 광민감성 산화물 반도체 트랜지스터를 이용하여 회로 구조를 단순화한 광센싱 회로 및 상기 단순화된 광센싱 회로를 채용한 리모트 광터치 패널 및 영상 획득 장치를 개시한다. 개시된 광센싱 회로는, 광센싱 소자로서의 역할과 데이터를 인출하기 위한 구동 회로의 역할을 동시에 수행하는 광민감성 산화물 반도체 트랜지스터를 한 화소마다 하나씩 포함한다. 따라서, 개시된 광센싱 회로는 하나의 화소 내에 다수의 트랜지스터를 포함하는 복잡한 회로 구조를 가질 필요가 없다. 이로 인해 광센싱 회로의 구조 및 동작이 간단해질 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110111111A
公开(公告)日：2011-10-10
申请号：KR1020100030510
申请日：2010-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/0264 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14645 , H01L31/0264 , H01L27/14616 , H01L29/7869
Abstract: 광민감성 소자로서 광민감성 산화물 반도체 트랜지스터를 사용한 이미지 센서 및 상기 이미지 센서에서 입사광의 RGB 값을 구하는 이미지 센서의 동작 방법을 개시한다. 개시된 이미지 센서에 따르면, 하나의 광센싱 층을 갖는 하나의 단일한 셀이 입사광의 RGB 성분을 모두 검출할 수 있는 하나의 단위 화소의 역할을 할 수 있다. 따라서, 단위 화소의 크기를 소형화할 수 있으며, 별도의 컬러 필터를 필요로 하지 않기 때문에, 이미지 센서의 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
Abstract translation: 提供了使用感光氧化物半导体材料作为感光装置的图像传感器和操作用于获取图像传感器中的入射光的RGB值的图像传感器的方法，图像传感器包括多个光的阵列 其中每个感光单元包括形成氧化物半导体晶体管的沟道区的光敏氧化物半导体层。 光敏氧化物半导体层的电子特性根据照射在光敏氧化物半导体层上的光量而变化。 每个感光单元构成单个单色彩像素。
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公开(公告)号：KR1020110107197A
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020100026412
申请日：2010-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01B32/182 , B32B15/00 , H01B1/08 , H01J9/02
Abstract: 그래핀을 포함하는 도전체 및 이를 적용한 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 도전체는 그래핀층(graphene layer)과 전도성 산화물층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 도전체는 그래핀층의 하면 및 상면 중 적어도 하나에 전도성 산화물층이 구비된 구조를 갖거나, 전도성 산화물층과 그래핀층이 교대로 반복 적층된 구조를 가질 수 있다. 상기 전도성 산화물층은 투명한 전도성 산화물층(transparent conductive oxide layer)일 수 있고, 이때, 상기 도전체는 투명할 수 있다. 상기 도전체는 전극일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110076187A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090132825
申请日：2009-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L29/41733
Abstract: PURPOSE: An image sensor using a light-sensitive transparent oxide semiconductor material is provided to achieve compactness of a unit pixel by using the light-sensitive transparent oxide semiconductor material as a photo sensor layer. CONSTITUTION: An image sensor(100) forms a light-sensitive oxide semiconductor material as a photo sensor layer. At least two photo sensor layers are stacked on different layers according to the stacking direction. A first photo sensor layer(110), a first filter layer(140), a second photo sensor layer(120), a second filter layer(150) and a third photo sensor layer(130) are arranged in sequence from a light incident layer of the image sensor.
Abstract translation: 目的：提供使用感光透明氧化物半导体材料的图像传感器，通过使用感光透明氧化物半导体材料作为光传感器层来实现单位像素的紧凑性。 构成：图像传感器（100）形成光敏氧化物半导体材料作为光传感器层。 至少两个光电传感器层根据层叠方向堆叠在不同的层上。 第一光传感器层（110），第一滤光层（140），第二光传感器层（120），第二滤光层（150）和第三光传感器层（130） 图像传感器层。
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公开(公告)号：KR1020110075398A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090131840
申请日：2009-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/823871 , H01L21/823892 , H01L29/517 , H01L29/66833
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device is provided to improve an information removal characteristic by forming an oxide thin film transistor on one side thereof. CONSTITUTION: An active area(13) is formed on an area of a substrate(10) and includes an n-type or a p-type material. A source area(14) is formed at one side of the active area and is formed with a material which is different from an other type of the active area. A tunneling layer, an information store layer, a blocking layer, and a gate are sequentially formed on the active area. A second electrode is electrically connected a first electrode and the active area which are formed on the source area.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件，用于通过在其一侧形成氧化物薄膜晶体管来改善信息去除特性。 构成：在基板（10）的区域上形成有源区（13），并且包括n型或p型材料。 源极区域（14）形成在有源区域的一侧，并且形成有与另一类型的有源区域不同的材料。 在活动区域上依次形成隧道层，信息存储层，阻挡层和栅极。 第二电极电连接第一电极和形成在源极区域上的有源区域。
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