公开(公告)号：KR101267238B1

公开(公告)日：2013-05-24

申请号：KR1020110034445

申请日：2011-04-13

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박태현 ,  홍승훈 ,  이상훈 ,  진혜준 ,  송현석 ,  박주훈

IPC: G01N27/414 ,  G01N27/327 ,  G01N27/416

Abstract: 본발명은후각수용체단백질이패턴고정화된바이오센서플랫폼의제조방법, 이에의하여제조된후각수용체단백질이패턴고정화된바이오센서플랫폼, 이를포함하는트랜지스터, 및바이오센서에관한것이다. 본발명의바이오센서용플랫폼은탄소나노튜브등의나노구조체를기판에패턴형성하고, 패턴화된나노구조체의표면을화학적으로처리하여기능기를도입하고, 후각수용체로기능화함으로써냄새물질검출에있어서현저하게향상된선택성및 감도를발휘할수 있다.

公开(公告)号：KR101110806B1

公开(公告)日：2012-02-24

申请号：KR1020100022414

申请日：2010-03-12

Applicant: 한국화학연구원 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 서영덕 ,  전기석 ,  김형민 ,  홍승훈 ,  김태경

IPC: G01Q70/10 ,  G01Q70/14

Abstract: 본 발명에 따른 현미경 탐침은, 캔틸레버(cantilever)의 일 측단에 부설되는 그 첨단부(vertex)가 삼각 형상으로 이루어지는 팁(tip)과, 상기 팁의 첨단부 상에 복수의 적층된 물질로 이루어지는 다중층(multi-layer)을 포함하며, 상기 첨단부는 상기 팁의 하부에 배치되는 스캐닝 기판과 각도를 유지하여 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 현미경 탐침의 팁 상에 라만 증강을 가져올 수 있도록 복수의 물질이 적층된 구조의 다중층을 형성하는 과정을 통하여 선명도 및 분해능을 향상할 수 있게 한다.

公开(公告)号：KR1020110108069A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：KR1020100027362

申请日：2010-03-26

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  변경은 ,  이병양

IPC: B82B3/00 ,  G01N33/533 ,  G01N33/68

CPC classification number: B82B3/0052 ,  B82Y5/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N33/533 ,  G01N33/6803

Abstract: 본 발명은 나노선과 모터 단백질의 결합방법에 관한 것으로, 구체적으로는 나노선의 표면을 아민기로 기능화시키는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 기능화된 나노선의 표면에 모터 단백질을 흡착시키는 단계(단계 2)를 포함하는 나노선과 모터 단백질을 결합시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 나노선의 틈새로 인해 모터 결합되는 모터 단백질의 농도가 국소적으로 높아지므로 모터 단백질의 기능성을 향상시킬 수 있으며, 일반적으로 평면에서 2차원으로 움직이는 모터 단백질을 1차원으로 움직이게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110097444A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100017291

申请日：2010-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이은홍 ,  홍승훈 ,  김언정 ,  이형우 ,  명성

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/102 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105 ,  H01L29/42312 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/41725

Abstract: 반도체 소자에 대해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 나노 와이어를 지닌 채널과 나노 파티클을 지닌 전하 저장층을 포함할 수 있으며, 전하 저장층 상에는 제 1게이트 및 제 2게이트를 포함하는 트윈 게이트 구조가 형성된 것일 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 소자는 메모리 소자 또는 다이오드일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110071737A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：KR1020090128381

申请日：2009-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  김병주 ,  이문숙

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  G01N27/4145 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/47

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a sensor based the same are provided to easily control a Schottky barrier by forming an electrode which is contacted with the surface of a semiconductor to form the Schottky barrier. CONSTITUTION: In a field effect transistor and a sensor based the same, a semiconductor channel is formed on a substrate. The semiconductor channel is comprised of a nanowire and a nanotude. A source electrode(121) and a drain electrode(122) are formed in the both ends of semiconductor channel. A third electrode(130) is contacted with the surface of a semiconductor to form the Schottky barrier. A source electrode, a drain electrode, and a third electrode are parallel with each other while having a certain interval between them.

Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管和基于此的传感器，以通过形成与半导体表面接触形成肖特基势垒的电极来容易地控制肖特基势垒。 构成：在场效应晶体管和基于此的传感器中，在衬底上形成半导体沟道。 半导体通道由纳米线和纳米线构成。 在半导体通道的两端形成源电极（121）和漏电极（122）。 第三电极（130）与半导体的表面接触以形成肖特基势垒。 源电极，漏电极和第三电极在它们之间具有一定间隔时彼此平行。

公开(公告)号：KR101042012B1

公开(公告)日：2011-06-17

申请号：KR1020090052411

申请日：2009-06-12

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  이형우 ,  남궁선

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/027 ,  B82Y15/00

Abstract: 본 기술은 전기 잡음을 감소시키는 채널막 형성 방법 및 그를 이용하여 제조된 센서 소자에 관한 것이다. 본 기술은 채널막 형성 방법에 있어서, 복수의 나노 구조의 네트워크로 이루어지는 채널막을 포함하는 소자 제조 방법에 있어서, 기판 상에, 전극과 교차하는 영역에서 폭이 증가하는 형상을 갖는 채널막을 형성하는 단계; 및 상기 채널막이 형성된 결과물 상에, 상기 채널막과 교차하는 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 기술에 따르면, 채널막과 전극의 접촉 면적을 증가시킴으로써, 전기 잡음을 감소시켜 소자의 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 센서 소자의 경우, 채널막과 전극의 접촉 면적 즉, 검지부의 면적을 증가시킴으로써, 센서 소자의 동작을 향상시킬 수 있다.
나노 와이어, 나노 튜브

公开(公告)号：KR101036551B1

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：KR1020080116502

申请日：2008-11-21

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  명성 ,  허광

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/7883 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887

Abstract: 재설정 가능한 반도체 소자가 개시된다. 상기 반도체 소자는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 제1 절연체, 상기 절연체 상에 형성되는 서로 다른 극성을 갖는 두 개의 채널 및 상기 채널의 양단에 공통으로 접합되는 복수의 단자 전극, 상기 단자 전극 상에 형성되는 제2 절연체 및 상기 제2 절연체 상에 형성되는 제어 게이트를 포함한다. 상기 채널들은 서로 다른 극성을 가지며, 상기 제2 절연체 내에는 전하 저장층이 형성된다. 상기 제어 게이트에 순 바이어스 또는 역 바이어스가 인가되고, 그 바이어스 인가는 차단된다. 상기 전하 저장층에 충전되는 전하들의 극성에 따라 상기 반도체 소자의 전압-전류 특성이 변화한다.
반도체 소자, 재설정, 제어 게이트, 나노 와이어, 전하 저장층, 플로팅

公开(公告)号：KR1020100113461A

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：KR1020100033945

申请日：2010-04-13

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  박성영

IPC: C12Q1/02 ,  C12M1/42 ,  C12M3/00 ,  B82Y5/00

CPC classification number: C12N5/0068 ,  C01B32/158 ,  C12N2533/32 ,  C12N2533/52

Abstract: PURPOSE: A method for controlling shape, growth, polarity or differentiation of stem cells using nanostructure patterning with electrical characteristic and physical stability. CONSTITUTION: A method for controlling shape, growth, polarity or differentiation of stem cells comprises: a step of forming a nanostructure pattern on the surface of a substrate; and a step of adsorbing proteins on the nanostructure pattern. The substrate is solid, polymer of mixture thereof. The nanostructure is a carbon nano tube. The nanostructure is conjugated with a functional group. The function al group is amine group. The protein is raminin, fibronectin or polylysine.

Abstract translation: 目的：使用具有电特性和物理稳定性的纳米结构图案来控制干细胞的形状，生长，极性或分化的方法。 构成：用于控制干细胞的形状，生长，极性或分化的方法包括：在基底表面上形成纳米结构图案的步骤; 以及在纳米结构图案上吸附蛋白质的步骤。 底物是固体，其混合物的聚合物。 纳米结构是碳纳米管。 纳米结构与官能团共轭。 功能基团为胺基。 蛋白质是重组蛋白，纤连蛋白或聚赖氨酸。

公开(公告)号：KR1020100097072A

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：KR1020100016844

申请日：2010-02-24

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  김태현 ,  이주형

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/20 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity and high-selectivity mercury ion sensing technique is provided to sense the mercury ion based on the spontaneous and selective oxidation-reduction reaction between the mercury ion and the carbon nanotube. CONSTITUTION: A mercury ion sensor comprises a substrate, a source electrode(13), a drain electrode(14), and a carbon nanotube transistor. The carbon nanotube is connected between the source electrode and the drain electrode. The carbon nanotube makes the oxidation-reduction reaction with the mercury ion. The carbon nanotube is the single-walled carbon nanotube. The mercury ion sensor detects the mercury ion by measuring the conductance change of the carbon nanotube by the oxidation-reduction reaction of the carbon nanotube and the mercury ion.

Abstract translation: 目的：提供高灵敏度和高选择性的汞离子感测技术，以便根据汞离子和碳纳米管之间的自发和选择性氧化还原反应来感测汞离子。 构成：汞离子传感器包括基板，源电极（13），漏电极（14）和碳纳米管晶体管。 碳纳米管连接在源电极和漏电极之间。 碳纳米管与汞离子进行氧化还原反应。 碳纳米管是单壁碳纳米管。 汞离子传感器通过碳纳米管和汞离子的氧化还原反应测量碳纳米管的电导变化来检测汞离子。

公开(公告)号：KR100975641B1

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：KR1020080076585

申请日：2008-08-05

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  이주형 ,  김태현

IPC: H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606

Abstract: 그래핀막 위에 마스크 역할을 할 수 있는 산화물 나노선를 정렬하고 이온빔으로 식각한다. 이온빔 식각 후, 남은 산화물 나노선을 제거하여 나노 스케일의 그래핀 구조를 제조한다.
그래핀, 나노 구조, 산화물 나노선, 이온빔 식각