Abstract:
본 발명에 따른 현미경 탐침은, 캔틸레버(cantilever)의 일 측단에 부설되는 그 첨단부(vertex)가 삼각 형상으로 이루어지는 팁(tip)과, 상기 팁의 첨단부 상에 복수의 적층된 물질로 이루어지는 다중층(multi-layer)을 포함하며, 상기 첨단부는 상기 팁의 하부에 배치되는 스캐닝 기판과 각도를 유지하여 배치되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 현미경 탐침의 팁 상에 라만 증강을 가져올 수 있도록 복수의 물질이 적층된 구조의 다중층을 형성하는 과정을 통하여 선명도 및 분해능을 향상할 수 있게 한다.
Abstract:
본 발명은 나노선과 모터 단백질의 결합방법에 관한 것으로, 구체적으로는 나노선의 표면을 아민기로 기능화시키는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 기능화된 나노선의 표면에 모터 단백질을 흡착시키는 단계(단계 2)를 포함하는 나노선과 모터 단백질을 결합시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 나노선의 틈새로 인해 모터 결합되는 모터 단백질의 농도가 국소적으로 높아지므로 모터 단백질의 기능성을 향상시킬 수 있으며, 일반적으로 평면에서 2차원으로 움직이는 모터 단백질을 1차원으로 움직이게 할 수 있다.
Abstract:
반도체 소자에 대해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 나노 와이어를 지닌 채널과 나노 파티클을 지닌 전하 저장층을 포함할 수 있으며, 전하 저장층 상에는 제 1게이트 및 제 2게이트를 포함하는 트윈 게이트 구조가 형성된 것일 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 소자는 메모리 소자 또는 다이오드일 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A field effect transistor and a sensor based the same are provided to easily control a Schottky barrier by forming an electrode which is contacted with the surface of a semiconductor to form the Schottky barrier. CONSTITUTION: In a field effect transistor and a sensor based the same, a semiconductor channel is formed on a substrate. The semiconductor channel is comprised of a nanowire and a nanotude. A source electrode(121) and a drain electrode(122) are formed in the both ends of semiconductor channel. A third electrode(130) is contacted with the surface of a semiconductor to form the Schottky barrier. A source electrode, a drain electrode, and a third electrode are parallel with each other while having a certain interval between them.
Abstract:
본 기술은 전기 잡음을 감소시키는 채널막 형성 방법 및 그를 이용하여 제조된 센서 소자에 관한 것이다. 본 기술은 채널막 형성 방법에 있어서, 복수의 나노 구조의 네트워크로 이루어지는 채널막을 포함하는 소자 제조 방법에 있어서, 기판 상에, 전극과 교차하는 영역에서 폭이 증가하는 형상을 갖는 채널막을 형성하는 단계; 및 상기 채널막이 형성된 결과물 상에, 상기 채널막과 교차하는 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 기술에 따르면, 채널막과 전극의 접촉 면적을 증가시킴으로써, 전기 잡음을 감소시켜 소자의 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 센서 소자의 경우, 채널막과 전극의 접촉 면적 즉, 검지부의 면적을 증가시킴으로써, 센서 소자의 동작을 향상시킬 수 있다. 나노 와이어, 나노 튜브
Abstract:
재설정 가능한 반도체 소자가 개시된다. 상기 반도체 소자는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 제1 절연체, 상기 절연체 상에 형성되는 서로 다른 극성을 갖는 두 개의 채널 및 상기 채널의 양단에 공통으로 접합되는 복수의 단자 전극, 상기 단자 전극 상에 형성되는 제2 절연체 및 상기 제2 절연체 상에 형성되는 제어 게이트를 포함한다. 상기 채널들은 서로 다른 극성을 가지며, 상기 제2 절연체 내에는 전하 저장층이 형성된다. 상기 제어 게이트에 순 바이어스 또는 역 바이어스가 인가되고, 그 바이어스 인가는 차단된다. 상기 전하 저장층에 충전되는 전하들의 극성에 따라 상기 반도체 소자의 전압-전류 특성이 변화한다. 반도체 소자, 재설정, 제어 게이트, 나노 와이어, 전하 저장층, 플로팅
Abstract:
PURPOSE: A method for controlling shape, growth, polarity or differentiation of stem cells using nanostructure patterning with electrical characteristic and physical stability. CONSTITUTION: A method for controlling shape, growth, polarity or differentiation of stem cells comprises: a step of forming a nanostructure pattern on the surface of a substrate; and a step of adsorbing proteins on the nanostructure pattern. The substrate is solid, polymer of mixture thereof. The nanostructure is a carbon nano tube. The nanostructure is conjugated with a functional group. The function al group is amine group. The protein is raminin, fibronectin or polylysine.
Abstract:
PURPOSE: A high-sensitivity and high-selectivity mercury ion sensing technique is provided to sense the mercury ion based on the spontaneous and selective oxidation-reduction reaction between the mercury ion and the carbon nanotube. CONSTITUTION: A mercury ion sensor comprises a substrate, a source electrode(13), a drain electrode(14), and a carbon nanotube transistor. The carbon nanotube is connected between the source electrode and the drain electrode. The carbon nanotube makes the oxidation-reduction reaction with the mercury ion. The carbon nanotube is the single-walled carbon nanotube. The mercury ion sensor detects the mercury ion by measuring the conductance change of the carbon nanotube by the oxidation-reduction reaction of the carbon nanotube and the mercury ion.