-
公开(公告)号：KR1020090071147A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070139362
申请日：2007-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A method of manufacturing cold cathode using the jet printing method is provided to strongly adhere the carbon nanotube to a substrate by the thermal budget by using a bonding layer. The carbon nanotube solution is prepared. The carbon nanotube solution is jet-printed on the substrate. In a stand-by process, surfactant and carbon nanotube are mixed with water. The carbon nanotube is dispersed by ultrasonic wave. The organic solvent is the mixture of the isopropanol and water. And the water is a rate of 10~90 wt.%. After the dispersion step, the biocide and the additive including moisturizing agent are added in the mixture.
Abstract translation: 提供使用喷墨打印方法制造冷阴极的方法，通过使用结合层通过热预算将碳纳米管强力地附着到基底上。 制备碳纳米管溶液。 将碳纳米管溶液喷射印刷在基板上。 在待机过程中，将表面活性剂和碳纳米管与水混合。 碳纳米管通过超声波分散。 有机溶剂是异丙醇和水的混合物。 水的比例为10〜90重量％。 在分散步骤之后，在混合物中加入杀生物剂和包含保湿剂的添加剂。
-
公开(公告)号：KR100855602B1
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：KR1020070054677
申请日：2007-06-04
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1309 , B41J2/14 , B41J2/1642 , G02F1/1303 , G03F7/0002 , H04N5/225
Abstract: A micro pattern transfer apparatus capable of varying a line width is provided to control a contact area between a substrate and a probe by using elasticity of a probe support unit and a connection unit of the probe, thereby forming a micro pattern on the substrate as controlling the line width. A first ink keeping unit(320) contains ink. A probe unit(310) includes a hole and a probe. The hole transfers ink, applied from the first ink keeping unit, onto a substrate(350). The probe is for opening/closing the hole. A probe support unit fixes the probe unit to a lower part of the first ink keeping unit. An optical unit(330) includes a CCD(Charge Coupled Device) camera for confirming a location and processing state of the probe unit.
Abstract translation: 提供能够改变线宽的微图形转印装置，通过使用探针支撑单元和探针的连接单元的弹性来控制基板和探针之间的接触面积，由此在基板上形成微图案作为控制 行宽。 第一墨水保持单元（320）包含墨水。 探针单元（310）包括孔和探针。 该孔将从第一墨水保持单元施加的墨水转印到基底（350）上。 探头用于打开/关闭孔。 探针支撑单元将探针单元固定到第一墨水保持单元的下部。 光学单元（330）包括用于确认探针单元的位置和处理状态的CCD（电荷耦合器件）照相机。
-
公开(公告)号：KR100695623B1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：KR1020040049780
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 바이오 분자를 분석할 수 있고, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널(Short channel) 효과의 발생을 방지할 수 있으며, 탐침의 종횡비를 크게 하여, 정보의 센싱도를 향상시키는 원자간력 현미경용 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 동일한 두께의 포지티브 포토레지스트를 도포하여 탐침의 첨두부만 보이도록 하거나 포지티브 포토레지스트를 두껍게 도포한 후에 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포지티브 포토레지스트 상부에 네거티브 포토레지스트를 도포한 후에 마스크를 패터닝하여 탐침의 첨두부의 상기 네거티브 포토레지스트를 제거하는 단계; (e) 상기 네거티브 포토레지스트가 제거된 탐침의 첨두부에만 금속점을 증착하는 단계; 및 (e) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 바이오 분자들 간의 상호작용에 따른 전기적 효과를 측정함으로써 단일 분자를 탐침에 부착하는 장점이 있고, 수신 감도가 증대되는 효과가 있다.
AFM, 캔틸레버, 전하량 측정, 종횡비, 현미경, 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020070009788A
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020050063670
申请日：2005-07-14
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A read/write enabled atomic force microscopy cantilever is provided to improve the sensitivity by embedding a MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in the atomic force microscopy cantilever. An atomic force microscopy cantilever includes a cantilever support, a cantilever arm, a probe(150), a metal layer(160), a channel(170), a source(180), a drain(190), and a gate(200). A first silicon layer, an oxide layer, and a second silicon layer are sequentially stacked in the cantilever support. The cantilever arm is formed by extending the second silicon layer of the cantilever support. The probe is formed in the second silicon layer of the cantilever arm. The metal layer is formed in the cantilever support. The channel is formed at a lower portion of the probe. Impurities are doped in the source and the drain. The gate is formed between the source and the drain.
Abstract translation: 通过在原子力显微镜悬臂中嵌入一个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来提供一个支持读/写的原子力显微镜悬臂，以提高灵敏度。 原子力显微镜悬臂包括悬臂支架，悬臂，探针（150），金属层（160），通道（170），源（180），排水口（190）和门 ）。 第一硅层，氧化物层和第二硅层顺序堆叠在悬臂支架中。 悬臂是通过延伸悬臂支撑件的第二硅层而形成的。 探针形成在悬臂的第二硅层中。 金属层形成在悬臂支撑件中。 通道形成在探针的下部。 杂质掺杂在源极和漏极中。 栅极形成在源极和漏极之间。
-
公开(公告)号：KR100648041B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050063675
申请日：2005-07-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B9/14
Abstract: An information storage device is provided to achieve the storage of information in the tera-bit range by manufacturing media using a spin-coated polymer thin film, a phase transition layer, or a ferroelectric thin film. An information storage device is configured to read and write information using media(210) formed on a silicon substrate(220). The media are formed of a polymer thin film, a phase transition layer, a dielectric/ferroelectric thin film, or a conductive transition oxide thin film. The information storage device has an atomic microscopic cantilever including a cantilever support, a cantilever arm, a probe(150), a metal layer(160) formed on the cantilever support, a channel formed below the probe, a source(180), a drain(190), and a gate(200) formed between the source and drain.
Abstract translation: 提供信息存储装置以通过使用旋涂聚合物薄膜，相变层或铁电薄膜制造介质来实现在四比特范围内的信息存储。 信息存储装置被配置为使用形成在硅衬底（220）上的介质（210）读取和写入信息。 介质由聚合物薄膜，相变层，电介质/铁电薄膜或导电过渡氧化物薄膜形成。 该信息存储装置具有包括悬臂支撑，悬臂，探针（150），形成在悬臂支撑上的金属层（160），形成在探针下方的通道，源（180）， 漏极（190）以及在源极和漏极之间形成的栅极（200）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100617470B1
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020040045211
申请日：2004-06-18
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 탄소나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (e) 상기 금속막을 열처리한 후에 구형으로 변형하여 금속구를 형성하는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 탄소 나노튜브를 수직으로 배양시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
탄소 나노튜브, 원자간력, 현미경, 캔틸레버, 수직, 배양-
公开(公告)号：KR100603244B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020040059941
申请日：2004-07-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B9/14
Abstract: 본 발명은 탐침형 정보저장장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있는 휴대용 정보저장장치에 관한 것이다.
본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침 어레이, 신호처리부, 매체 및 구동기로 이루어진 탐침형 정보저장장치에 있어서, 상기 탐침 어레이와 신호처리부를 외부 케이스에 연결하기 위한 탐침부 스프링 및 상기 매체와 구동기를 외부 케이스에 연결하기 위한 구동부 스프링으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침부와 매체부 주위에 스프링을 부가함으로써, 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있어 휴대용 정보저장장치로의 사용이 가능하고, 종래의 질량 보상 방법에 비해 기록 면적을 높일 수 있는 장점이 있으며, 탐침부와 매체부 사이의 진동이 줄어들기 때문에 신호대 잡음비가 높아져 고속화 또는 대용량화가 가능한 효과가 있다.
탐침, 스프링, 저장, 매체, 구동-
公开(公告)号：KR1020060000815A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040049786
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
CPC classification number: G01Q60/38 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 금속점을 증착시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐 침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
양자점, 원자간력, 현미경, 캔틸레버-
公开(公告)号：KR100515735B1
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：KR1020030058707
申请日：2003-08-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: 본 발명은 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법에 관한 것으로, 지지부와, 상기 지지부로부터 연장되어 하부로부터 부상된 캔틸레버부와, 상기 캔틸레버부 선단의 탐침과, 상기 탐침 하부의 캔틸레버부에 형성된 채널과; 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 구성된 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터를 갖는 캔틸레버를 형성하는 단계와; 상기 전계 효과 트랜지스터를 갖는 캔틸레버를 카본을 포함하고 있는 챔버내에 삽입시킨 후, 상기 캔틸레버의 탐침에 전자빔을 조사하여 상기 탐침의 첨두에 카본팁을 형성하는 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 테라 비트급 탐침형 정보 저장기기에 적용할 수 있으며, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널(Short channel)효과의 발생을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 탐침의 수직 종횡비를 크게 하여, 단차가 아주 심한 기록 매체에서도 전하를 읽을 수가 있으므로, 정보의 센싱도를 향상시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020160082331A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140191251
申请日：2014-12-28
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 태양광의근적외선영역및 원적외선영역모두를효율적으로차폐하는단열코팅이개시된다. 본발명의일 실시예에따른적외선차폐단열코팅은, 제1 굴절률을갖는제1 굴절률층, 제1 굴절률보다낮은제2 굴절률을갖는제2 굴절률층및 제2 굴절률보다낮은제3 굴절률을갖는제3 굴절률층을하나이상포함하여, 굴절률이상대적으로큰 굴절률층상에굴절률이상대적으로작은굴절률층이위치하도록형성되고, 제1 굴절률및 제3 굴절률의차이인제1 굴절률차는제2 굴절률및 제3 굴절률의차이인제2 굴절률차보다크고, 제1 굴절률차에의해태양광의근적외선이차폐되고, 제2 굴절률차에의해태양광의원적외선이차폐된다.
Abstract translation: 公开了一种用于从太阳光的近红外区域和远红外区域两者的有效屏蔽的绝缘涂层。 根据本发明实施例的用于红外屏蔽的绝缘涂层包括具有第一折射率的第一折射率层，具有低于第一折射率的第二折射率的第二折射率层和具有低于第一折射率的第二折射率层的第三折射率层， 第三折射率低于第二折射率，其中折射率相对较小的折射率层位于具有相对较大折射率的折射率层和第一折射率差，第一折射率差是第一 折射率和第三折射率大于第二折射率差，其是第二折射率和第三折射率之间的差，因此太阳光的近红外线被第一折射率差 并且太阳光的远红外线被第二折射线遮蔽 ive指数差异。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
91
records
(took 0.024 seconds)
