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公开(公告)号：KR100732368B1
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020050063672
申请日：2005-07-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 복잡한 장치를 사용하지 않으면서 쉽게 강유전체의 분극을 알 수 있는 캔틸레버의 탐침을 제조하기 위한 것이다.
본 발명의 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침은 캔틸레버 지지부; 상기 캔틸레버 지지부 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 금속층 및 상기 금속층의 첨두부에 형성된 강유전체로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
강유전체, 탐침, 전기분극-
公开(公告)号：KR100715123B1
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：KR1020050059519
申请日：2005-07-04
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B7/2433 , G11B7/004
Abstract: 본 발명은 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 상전이 박막 상에 금속-절연체 상전이 박막을 추가로 증착하여 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 고밀도의 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 탐침형 정보저장장치의 기록매체는 상전이 박막을 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체에 있어서, 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하는 금속-절연체 상전이 박막으로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법은 상전이에 의하 저항치의 변화를 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조함에 있어 제1 상전이 박막 상에 제2 상전이 박막을 추가로 증착함으로써 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 장점이 있고, 테라비트급 탐침형 정보저장장치에 사용이 가능하며 PRAM 소자에 응용할 수 있는 효과가 있다.
상전이 박막, 기록매체, 정보저장, 기록, 재생, 소거-
公开(公告)号：KR100644798B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020050063676
申请日：2005-07-14
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A driver for a low power probe type information storage device is provided to reduce the weight, decrease the driving power, and enhance the vertical strength by forming a lattice structure on a surface opposite to a recording surface of a middle transfer stick. A middle frame is connected to an outer frame(100) through springs, and moves in an X direction. A first seesaw is fixed to the outer frame(100), and connected to an X-axis driver and the middle frame through springs. A middle transfer stick(115) is connected to the middle frame though springs, and moves in a Y direction. A second seesaw is fixed to the outer frame(100), and connected to a Y-axis driver and the middle transfer stick(115) through springs. A recording medium(110) is joined to the middle transfer stick(115). A lattice structure is formed in the center portion of the middle transfer stick(115). A lower substrate(130) has coils for moving the X-axis and Y-axis drivers.
Abstract translation: 通过在与中间转印棒的记录表面相对的表面上形成网格结构，提供了一种用于低功率探针型信息存储设备的驱动器以减轻重量，降低驱动功率并增强垂直强度。 中框架通过弹簧连接到外框架（100），并沿X方向移动。 第一杠杆固定在外框架（100）上，并通过弹簧连接到X轴驱动器和中间框架。 中间转印杆（115）通过弹簧连接到中间框架，并沿Y方向移动。 第二跷跷板固定在外框架（100）上，并通过弹簧连接到Y轴驱动器和中间转印杆（115）。 记录介质（110）连接到中间转印杆（115）。 在中间转印杆（115）的中央部分形成网格结构。 下基板（130）具有用于移动X轴和Y轴驱动器的线圈。
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公开(公告)号：KR1020060008459A
公开(公告)日：2006-01-27
申请号：KR1020040056197
申请日：2004-07-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01J37/28
Abstract: 본 발명은 실리콘 탐침 상에 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평 방향 전자빔을 조사하여 100nm 이하의 CD 측정이 가능한 탐침에 관한 것이다.
본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 (a) 2축 구동기가 형성된 캔틸레버를 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 상에 실리콘 탐침을 형성하는 단계; (c) 상기 실리콘 탐침이 형성된 캔틸레버를 탄화수소계 용제에 디핑하는 단계; (d) 상기 실리콘 탐침 상에 탄소 재질의 탐침을 성장시키는 단계 및 (e) 상기 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평으로 전자빔을 조사하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 탐침과 빔을 수직방향으로 한 탐침의 수평방향 성장방법을 통해 100nm 이하의 CD의 측정이 가능하게 하며, 탐침 끝을 볼 형태로 제작하여 CD 벽면 측정을 용이하게 하고 열처리를 통해 전도성이 뛰어난 효과가 있다.
CD, 고종횡비, 탐침, 수평방향-
公开(公告)号：KR1020050120024A
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：KR1020040045211
申请日：2004-06-18
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772 , B82Y40/00
CPC classification number: G01Q60/38 , B82Y40/00 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 탄소나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (e) 상기 금속막을 열처리한 후에 구형으로 변형하여 금속구를 형성하는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 탄소 나노튜브를 수직으로 배양시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050114435A
公开(公告)日：2005-12-06
申请号：KR1020040039653
申请日：2004-06-01
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: G01Q60/38 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 락인 증폭기를 사용하지 않으면서도 수십 GHz 이상에서 작동되는 반도체 소자의 고주파 특성을 볼 수 있는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지대, 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암, 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 팁, 상기 팁 내에 형성된 채널 및 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 이루어진 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서, 상기 팁은 콘 모양 또는 피라미드 모양임을 특징으로 하는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 의해 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 팁을 제외한 주변의 절연막을 제거하므로써 고주파 소자의 검사가 가능한 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020040033564A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：KR1020020062703
申请日：2002-10-15
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01J37/28
Abstract: PURPOSE: A cantilever of a scanning probe microscope and a method for manufacturing a tip are provided to achieve tips having improved hardness, abradability, and sharpness. CONSTITUTION: A cantilever of a scanning probe microscope comprises a cantilever rod(106) formed by silicone, and a tip(102) made of carbon material. The tip is grown in vertical direction of electron beams irradiated on the cantilever rod for electron beam induced deposition. A method for manufacturing the tip comprises a step of setting a parameter value for forming a cantilever rod tip, a step of irradiating electron beams to the position where the tip is grown by applying the set parameter value, and a step of forming the tip made of carbon material through decomposition of hydrocarbon gas(104) by heating up the bottom part of the tip forming position.
Abstract translation: 目的：提供扫描探针显微镜的悬臂和尖端的制造方法，以获得具有改善的硬度，耐磨性和清晰度的尖端。 构成：扫描探针显微镜的悬臂包括由硅树脂形成的悬臂杆（106）和由碳材料制成的尖端（102）。 尖端沿垂直方向生长，照射在用于电子束诱导沉积的悬臂上的电子束。 用于制造尖端的方法包括设置用于形成悬臂杆末端的参数值的步骤，通过施加设定参数值将电子束照射到生长尖端的位置的步骤，以及形成尖端的步骤 的碳材料通过加热顶端形成位置的底部而分解烃气体（104）。
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公开(公告)号：KR100696870B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020040049786
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 금속점을 증착시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐 침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
양자점, 원자간력, 현미경, 캔틸레버-
公开(公告)号：KR100653198B1
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020040039653
申请日：2004-06-01
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 락인 증폭기를 사용하지 않으면서도 수십 GHz 이상에서 작동되는 반도체 소자의 고주파 특성을 볼 수 있는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지대, 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암, 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 팁, 상기 팁 내에 형성된 채널 및 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 이루어진 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서, 상기 팁은 콘 모양 또는 피라미드 모양임을 특징으로 하는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 의해 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 팁을 제외한 주변의 절연막을 제거하므로써 고주파 소자의 검사가 가능한 효과가 있다.
고주파, 소자, 원자간력, 현미경, 캔틸레버-
公开(公告)号：KR100617468B1
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：KR1020040056197
申请日：2004-07-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01J37/28
Abstract: 본 발명은 실리콘 탐침 상에 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평 방향 전자빔을 조사하여 100nm 이하의 CD 측정이 가능한 탐침에 관한 것이다.
본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 (a) 2축 구동기가 형성된 캔틸레버를 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 상에 실리콘 탐침을 형성하는 단계; (c) 상기 실리콘 탐침이 형성된 캔틸레버를 탄화수소계 용제에 디핑하는 단계; (d) 상기 실리콘 탐침 상에 탄소 재질의 탐침을 성장시키는 단계 및 (e) 상기 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평으로 전자빔을 조사하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 탐침과 빔을 수직방향으로 한 탐침의 수평방향 성장방법을 통해 100nm 이하의 CD의 측정이 가능하게 하며, 탐침 끝을 볼 형태로 제작하여 CD 벽면 측정을 용이하게 하고 열처리를 통해 전도성이 뛰어난 효과가 있다.
CD, 고종횡비, 탐침, 수평방향
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