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公开(公告)号：KR2020090004569U
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR2020070018145
申请日：2007-11-09
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: B26F1/36 , B26D7/1818 , B26F2001/365
Abstract: 본 고안은 드레싱재 및 기타 판상의 물체를 소정 형상으로 펀칭한 후 펀칭된 물체의 분리를 용이하게 하기 위한 펀칭 장치에 관한 것이다.
본 고안의 펀칭 장치는 판상의 물체를 소정의 형상으로 펀칭하기 위한 컷팅수단을 포함하며 일측면이 개방되어 있고 내부에 빈 공간을 갖는 펀칭부, 상기 펀칭부 내부의 일측면에 고정되는 용수철과 상기 용수철의 일측면에 고정되어 펀칭시 판상의 물체와 접촉하는 가압수단을 갖는 탄성체부 및 상기 펀칭부의 용수철이 부착된 면의 반대측면에 연결되는 손잡이부를 포함함에 기술적 특징이 있다.
판상의 물체, 드레싱재, 펀칭, 용수철, 분리-
公开(公告)号：KR100864180B1
公开(公告)日：2008-10-17
申请号：KR1020060135849
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N5/374
Abstract: 본 발명은 제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 신호를 출력하기 위한 셀렉트용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS) 및 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 전하를 축적하기 위한 캐패시터를 포함한다.
따라서, 본 발명에 다른 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀은 광전변환이 빠르고 광전 효율이 좋은 플로팅 게이트 및 바디 구조의 Photo-PMOS를 포함하는 구성으로 인하여 저조도의 환경에서도 용이하게 이미지를 획득할 수 있으며, 이와 더불어 고속의 동영상 촬영이 가능할 뿐 아니라, Photo-PMOS의 N-well 외부에 트랜치를 형성하여, 인접한 웰(well) 혹은 인접한 소자간의 절연을 실현할 수 있어 이미지 센서의 단위 픽셀의 피치 사이즈를 최소화하며, 이와 더불어 형성된 트랜치에 캐패시터를 형성함으로써 전하 축적 용량의 향상, 다이나믹 레인지를 넓힐 수 있다.
Photo-PMOS, 트랜치, 캐패시터, 이미지 센서Abstract translation: 本发明包括在形成于半导体衬底上的CMOS图像传感器的第一类型的杂质，莫尔斯光电转换到包括井掺杂（孔）与第二类型的掺杂剂，和光接收来产生电信号（MOS ），选择MOS（MOS），复位MOS（MOS），并从光电转换MOS（MOS），用于接收用于对输出信号施加复位信号到光电转换MOS（MOS）的光电转换 一个电容器，用于存储从接收到用于MOS（MOS）的电荷。
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公开(公告)号：KR1020080061061A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135847
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3741 , H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3745 , H04N5/3765
Abstract: A CMOS image sensor and an image data processing method are provided to accomplish a high sensitivity at a low illumination by implementing active pixels, and implement video at a high speed. A photoelectric transformation MOS(220) includes a well doped with the second type impurity and generates an electrical signal upon receiving light. A reset MOS(210) applies a reset signal to the photoelectric transformation MOS. A source follower MOS(230) converts a photoelectric current received from the photoelectric transformation MOS into a voltage. A floating diffusion node is positioned between the reset MOS and the photoelectric transformation MOS and accumulates currents. The photoelectric transformation MOS includes a color filter at an upper portion thereof to implement a color image, and adjusts the thickness of a gate electrode to implement a color image.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器和图像数据处理方法，以通过实现有源像素在低照度下实现高灵敏度，并且以高速实现视频。 光电转换MOS（220）包括掺杂有第二类型杂质的阱，并在接收光时产生电信号。 复位MOS（210）向光电变换MOS施加复位信号。 源极跟随器MOS（230）将从光电转换MOS接收的光电流转换为电压。 浮置扩散节点位于复位MOS和光电转换MOS之间并累积电流。 光电转换MOS包括在其上部的滤色器以实现彩色图像，并且调节栅电极的厚度以实现彩色图像。
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公开(公告)号：KR1020080061052A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135822
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01J1/32
Abstract: A system and a method for calibrating a linear photodiode are provided to improve yield of products by making different optical current characteristics of optical sensors uniform through a program. A system for calibrating a linear photodiode includes a linear optical sensor(110), a memory(130), and a data processing unit(120). The linear optical sensor is made of a plurality of arrays to output a predetermined input light as an optical current value. The memory stores the optical current value, the optical current value corrected in sensitivity which is calculated by using a dark current value of the linear optical sensor, and the optical current value equalized in sensitivity. The data processing unit calculates the optical current value corrected in sensitivity and the optical current value equalized in sensitivity.
Abstract translation: 提供了用于校准线性光电二极管的系统和方法，以通过使程序中的光学传感器的不同的光电流特性均匀来提高产品的产量。 用于校准线性光电二极管的系统包括线性光学传感器（110），存储器（130）和数据处理单元（120）。 线性光学传感器由多个阵列制成，以输出预定的输入光作为光电流值。 存储器存储光电流值，通过使用线性光学传感器的暗电流值计算的灵敏度校正的光电流值和灵敏度均衡的光电流值。 数据处理单元计算灵敏度校正的光电流值和灵敏度均衡的光电流值。
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公开(公告)号：KR1020070096106A
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020050129800
申请日：2005-12-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14614
Abstract: A photo-PMOS APS(active pixel sensor) image sensor is provided to embody an image of high sensitivity at low illumination by using a photoelectrically transformed photo-PMOS employing a photoelectric transformation method in an active unit pixel of an image sensor. One side of a photoelectric transformation MOS(200) is connected to a first power voltage, and the other side of the photoelectric transformation MOS is connected to a first node. The photoelectric transformation MOS receives light from the outside to transform the light into an electric signal. A reset transistor(202) is reset to initialize a floating diffusion region(204), positioned between a second power voltage and the first node and controlled by a reset signal. A transfer transistor(203) transfers an electrical signal received from photoelectrical transformation transistor to the floating diffusion region, electrically connected to the photoelectric transformation transistor. A source follower buffer converts the electrical signal into a voltage. A select transistor(205) is switched by a switching signal applied from the outside. The photoelectric transformation MOS can be photo-PMOS, and the reset transistor and the transfer transistor can be a PMOS.
Abstract translation: 提供了一种光PMOS-APS（有源像素传感器）图像传感器，其通过在图像传感器的有源单位像素中使用光电变换方法的光电转换光电PMOS来在低照度下实现高灵敏度的图像。 光电变换MOS（200）的一侧与第一电源电压连接，光电变换MOS的另一侧与第一节点连接。 光电变换MOS从外部接收光，将光变换为电信号。 复位晶体管（202）被复位以初始化位于第二电源电压和第一节点之间并由复位信号控制的浮动扩散区域（204）。 传输晶体管（203）将从光电转换晶体管接收的电信号传送到电连接到光电转换晶体管的浮动扩散区域。 源跟随器缓冲器将电信号转换成电压。 通过从外部施加的切换信号切换选择晶体管（205）。 光电转换MOS可以是光电PMOS，复位晶体管和转移晶体管可以是PMOS。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040095079A
公开(公告)日：2004-11-12
申请号：KR1020030028681
申请日：2003-05-06
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/10
Abstract: PURPOSE: A structure of a high-sensitive nano photo-detector is provided to improve sensitivity and reduce dark current by connecting electrically a floating gate to a body and forming channel width with a nano size level. CONSTITUTION: A structure of a high-sensitive nano photo-detector includes a channel(20) formed on an active SOI wafer, a gate insulating layer formed around the channel, a gate for controlling the carrier flow of the channel, a source(10) and a drain(11) formed at both ends of the channel, and a metal layer connected to the gate, the source, and the drain. The channel is formed with a quantum channel of a nano size. A body(21) as a neutral region of the channel is electrically connected to the gate.
Abstract translation: 目的：提供高灵敏度纳米光电探测器的结构，通过将浮动栅极电连接到主体并以纳米级别形成通道宽度来提高灵敏度并减少暗电流。 构成：高灵敏度纳米光检测器的结构包括形成在有源SOI晶片上的通道（20），围绕通道形成的栅极绝缘层，用于控制通道的载流子流的栅极，源极（10） ）和形成在通道的两端的漏极（11）以及连接到栅极，源极和漏极的金属层。 该通道由纳米尺寸的量子通道形成。 作为通道的中性区域的主体（21）电连接到门。
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公开(公告)号：KR100404904B1
公开(公告)日：2003-11-07
申请号：KR1020010032277
申请日：2001-06-09
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01L9/00
CPC classification number: G01L9/0042 , G01L9/0073
Abstract: A pressure sensor using two capacitors for measuring a pressure stimulus includes a substrate having a diaphragm positioned at a center portion thereof. The diaphragm has a reduced thickness so that the diaphragm displaces upward and downward in response to a pressure stimulus. A first capacitor is provided on the diaphragm and at least a second capacitor is provided on a bulk portion of the substrate so as to be adjacent to the first capacitor. The first and the second capacitor are connected to each other in series, wherein capacitance differs between the first and the second capacitor when the diaphragm moves up and down in response to the pressure stimulus.
Abstract translation: 使用用于测量压力刺激的两个电容器的压力传感器包括具有位于其中心部分的隔膜的基板。 隔膜的厚度减小，使得隔膜响应于压力刺激而向上和向下移位。 在膜片上提供第一电容器，并且至少第二电容器设置在衬底的体部上以便与第一电容器相邻。 第一和第二电容器彼此串联连接，其中当隔膜响应于压力刺激而上下移动时，第一和第二电容器之间的电容不同。
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公开(公告)号：KR102099501B1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：KR1020170160227
申请日：2017-11-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00 , A61B5/0488 , A61B5/0444 , A61B5/11 , A61B5/01
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公开(公告)号：KR101757592B1
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：KR1020160072434
申请日：2016-06-10
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G06K9/00 , G06K9/62 , G06K9/00885 , G06K9/6212 , G06K9/6227
Abstract: MSP 기반생체인식장치의착용위치보정방법이제공된다. 본발명의실시예에따른생체인식방법은, 사용자의손목에광을조사하고제1 사이즈의검출기어레이로상기손목을확산반사한광을검출하여광 검출패턴을등록하고, 사용자의손목에광을조사하고제2 사이즈의검출기어레이로상기손목을확산반사한광을검출하여광 검출패턴을측정하며, 측정된광 검출패턴과등록된광 검출패턴을비교하여사용자를식별한다. 이에의해, MSP 기반생체인식장치의착용위치를보정하여개인식별을수행하므로, 잘못식별할확률을획기적으로줄일수 있게된다.
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