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公开(公告)号：KR100682741B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050052647
申请日：2005-06-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 평판 디스플레이 등에 사용되는 투명 전도성 산화물 박막으로 알루미늄과 갈륨이 도핑된 산화아연 박막을 제공한다. 상대적으로 산소 안정성이 좋고 에칭 특성 개선이 예상되는 갈륨을 동시 도핑함으로써 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO) 박막의 산화반응에 의한 물성 저하 및 에칭 속도가 빠른 문제점을 개선하였다. 알루미늄이 포함된 산화아연 타겟과 갈륨이 포함된 산화아연 타겟을 경사지도록 배치하고 스퍼터링 파워를 조절하여 알루미늄과 갈륨의 비율을 조절하였으며, 제조된 산화아연 박막의 전기적 특성, 경시(aging) 특성, 에칭 특성 등이 향상된 것을 확인하였다.
투명 전도성 산화물 박막, 알루미늄/갈륨 도핑된 산화아연 박막, 에칭 특성, 전기 비저항, 이동도, 캐리어 농도, 광 투과율-
公开(公告)号：KR100348587B1
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：KR1019990002743
申请日：1999-01-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 이전국
IPC: H01L21/316
Abstract: 본발명은대면적산화물박막형성장비의샤워헤드에관한것으로, 다수개의가스분배기(21)를피라미드형상으로다단구성하여, 대면적의기판(12)에산화막을형성시가스주입관(23)으로주입된가스가기판(12)의상측에분사될때는기판(12)의전면에균일하게분사되도록함으로서, 형성되는산화막의두께균일도를향상시키는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020010076876A
公开(公告)日：2001-08-17
申请号：KR1020000004293
申请日：2000-01-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A densification method of oxide thick film which is characterized by gas pressure sintering encapsulated oxide thick film is provided to improve electrical and mechanical properties, make the following process easy. Also, the method is applied to layered samples so that it enables mass production. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: de-waxing an oxide green thick film(23) formed on a substrate(22) by silk-screen for removing organic binder, resulting in porous formed body; encapsulating by coating it with a metallic or oxide nonconducting thin film(21), where the metallic encapsulation materials are Ag-Pd alloy, Pt, Cu, Al or Ni and the process is performed by direct current sputtering, thermal or electron beam deposition, ion plating, etc., and the oxide encapsulation materials are SiO2-based oxide nonconductors, and the process is performed by low pressure or plasma chemical deposition or high frequency magnetron sputtering; densifying by gas pressure sintering at 600-900deg.C under 20-3000atm. of Ar pressure; pattern-etching and forming an upper electrode on oxide thick film.
Abstract translation: 目的：提供氧化物厚膜的致密化方法，其特征在于气压烧结包封氧化物厚膜，以提高电气和机械性能，使以下过程容易。 此外，该方法应用于分层样品，使得其能够批量生产。 构成：该方法包括以下步骤：通过丝网去除有机粘合剂，形成在基板（22）上的氧化物绿色厚膜（23），形成多孔成形体; 通过用金属或氧化物非导电薄膜（21）涂覆其来封装，其中金属封装材料是Ag-Pd合金，Pt，Cu，Al或Ni，并且该工艺通过直流溅射，热或电子束沉积， 离子电镀等，氧化物封装材料为SiO 2系氧化物非导体，该工艺通过低压或等离子体化学沉积或高频磁控溅射进行; 通过气压在600-900℃下烧结20-3000atm。 的Ar压力; 图案蚀刻和在氧化物厚膜上形成上电极。
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公开(公告)号：KR100288501B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1019980029926
申请日：1998-07-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 스트론튬 비스무쓰 탄탈륨 니오븀 산화물(strontium bismuth tantalum niobium; 이하 SBTN 이라 한다)층 사이에 소정 두께의 단일 비스무쓰 층을 삽입하여, SBTN/Bi
2 O
3 /SBTN 헤테로 구조를 형성하고, 저온 후열처리에 의하여, 삽입된 비스무쓰 산화물 층을 상하부에 있는 SBTN 층으로 확산시키는 방법을 이용하여 SBTN 박막을 제조한다.
이러한 제조방법에서는 SBTN 층 사이에 첨가하는 Bi
2 O
3 층의 두께를 조절함으로써 박막의 비스무쓰 양을 제어할 수 있고, Perino 법에 비해 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있고, 제조 온도를 625℃까지 낮출 수 있을 뿐 아니라, 간단한 제조공정에도 불구하고, 낮은 인가전압에서 비교적 높은 잔류분극값을 나타내며, 퍼티그 테스트 결과 긴 수명을 가지는 등 우수한 강유전체 특성을 가지는 SBTN 박막을 제공한다.-
公开(公告)号：KR100219834B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960034331
申请日：1996-08-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78 , H01L27/108 , H01L21/31 , C23C14/35
Abstract: 백금/티탄/산화규소/구소(Pt/Ti/SiO
2 /Si)가 순차적으로 적충된 기판 위에 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물
(SrBi
2
Ta
2
O
9
) 을 박막원료로 하고 알 에프 마그네스트론 스퍼터링법(RF magnetron sputtering)을 이용하여 강유전 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물
(SrBi
2
Ta
2
O
9
) 박막을 제조함에 있어서 일정한 비율로 아르곤과 산소 존재하에 증착시켜 우선 배향성의 불휘발성 강유전 스트론튬 비스무스탄탈륨 산화물
(SrBi
2
Ta
2
O
9
) 박막의 제조방법에 관한 것임.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970077619A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960017011
申请日：1996-05-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명에 의한 Pb(Zr
1 -xTi
x )O
3 강유전 박막 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블리션법을 이용한 Pb(Zr
1 -xTi
x )O
3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타켓 성분의 Pb량(또는 PbO량)을, 증착된 박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 PbO 성분이 함유되도록 조절하거나, 혹은 그 증착압력을 5-100mTorr로 조절하여, 상기 Pb(Zr
1 -xTi
x )O
3 강유전 박막을 저온증착하도록 이루어져, 1) 씨앗층을 도입하지 않고서도 기존의 경우보다 낮은 온도에서 우수한 결정성을 갖는 Pb(Zr
1 -xTi
x )O
3 강유전 박막을 제조할 수 있고, 2) 고온증착시 발생되는 박막 조성 조절의 어려움이나 상기 박막을 사용하여 제조한 강유전 기억소자의 스위칭 특성 저하 등과 같은 현상을 제거할 수 있으며, 3) Pb(Zr
1 -xTi
x )O
3 강유전 박막의 피로 특성을 향 상시킬 수 있는 고신뢰성의 Pb(Zr
1 -xTi
x )O
3 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1019970008407A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950023106
申请日：1995-07-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 불휘발성(nonvolatile) 강유전체 박막 제조방법에 관한 것으로, 불화 크립톤 익사이머 레이저 아브레이션법을 이용하여 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물(strontium bismuth tantalum oxide:SrBi2Ta2O9)로 구성된 강유전체 박막 제조를 완료하므로써, 1) 기존 졸겔법이나 액체이동 증착법에 비해 반도체 공정과의 호환성을 높일 수 있을 뿐 아니라 제조공정의 단순화 및 생산 효율 증대 효과를 기할 수 있고, 2) 백금/스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물/백금 캐패시터 구조의경우, 장기물성(long term properties)인 파티그 및 임프린트 특성이 우수해 기억소자의 사용기간(life time)이 길어지게 되므로 상품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 강유전체 박막을 구현할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019960009052A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940021213
申请日：1994-08-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 모스 캐패시터용 유전 박막 조성물 및 그 유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 캐피시터용 유전박막은 실리콘 기판과의 계면에서 많은 결함이 존재하여 이로인한 정정용량-전압 특성에서 많은 히스테리시스를 보이고 있어 이것을 이용한 응용소자의 경우 실용화하는데 문제점이 있으며, 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 초소형화시에는 고전압(8MV/cm)하에서 발생되는 유전막의 누설전류(leakage current)로 인하여 발생되는 읽기/쓰기 횟수(read/write cycle)의 감소 및 데이타 리텐션열화(data reterion degradation)가 해결되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 계면이 전기적으로 강하다는 점에 착안하여, TiO
2 의 음이온인 산소를 질소로 일부치환하여 유전상수가 크고 정전용량-전압 특성에서 쉽게 발생하는 히스테리시스(Hysteresis)가 없고 유전 파괴전압이 우수한 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 조성물을 제공하는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019950000114B1
公开(公告)日：1995-01-09
申请号：KR1019910024242
申请日：1991-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/08
Abstract: The piezoelectric actuator of functionally gradient type by use of PLZT piezoelectric ceramics, is composed of aPbO + bLa2O3 + cZrO2 + dTiO2 (0.89
Abstract translation: 使用PLZT压电陶瓷的功能梯度型压电致动器由PbO + bLa2O3 + cZrO2 + dTiO2组成（0.89 <= a <= 0.94,0.06 <= b <= 0.11,0.55 <= c <= 0.70,0.30 <= D <= 0.45）。 用于打印头，压电蜂鸣器或扬声器的致动器通过层压压电陶瓷（1），（2）和不同的组成来制造，通过压制，在烧结期间通过热扩散在层间形成功能梯度层（3），并形成 设备表面上的电极（4），（4'）。
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公开(公告)号：KR1019930021572A
公开(公告)日：1993-11-22
申请号：KR1019920006306
申请日：1992-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/00
Abstract: 본 발명은 저온소성용 적층 세라믹 캐패시터용 재료로 사용되는 유전성 세라믹 조성에 관한 것이다.
본 발명의 유전성 세라믹 조성은 Pb(Mg⅓Nb⅔)O
3 -PbTiO
2 계를 기본으로 하여 이 기본조성의 일부를 Pb
1 -
x Ba
x ,(Cd⅓Nb⅔)0
3 로 치화하여 이루어진 것으로서 안정된 페브로스카이트(PerOvskite)구조를 띰에 따라 유전특성과 온도의 존성이 우수하고 1200℃이하의 소결온도를 나타내어 소결특성이 우수하다.
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