-
公开(公告)号：KR1020180000317A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020170078699
申请日：2017-06-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은커패시턴스-타입센서및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른커패시턴스-타입센서(10)는, 기판(100), 기판(100) 상에형성되고, 탄소물질을포함하는탄소전극막(200), 탄소전극막(200) 상에형성된절연막(300), 절연막(300) 상의적어도일부에형성된적어도하나의전극(400) 및전극(400)의적어도일부를커버하며절연막(300) 상에형성된감지막(500)을포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 电容型传感器及其制造方法技术领域本发明涉及电容型传感器及其制造方法。 根据本发明实施例的电容型传感器10包括基板100，形成在基板100上并包括碳材料的碳电极膜200， 形成在绝缘膜300的至少一部分上的至少一个电极400和形成在绝缘膜300上以覆盖电极400的至少一部分的传感膜500 它表征。
-
公开(公告)号：KR101568373B1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：KR1020140057853
申请日：2014-05-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/22 , H01L29/82 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/122 , B82Y10/00 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/1025 , H01L29/1606 , H01L29/205 , H01L29/66984 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 본발명에따른스핀트랜지스터는, 스핀홀 효과를가지는재료로구성되어, 소정방향의스핀을가지는전자를연결부로전달하도록구성되어있는입력부, 및입력부로부터소정방향의스핀을가지는전자를전달받아, 게이트전극에인가되는게이트전압에따라소정방향의스핀을가지는전자를회전시켜출력부로전달하도록구성되어있는연결부를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明，自旋晶体管由具有旋转厅效应的材料构成。 旋转晶体管包括：输入单元，用于将电子沿预定方向转动到连接单元; 以及连接单元，用于接收从输入单元沿预定方向旋转的电子，使根据施加到栅电极的栅极电压在预定方向上旋转的电子旋转，并将电子转移到输出单元。
-
-
公开(公告)号：KR101435549B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020130027349
申请日：2013-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0673 , H01L29/41725 , H01L29/4238 , H01L29/66984
Abstract: Provided is a complementary device which includes a gate electrode, a channel, a source electrode which is connected to the gate electrode and the channel, and a first drain electrode and a second drain electrode which are connected to the gate electrode and the channel. In the first drain electrode, a spin which is injected into the source electrode rotates and moves in a first direction from the source electrode to the first drain electrode through the channel by applying the voltage to the gate electrode. In the second drain electrode, the spin which is injected into the source electrode rotates and moves in a second direction from the source electrode to the second drain electrode through the channel by applying the voltage to the gate electrode. The direction of the spin reaching the first drain electrode is opposite to the direction of the spin reaching the second drain electrode.
Abstract translation: 提供了一种互补装置，其包括栅电极，沟道，连接到栅电极和沟道的源极，以及连接到栅电极和沟道的第一漏电极和第二漏电极。 在第一漏电极中，通过向栅电极施加电压，注入到源电极的自旋通过沟道从第一方向从源电极向第一漏电极移动。 在第二漏电极中，通过向栅电极施加电压，注入到源电极中的自旋通过沟道沿着第二方向从源电极向第二漏电极移动。 到达第一漏电极的自旋方向与到达第二漏电极的自旋方向相反。
-
公开(公告)号：KR101417956B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020120140275
申请日：2012-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 본 발명은 측면형 스핀 소자에 관한 것으로, 상기 측면형 스핀 소자는 기판상에 형성되는 전송채널; 상기 전송채널 상에 형성되는 소스; 및 상기 전송채널 상에 형성되는 드레인 자유층, 드레인 중간층, 및 드레인 고정층으로 이루어지며, 상기 소스로부터 주입되고 상기 전송채널에 의해 확산된 스핀전자에 의해 상기 드레인 고정층에 대한 상기 드레인 자유층의 자기 방향이 변경되는 드레인을 포함할 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101412533B1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：KR1020120087797
申请日：2012-08-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: F24J2/38 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명에 따르면, 태양광을 이용하여 전력을 생성하는 태양전지 패널부(200)와, 상기 태양전지 패널부(200)의 상부에 배치되며 입사되는 태양광을 집속시켜 상기 태양전지 패널부(200)의 상부면에 태양광의 초점을 형성하는 태양광 집속부(100)를 포함하는 태양전지 유닛; 및 상기 태양전지 유닛의 하부에 체결되어 상기 태양전지 유닛을 지지하되, 열팽창계수를 달리하는 팽창부재(310)와 고정부재(320)로 이루어져 상기 태양전지 패널부(200)로부터 전달되는 열에 의해 일방향으로 굴절되면서 상기 태양전지 패널부(200)의 상부면이 상기 태양광과 대향하도록 조절하는 태양광 추적부(300);를 포함하는 무동력 태양광 추적기능이 구비된 집광형 태양광 발전장치를 개시한다.
-
公开(公告)号：KR1020130063236A
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020110129651
申请日：2011-12-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/82
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , H01L21/823807 , H01L21/823828 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H03K19/18 , H01L43/08
Abstract: PURPOSE: A complementary logic device using spin injection is provided to control two transistors by using one gate electrode based on a concept that a spin-up and a spin-down state correspond to a parallel and an anti-parallel state. CONSTITUTION: An insulating layer(108) is formed on a substrate(101). A source electrode(105) is formed on the insulating layer made of a ferromagnetic material. A gate electrode(107) controls the magnetization direction of the source electrode. A channel layer(102) is formed in the first side and the second side of the source electrode respectively. A first drain electrode(103) is formed in the first side of the source electrode between the channel layers. A second drain electrode(104) is formed in the second side of the source electrode between the channel layers.
Abstract translation: 目的：提供使用自旋注入的互补逻辑器件，以通过使用一个栅电极来控制两个晶体管，基于一个概念，即自旋向上和下拉状态对应于并联和反并联状态。 构成：在基板（101）上形成绝缘层（108）。 在由铁磁材料制成的绝缘层上形成源电极（105）。 栅电极（107）控制源电极的磁化方向。 沟道层（102）分别形成在源电极的第一侧和第二侧。 第一漏电极（103）形成在沟道层之间的源电极的第一侧。 第二漏电极（104）形成在沟道层之间的源电极的第二侧。
-
公开(公告)号：KR101016437B1
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：KR1020090077622
申请日：2009-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L29/0665 , H01L29/1606 , H01L29/7783 , H01L43/02
Abstract: PURPOSE: A multifunction logic device is provided to implement a multifunction logic gate in a narrow area by using spin information which is transferred from a ferromagnetic part to a channel. CONSTITUTION: A multifunction logic device comprises a substrate part(100), two input terminal ferromagnetic material patterns(102,103), and an output terminal ferromagnetic material(104). The substrate part has a channel layer. Two input terminal ferromagnetic material patterns are formed on the substrate part. The two input terminal ferromagnetic material patterns are the input terminal of a logic gate. The output terminal ferromagnetic material is formed on the substrate part. The output terminal ferromagnetic material is arranged between the two input terminal ferromagnetic material patterns. The output terminal ferromagnetic material is the output terminal of the logic gate.
Abstract translation: 目的：提供一种多功能逻辑器件，通过使用从铁磁部件传输到通道的自旋信息，在狭窄的区域中实现多功能逻辑门。 构成：多功能逻辑器件包括衬底部分（100），两个输入端铁磁材料图案（102,103）和输出端铁磁材料（104）。 衬底部分具有沟道层。 在基板部分上形成两个输入端铁磁材料图案。 两个输入端铁磁材料图案是逻辑门的输入端。 输出端铁磁材料形成在基板部分上。 输出端铁磁材料布置在两个输入端铁磁材料图案之间。 输出端铁磁材料是逻辑门的输出端。
-
公开(公告)号：KR101009726B1
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020080087586
申请日：2008-09-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 강자성체로부터 반도체로의 스핀 주입 효율이 높은 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 내부에 채널층이 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층으로 스핀분극된 전자를 주입하는 강자성체 소스; 상기 소스로부터 이격되어 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 검출하기 위한 강자성체 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 및 상기 강자성체 소스/드레인과 상기 반도체 기판 사이에 형성된 방향의 결정성을 갖는 MgO 터널링막 또는 유기터널링막;을 포함한다.
스핀 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100982660B1
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020080075690
申请日：2008-08-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/065 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/18 , H01L27/226 , H01L29/66462 , H01L29/7781
Abstract: A magnetic memory device includes a substrate for reading and a magnetic memory cell. The substrate has a channel layer. The magnetic memory cell is formed on the substrate and has a magnetized magnetic material that transfers spin data to electrons passing the channel layer. Data stored in the magnetic memory cell are read by a voltage across both side ends of the channel layer that is generated when the electrons passing the channel layer deviate in the widthwise direction of the channel layer by a spin Hall effect.
Abstract translation: 一种磁存储器件包括用于读取的衬底和磁存储器单元。 衬底具有沟道层。 磁存储器单元形成在衬底上并且具有将自旋数据转移到通过沟道层的电子的磁化磁性材料。 存储在磁存储器单元中的数据通过电子通过沟道层的电子沿沟道层的宽度方向偏移的自旋霍尔效应时产生的沟道层两端的电压来读取。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
76
records
(took 0.03 seconds)
