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公开(公告)号：KR100256702B1
公开(公告)日：2000-05-15
申请号：KR1019970064093
申请日：1997-11-28
Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical amplifier system is to enhance an optical saturation characteristic and to integrate the semiconductor optical amplifier system on one chip. CONSTITUTION: An optical division unit(7) divides an optical signal which is inputted through an input waveguide(6) into N number of optical signals, where N is an integer. A semiconductor optical amplification unit(8) receives and amplifies the N number of the optical signals. An optical combination unit(9) receives the outputs of the optical amplification unit and outputs the received optical signal to an output waveguide(10). The optical amplification unit includes N number of semiconductor optical amplifiers. The optical division unit is implemented with one of 1 by N multi-mode interference optical divider and 1 by N Y-type optical divider. The optical combination unit is implemented with one N by 1 multi-mode interference optical combiner and N by 1 Y-type optical combiner.
Abstract translation: 目的：半导体光放大器系统是增强光学饱和特性，并将半导体光放大器系统集成在一个芯片上。 构成：光分割单元（7）将通过输入波导（6）输入的光信号分成N个光信号，其中N是整数。 半导体光放大单元（8）接收并放大N个光信号。 光学组合单元（9）接收光放大单元的输出，并将接收到的光信号输出到输出波导（10）。 光放大单元包括N个半导体光放大器。 光分单元采用1×N多模干涉光分路器和1×N型Y型分光器实现。 光学组合单元由一个N×1多模干涉光合并器和N×1个Y型光学组合器实现。
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公开(公告)号：KR100249812B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970069574
申请日：1997-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 분포궤환 레이저 (DFB laser)와 전계 흡수형 (electro-absorption) 광변조기의 집적화소자를 제작함에 있어서 응력이 가해진 다중양자우물구조의 버트커플링 (Butt-coupling) 결정성장시 발생하는 결정결함을 제거하기 위하여, 결정결함이 발생된 부분을 반응성 이온 식각 혹은 습식식각으로 제거하고 반절연 InGaAsP 도파로층 및 InP 클래드(clad)층의 성장을 통하여 결정결함을 제거함으로써 소자의 신뢰성과 광결합 특성을 높이는 제조 방법 및 그 방법으로 제작된 광변조기 집적소자에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100248375B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970063249
申请日：1997-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 반도체 레이저와 광 변조기를 집적한 구조에 있어서, 반도체 레이저에서 발생한 광이 광 변조기를 통과한 후 광 변조기의 출력 단면에서 반사하여 광변조기를 거친 다음 반도체 레이저로 재 입사함으로 인하여 반도체 레이저에서 출력되는 광의 특성을 교란하는 현상을 방지하는 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조가 개시된다. 본 발명은 반도체 레이저와 광 변조기 사이에, 2x2 광커플러를 설치하고, 반도체 레이저의 출력부를 2x2 광커플러의 입력부 중 한 개와 연결하고, 광변조기를 2x2 광커플러의 출력부 두곳에 설치하여 각각이 2x2 광커플러와 연결되게 함으로써, 광변조기 단면에서 발생한 광이 반도체 레이저에 재입사되는 현상을 방지하여 반도체 레이저의 특성 교란 현상을 방지한다. 이와 같이, 광 변조기에서 발생하는 광의 반사에 의한 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조의 특성 악화를 방지 할 수 있어, 광변조기 단면에 설치하여야 하는 매우 정밀한 공정을 필요로 하는 무반사막 형성 공정을 생략 혹은 그 조건을 크게 완화시킬 수 있다. 그 결과, 제작 원가 절감, 대량 생산성 향상 및 특성 개선등의 효과를 거둘 수 있다.
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公开(公告)号：KR100243411B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970053151
申请日：1997-10-16
IPC: H01S5/026
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저와 광검출기가 단일칩 집적된 양방향 소자 구조에 관한 것으로서, 한 가닥의 광섬유를 사용하여 송신 및 수신 광신호를 동시에 전송하는 양방향 광통신에 있어서 별도의 광도파로 형태의 광분기 소자 없이 광송신용 반도체 레이저와 광수신용 광검출기 소자를 동일한 반도체 기판위에 수직 집적시켜 반도체 레이저의 활성영역과 광검출기 소자의 광흡수 영역이 매우 근접하도록 위치시키므로써 동일한 광섬유와의 광결합이 상기 두 가지 소자에 대해 모두 용이하게 이루어지도록 구성함으로써, 광부품 수 절감 및 광패키징 공정 간략화에 따라 양방향 광통신용 광모듈의 소형화, 제작 원가 절감 및 특성 개선의 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1019990079071A
公开(公告)日：1999-11-05
申请号：KR1019980011463
申请日：1998-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 단일 전원으로 동작하는 양방향 광소자의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 n-InP 반도체 기판(4)과, 상기 기판(4) 위에 형성되며, 활성층(6)과, 그 활성층(6)의 양옆에 형성된 전류 차단층(8, 9, 10)과, 상기 활성층(6) 및 전류 차단층(8, 9, 10) 상부에 형성된 p-클래드층(11) 및 p-저항성 접촉층(12)으로 구성된 평면 매립형 이종 접합 반도체 레이저 구조(1)와, 상기 평면 매립형 이종 접합 반도체 레이저 구조(1) 상부의 소정 영역에 수직으로 집적되며, n-InP층(16)과, 광흡수층(14)과, p-저항성 접촉층(17)으로 구성된 광 검출기(3)로 구성되어, 상기 광소자에 전원을 인가하면, 상기 반도체 레이저 구조(1)와 상기 광검출기(3) 사이에, 상기 평면 매립형 이종 접합 반도체 레이저 구조(1)의 p-클래드층(11) 및 p-저항성 접촉층(12)과 p층을 공유하고, 상기 � �� 검출기(3)의 n-InP층(16)과 n층을 공유하여 상기 평면 매립형 이종 접합 반도체 레이저 구조에 순방향 바이어스(26)가 걸리고, 상기 광 검출기에 역방향 바이어스가 걸리도록 하는 pn 다이오드가 형성됨으로써, 단일 전원 전압 만으로 양방향 광 송수신 모듈 구성에 필요한 모든 회로 요소들을 구동시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100216522B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019960054415
申请日：1996-11-15
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 광소자와 광섬유 사이의 광결합 효율을 증대시킬 수 있는 광결합 장치와 그의 제조방법 및 광소자와 광섬유의 광결합방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광결합장치는, 실리콘 기판(11) 상의 일측에 V-홈(12)이 형성되고, 상기한 V-홈(12)에는 상기한 V-홈(12)보다 폭이 좁고 상기한 V-홈(12)으로부터 소정간격 상향으로 위치하며 광섬유(16)의 정렬시 광섬유(16)가 상하좌우로 움직일 수 있는 중심축으로의 기능을 수행하는 V-홈(19)이 형성된 피벗 지지부(18)가 돌출 설치되고, 상기한 실리콘 기판(11) 상의 타측에는 상기한 실리콘 기판(11)의 V-홈(12)에 고정된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 실리콘 기판 위에 형성된 V-홈과 광소자 플립칩 본딩을 이용한 수동 정렬방식과 광결합장치에 있어서 가장 큰 단점인, 정렬오차에 따른 광결합 효율의 감소문제를 피벗 지지부를 구비한 새로운 구조의 V-홈 실리콘 기판과 V-홈 내에서의 능동 정렬방식을 사용하여 해결함으로써, 최적의 광결합 효율을 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019990053970A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970073701
申请日：1997-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B28/00
Abstract: 본 발명은 선택적 결정 성장법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로 특히, 선택적 결정 성장법으로 형성되는 반도체 층의 표면 형상 저하를 방지하는 방법에 관한 것이다.
우수한 특성의 반도체 소자를 제조하기 위해서는 양질의 반도체 층이 성장되어야 한다. 그러나 종래의 선택적 결정 성장법에서는 유전체 박막과 인접한 지역에서 위로 솟아 오른 형태의 돌출부가 형성되게 되고, 이러한 돌출부로인하여 표면 형상의 거칠음이 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되어, 반도체 소자가 제조될 지역의 반도체 층 특성을 저하시키게 된다.
본 발명에서는 유전체와 인접한 부분에서 발생되는 반도체 층의 돌출부로부터 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되는 반도체 층 표면의 거칠음을 차단함으로써 반도체 소자가 제조될 지역의 표면 형상을 깨끗하게 유지하여 양질의 반도체 층을 얻을 수 있는 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR100204568B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960063171
申请日：1996-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B5/30
Abstract: 본 발명은 새로운 기능의 DFB(Distribute Feedback) 레이저(laser)와 전계 흡수형(electro-absorption) 광변조기 집적소자에 관한 것으로, 집적된 파장 다중화 광통신용 광소자에 부분가열이 가능한 열원(local heater)을 추가하여 분포궤환 레이저의 파장을 가변할 수 있으며, 온도조절을 이용하여 광흡수층의 밴드갭을 조절함으로써 소광비를 크게하고 광손실을 줄이며 선폭확대계수를 최소로 조절할 수 있는 광변조기 집적소자에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100204567B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960063172
申请日：1996-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B5/30
Abstract: 본 발명은 새로운 기능의 전계 흡수형(electro-absorption) 광변조기 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 입출력 면에 고반사 박막을 형성하여 짧은 흡수층의 길이로 충분한 소광비를 얻을 수 있게 함으로써 소자의 정전용량(capacitance)을 최소화 하고 따라서 초고속 변조가 가능한 전계 흡수형 광변조기 및 그 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR1019990032176A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970053151
申请日：1997-10-16
IPC: H01S5/026
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저와 광검출기가 단일칩 집적된 양방향 소자 구조에 관한 것으로서, 한 가닥의 광섬유를 사용하여 송신 및 수신 광신호를 동시에 전송하는 양방향 광통신에 있어서 별도의 광도파로 형태의 광분기 소자 없이 광송신용 반도체 레이저와 광수신용 광검출기 소자를 동일한 반도체 기판위에 수직 집적시켜 반도체 레이저의 활성영역과 광검출기 소자의 광흡수 영역이 매우 근접하도록 위치시키므로써 동일한 광섬유와의 광결합이 상기 두 가지 소자에 대해 모두 용이하게 이루어지도록 구성함으로써, 광부품 수 절감 및 광패키징 공정 간략화에 따라 양방향 광통신용 광모듈의 소형화, 제작 원가 절감 및 특성 개선의 효과를 갖는다.
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