公开(公告)号：KR1020120138254A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：KR1020100104744

申请日：2010-10-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  패컬티 오브 사이언스 앤드 테크놀로지 유니버시티 오브 뉴 리스본

Inventor： 박상희 ,  황치선 ,  변춘원 ,  엘비라엠씨포르투나토 ,  로드리고에프피마틴즈 ,  아나알엑스바로스 ,  누노에프오코레이아 ,  페드로엠씨바르퀸하 ,  비토엠엘피게이레두

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to easily develop transparent or opaque devices using a P type oxide film. CONSTITUTION: A gate electrode(22), a gate insulation layer(23), and a matching layer(24) are successively formed on a substrate(21). A channel layer(25,30) is formed on the matching layer. An insulation layer(26) is formed on the sidewalls of the gate electrode, the gate insulation layer, the matching layer, and the channel layer. Source and drain electrodes(27) are formed on both ends of the channel layer. A contact plug(28) is formed on the upper side of the source and drain electrodes.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以便容易地利用P型氧化物膜开发透明或不透明的器件。 构成：在基板（21）上依次形成栅电极（22），栅极绝缘层（23）和匹配层（24）。 在匹配层上形成通道层（25,30）。 绝缘层（26）形成在栅电极，栅极绝缘层，匹配层和沟道层的侧壁上。 源极和漏极（27）形成在沟道层的两端。 在源极和漏极的上侧形成接触插塞（28）。

公开(公告)号：KR1020110003698A

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：KR1020090061100

申请日：2009-07-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  황치선 ,  변춘원 ,  윤성민 ,  박상희 ,  정우석 ,  유민기 ,  정승묵 ,  조경익

IPC: G02F1/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L31/022475 ,  H01L21/02118 ,  H01L51/0053 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13069 ,  Y02B20/36

Abstract: PURPOSE: A transparency information transfer window is provided to maintain the transparency status and to display information, thereby displaying varying information without special restraint not being distracted by viewing. CONSTITUTION: A transparency display(110) displays information in transparency status. A driving unit(130) sanctions a driving signal to the transparency display. A wireless communication unit(150) transceives information wirelessly with an external terminal. A memory unit(170) stores display information.

Abstract translation: 目的：提供透明度信息传输窗口，以保持透明度状态并显示信息，从而显示不同信息，而不受特殊限制，不会因观看而分心。 构成：透明度显示（110）以透明度状态显示信息。 驾驶单元（130）将驾驶信号制裁到透明度显示器。 无线通信单元（150）与外部终端无线地收发信息。 存储单元（170）存储显示信息。

公开(公告)号：KR100993776B1

公开(公告)日：2010-11-12

申请号：KR1020070132751

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  변춘원 ,  박상희 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H04B1/38

Abstract: 본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 투명 디스플레이를 이용함으로써 상부 패널 하우징을 펼치지 않고서도 영상 출력이 가능한 폴더 타입의 디스플레이 장치를 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 디스플레이를 이용한 폴더형 디스플레이 장치는, 빛을 투과시키는 투명 모드 또는 영상 데이터를 출력하는 디스플레이 모드로의 전환이 가능하며 접힘과 펼침이 가능하게 연결된 두 개 이상의 투명 디스플레이를 포함하는 투명 디스플레이부; 장치의 활성화 상태 중에 수신되는 신호를 기반으로 상기 투명 디스플레이를 투명 모드 또는 디스플레이 모드로 전환하며, 상기 디스플레이 모드 중에 상기 두 개 이상의 투명 디스플레이가 펼침 상태인 경우 설정에 따라 또는 사용자의 입력 신호에 따라 각각의 상기 투명 디스플레이에 서로 다른 영상 데이터를 출력하는 제어부; 및 접힘과 펼침이 가능하도록 상기 투명 디스플레이부와 연결되는 하부 패널 하우징을 포함한다.
투명 디스플레이, 폴더형, 입체 영상

公开(公告)号：KR100993775B1

公开(公告)日：2010-11-12

申请号：KR1020080081810

申请日：2008-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  유민기 ,  황치선 ,  조두희

IPC: H01L21/3063

Abstract: 본 발명은 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막의 식각용 조성물 및 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 식각용 조성물은 과산화수소, 질산, 염산, 황산 및 인산으로 이루어진 군에서 선택된 식각용 산; 산화물층 및 금속층과 동시에 착화합물을 형성할 수 있는 산; 및 물을 포함하며, 식각 방법은 상기 식각용 조성물을 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막에 분사하여 식각하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 식각 방법은 단면 특성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다
식각, 다층, 전도성, 박막

公开(公告)号：KR100957781B1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：KR1020080066177

申请日：2008-07-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정익 ,  추혜용 ,  정승묵 ,  도이미 ,  박상희 ,  황치선

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/18

CPC classification number: H05B33/10

Abstract: 본 발명은 하이브리드 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 유기 전계 발광 소자 내부의 형광 발광층과 전자 수송층의 HOMO 준위차를 다른 층들간의 HOMO 준위차 보다 크게 하거나, 또는 형광 발광층과 정공 수송층의 LUMO 준위차를 다른 층들간의 LUMO 준위차 보다 크게 함으로써, 재결합 영역을 발광층의 일부로 제한하여 높은 효율로 형광 발광을 얻을 수 있으며, 형광 발광층에서 사용되지 않는 삼중항 엑시톤을 재결합 영역과 소정 거리 떨어진 곳에 형성된 보조 발광층으로 전이시켜 형광 발광층과 다른 색상으로 발광되도록 함으로써, 유기 전계 발광 소자에서 형성되는 일중항 엑시톤과 삼중항 엑시톤을 모두 사용하여 매우 높은 효율로 백색 발광을 얻을 수 있는 것을 특징으로 한다.
유기 전계 발광 소자, 백색, 하이브리드, 삼중항, 일중항

公开(公告)号：KR1020090065263A

公开(公告)日：2009-06-22

申请号：KR1020070132744

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  양신혁 ,  변춘원 ,  박상희 ,  황치선

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/7869

Abstract: A transparent electronic device and a manufacturing method thereof are provided to improve total mobility and stability by forming thinly a second channel layer with a material having low resistivity and high mobility on a top part, a bottom part or an inner part. A first channel layer(130) is formed on an upper surface of a substrate(110). The first channel layer includes a source area, a drain region, and a channel region. A second channel layer(140) is formed in one of a top part, a bottom part or an inner part of the channel region. The channel layer is made of a material having low resistivity and high mobility. A transparent electrode(160) is formed on an upper part of the source region and an upper part of the drain region. A gate insulating layer is formed in a top part of the transparent electrode. The gate electrode is formed at a top part of the gate insulating layer.

Abstract translation: 提供一种透明电子器件及其制造方法，以通过在顶部，底部或内部部分上形成具有低电阻率和高迁移率的材料的薄的第二沟道层来提高总迁移率和稳定性。 第一沟道层（130）形成在衬底（110）的上表面上。 第一沟道层包括源极区，漏极区和沟道区。 第二沟道层（140）形成在沟道区的顶部，底部或内部的一个中。 沟道层由具有低电阻率和高迁移率的材料制成。 透明电极（160）形成在源极区域的上部和漏极区域的上部。 在透明电极的顶部形成有栅极绝缘层。 栅电极形成在栅极绝缘层的顶部。

公开(公告)号：KR100892345B1

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：KR1020070034778

申请日：2007-04-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  박상희 ,  추혜용 ,  이정익

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 투명 전자소자용 배선구조물에 관한 것으로, 본 발명에 의한 투명 전자소자용 배선구조물은 기판 상에 형성되는 투명성을 갖는 하부 전도층; 상기 하부 전도층 상에 형성되는 투명성을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 형성되는 투명성을 갖는 배선층; 및 상기 하부 전도층과 상기 배선층을 전기적으로 연결하는 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 투명 하부 전도층과 배선층의 이중 전도층을 이용한 투명 배선구조를 통해 투명도의 손실이 거의 없으면서 투명 배선의 저항값을 크게 낮출 수 있으므로, 투명 배선의 성능을 크게 높일 수 있는 투명 전자소자 또는 투명 전자 회로를 제작할 수 있다.
투명 배선, 투명 전자소자, 이중 전도체, 금속 스페이서

公开(公告)号：KR100877153B1

公开(公告)日：2009-01-09

申请号：KR1020070051792

申请日：2007-05-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  황치선 ,  추혜용 ,  이정익

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66969

Abstract: 본 발명은 전구체들 간의 표면화학반응을 이용하여 반도체막의 결정 크기 및 캐리어 양을 조절할 수 있는 전자소자용 ZnO 반도체막 형성방법 및 상기 반도체막을 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
본 발명 중 전자소자용 ZnO 반도체막 형성방법은 a) 챔버 내에 기판을 배치하는 단계; b) 상기 챔버 내에 아연 전구체를 주입하여 상기 기판 상에 상기 아연 전구체를 흡착시키는 단계; c) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계; d) 상기 기판 상에 형성된 상기 아연 전구체와 반응하도록 상기 챔버 내에 산소 전구체를 주입하여 ZnO 반도체막을 형성하는 단계; e) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체를 제거하는 단계; f) 상기 a) 내지 e) 단계를 반복 수행하는 단계; g) 산소 플라즈마 또는 오존을 이용하여 상기 ZnO 반도체막의 표면처리를 반복적으로 수행하는 단계; h) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체 및 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계 및 i) 상기 a)단계 내지 상기 h) 단계를 반복하여 상기 ZnO 반도체막의 두께를 조절하는 단계를 포함한다.
이에 따라, 투명한 기판을 사용하여 투명 박막 트랜지스터를 형성함으로써, 투명 디스플레이를 구현할 수 있고, 플레서블 기판을 사용하여 플렉서블 디스플레이를 구현할 수 있다. 또한, 반도체막의 결정은 증가시켜 이동도는 향상시키고 캐리어양을 조절하여 누설전류를 감소시킴으로써 특성이 우수한 반도체막을 형성할 수 있다.
산화물 트랜지스터, 플렉시블 트랜지스터, ZnO 반도체막, 원자층 증착법

公开(公告)号：KR100857461B1

公开(公告)日：2008-09-08

申请号：KR1020070057097

申请日：2007-06-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  황치선 ,  추혜용 ,  이정익

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 박막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들간의 표면화학반응을 이용하여 질소가 도핑된 투명한 p 타입 ZnO 반도체막을 제조하는 방법과 상기 제조 방법으로 제조된 p 타입 ZnO 반도체막을 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
본 p 타입 ZnO 반도체막 제조방법은 기판을 준비하여 챔버 내에 배치하는 단계; 상기 챔버 내에 아연 전구체와 산소 전구체를 주입하여, 원자층 증착법을 이용한 상기 아연 전구체와 상기 산소 전구체간의 표면 화학 반응을 통해 상기 기판 상에 ZnO 박막을 형성하는 단계; 상기 챔버 내에 아연 전구체와 질소 전구체를 주입하여, 상기 아연 전구체와 상기 질소 전구체간의 표면 화학 반응을 이용하여 상기 ZnO 박막 상에 도핑층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기와 같은 반도체막 제조 방법을 통해서 형성된 반도체막을 이용하여, 유리, Si, 서스 등의 메탈 포일, 혹은 플라스틱 기판 상에 특성이 우수한 p 타입의 박막 트랜지스터를 형성할 수 있고, 또한 PN junction 을 이용한 LED 등의 광전소자를 구현할 수 있다.
p타입 ZnO 반도체막, 원자층 증착법, 트랜지스터, 광전소자

公开(公告)号：KR1020080052153A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070034778

申请日：2007-04-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황치선 ,  박상희 ,  추혜용 ,  이정익

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/28506

Abstract: Wiring structures for transparent electronic devices are provided to minimize the loss of transparency and to lower the resistance value of a transparent wire by using a metal spacer and a wire with a double conductive layer. A lower conductive layer(32) having transparency is formed on a substrate(31). A dielectric layer(33) having transparency is formed on the lower conductive layer. A wire layer(35) having transparency is formed on the dielectric layer. A connecting unit(34) electrically connects the lower conductive layer to the wire layer. The lower conductive layer is formed on the whole region or one region of the substrate. The connecting unit is connected to the whole region or one region of the wire layer. The lower conductive layer and the wire layer are respectively made of one of ITO, IZO, and ITZO. The connecting unit is made of the same material as one of the lower conductive layer and the wire layer.

Abstract translation: 提供了用于透明电子器件的接线结构，以通过使用金属间隔物和具有双重导电层的线来最小化透明度的损失和降低透明导线的电阻值。 在基板（31）上形成具有透明性的下导电层（32）。 在下导电层上形成具有透明性的介电层（33）。 在电介质层上形成具有透明性的导线层（35）。 连接单元（34）将下导电层电连接到导线层。 下导电层形成在基板的整个区域或一个区域上。 连接单元连接到整个区域或导线层的一个区域。 下导电层和导线层分别由ITO，IZO和ITZO之一制成。 连接单元由与下导电层和导线层之一相同的材料制成。