公开(公告)号：KR1020110023442A

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：KR1020090081339

申请日：2009-08-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  김상훈 ,  주지호 ,  김경옥

IPC: G02B6/12 ,  H01L31/00

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/131 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/121 ,  H01L31/0352

Abstract: PURPOSE: A waveguide photo detector is provided to maximize the electrical features of a doped layer for connecting between a waveguide layer in a lower part of an absorbing layer and a waveguide layer of a lower part of a second electrode. CONSTITUTION: A waveguide photo detector comprises the following units. A waveguide layer is expanded in a first direction. An absorbing layer(30) is formed on the waveguide layer. The first electrode of the absorbing layer is formed on the waveguide layer. A second electrode is separated from the first electrode and the absorbing layer in a second direction crossing the first direction. At least one bridge electrically connects the absorbing layer with the second electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种波导光电检测器，以最大化掺杂层的电气特征，用于连接吸收层下部的波导层和第二电极下部的波导层。 构成：波导光电检测器包括以下单元。 波导层在第一方向上扩展。 在波导层上形成吸收层（30）。 吸收层的第一电极形成在波导层上。 第二电极与第一电极和吸收层沿与第一方向交叉的第二方向分离。 至少一个桥将吸收层与第二电极电连接。

公开(公告)号：KR101000941B1

公开(公告)日：2010-12-13

申请号：KR1020080105199

申请日：2008-10-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  김상훈 ,  김경옥 ,  주지호

IPC: H01L31/028 ,  H01L27/04 ,  H01L31/18 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 버퍼층 없이 게르마늄 에피층을 형성할 수 있는 게르마늄 광 검출기 및 그 제조방법이 제공된다. 기판 상에 저온에서 비정질 게르마늄층을 형성하고, 상기 비정질 게르마늄층을 고온으로 승온하여 결정화하고, 상기 결정화된 게르마늄층 상에 게르마늄 에피층을 형성한다.
게르마늄 광 검출기, 비정질, 버퍼층, 저진공

公开(公告)号：KR1020070054551A

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：KR1020060042011

申请日：2006-05-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류호준 ,  서동우 ,  백문철 ,  강광용

IPC: G11B5/39

Abstract: 자구의 크기를 안정적으로 줄일 수 있는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리 및 그 제조방법을 제시한다. 그 메모리 및 제조방법은 두께방향을 따라 수직으로 자화되는 자구를 갖는 적어도 2층의 자성층 중의 적어도 하나의 자성층의 일면에 배치되며, 적어도 하나의 자성층을 이루는 원소 중에 적어도 하나의 원소를 포함하여 자성층과 교환 커플링을 형성하는 하지층을 포함한다.
수직자화, 메모리, 자구, 커플링

公开(公告)号：KR100687743B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020050048398

申请日：2005-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류호준 ,  유용구 ,  정우석 ,  서동우 ,  백문철 ,  강광용

IPC: G11B7/26

Abstract: 지그를 이용한 초소형 광디스크의 보호층 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 바디와, 바디 내에 일정 깊이로 형성된 원통 형태의 월(wall)과, 상기 원통 형태의 월의 중심부에 위치한 핀을 포함하는 지그에 초소형 광디스크 원판을 장착한다. 이어서, 상기 지그에 장착된 광디스크 원판 상에 광경화성 물질층을 도포한다. 상기 광경화성 물질층을 평탄화 장치를 이용하여 평탄화한 후, 상기 평탄화된 광경화성 물질층을 경화시켜 광디스크 원판 상에 보호층을 형성한다. 상기 보호층이 형성된 광디스크 원판을 상기 지그에서 이탈시켜 초소형 광디스크의 보호층 형성을 완성한다. 이렇게 지그를 이용하여 보호층을 형성할 경우, 제조 공정이 간단하고 균일하게 보호층을 형성함으로써 광디스크의 제조비용을 크게 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060064479A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050053053

申请日：2005-06-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  박용우 ,  백문철 ,  류호준 ,  정희숙 ,  강광용

IPC: G11B7/124

Abstract: 본 발명의 광 헤드는 빔을 내보내는 송광 소자와, 기판 상에 형성되어 있고, 상기 송광 소자에서 발진된 빔이 전파되는 평면 도파로를 포함한다. 본 발명은 상기 평면 도파로의 일부 표면 상에 박막 형태로 집적되어 있고, 상기 평면 도파로를 통하여 전달된 빔을 받아 상기 평면 도파로 상부에 위치하는 디스크를 향하여 수직으로 보내거나, 상기 디스크에서 반사되는 빔을 다시 평면 도파로를 통하여 보내는 빔 입출사 커플러와, 상기 빔 입출사 커플러를 통하여 상기 평면 도파로로 전파하는 빔을 받는 수광소자를 포함한다. 본 발명의 상기 빔 입출사 커플러는 평면 도파로 상에 박막 형태로 집적되어 상기 광헤드의 두께를 대폭적으로 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR100586175B1

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020040015072

申请日：2004-03-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류호준 ,  서동우 ,  박용우 ,  표현봉 ,  백문철

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 나노임프린트용 스탬퍼 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 나노임프린트용 스탬퍼로 사용될 기판과 그 상부에 도포되는 레지스트와의 사이에 접착력을 증대시키 위한 접착력 증대층을 형성하고, 전자선 묘화법의 직접쓰기법에 의해 나노크기의 레지스트 패턴을 형성함으로써, 나노크기를 갖는 소자들의 제작에 사용될 수 있으며 저가의 공정을 통해 대량생산이 가능하도록 한 나노임프린트용 스탬퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 나노임프린트용 스탬퍼는, 스탬퍼용 기판; 상기 기판의 전체 상부면에 형성된 접착력 증대층; 전자선 묘화법의 직접쓰기법에 의해 형성된 나노크기의 레지스트 패턴을 포함하여 이루어진다.
나노임프린트(Nanoimprint), 스탬퍼(Stamper), 전자선 묘화법(e-beam lithography), 직접쓰기법(Direct Writing)

公开(公告)号：KR1020050007989A

公开(公告)日：2005-01-21

申请号：KR1020030047637

申请日：2003-07-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박용우 ,  손영준 ,  백문철 ,  서동우 ,  류호준 ,  표현봉

IPC: G02B6/12

Abstract: PURPOSE: A focusing waveguide grating coupler and an optical pickup head using the same are provided to relatively simplify the design of grating by independently manufacturing the grating for outputting the output beam from the waveguide mode. CONSTITUTION: A focusing waveguide grating coupler includes a waveguide, a grating coupler(113) and a Fresnel grating lens(128). The waveguide is provided with a substrate(111) and a core layer(112). The grating coupler couples the light beam inputted through the waveguide to the substrate. And, the Fresnel grating lens diffracts the light beam coupled from the grating coupler to one focusing point.

Abstract translation: 目的：提供聚焦波导光栅耦合器和使用其的光学拾取头，以通过独立地制造用于从波导模式输出输出光束的光栅来相对简化光栅的设计。 构成：聚焦波导光栅耦合器包括波导，光栅耦合器（113）和菲涅尔光栅透镜（128）。 波导设置有基板（111）和芯层（112）。 光栅耦合器将通过波导输入的光束耦合到衬底。 并且，菲涅耳光栅透镜将从光栅耦合器耦合的光束衍射到一个聚焦点。

公开(公告)号：KR1020040053564A

公开(公告)日：2004-06-24

申请号：KR1020020080550

申请日：2002-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  류호준 ,  손영준 ,  박용우 ,  백문철

IPC: G11B11/10

CPC classification number: G11B11/10582 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10591

Abstract: PURPOSE: A record layer of a magneto optical record media and its producing method are provided to increase a coercive force of a record layer by inducing an exchange coupling effect between the record layer and an adjacent sub layer so that it enhances a stability of a magnetic domain and a record density. CONSTITUTION: The media comprises a base plate(300), the first dielectric layer(310), a regeneration layer(320), the second dielectric layer(330), a sub layer(340), a record layer(350) and the third dielectric layer(360). The sub layer(340) is made of transition metal alloy. The sub layer(340) increases a coercive force of a magnetic domain of a record layer(320), storing data, by inducing an exchange coupling effect between the two layers(340, 320).

Abstract translation: 目的：提供磁光记录介质的记录层及其制造方法，以通过在记录层和相邻子层之间引起交换耦合效应来提高记录层的矫顽力，从而提高磁性记录介质的磁性 领域和记录密度。 构成：介质包括基板（300），第一介电层（310），再生层（320），第二介电层（330），子层（340），记录层（350）和 第三电介质层（360）。 子层（340）由过渡金属合金制成。 通过在两层（340,320）之间引起交换耦合效应，子层（340）增加记录层（320）的磁畴的矫顽力，从而存储数据。

公开(公告)号：KR100425578B1

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1020010057175

申请日：2001-09-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민봉기 ,  서동우 ,  강진영

IPC: H01L29/73

CPC classification number: H01L29/66174 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/93

Abstract: A varactor includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, a high-concentration buried collector region of a second conductivity type formed in an upper portion of the semiconductor substrate, a collector region of the second conductivity type formed on a first surface of the high-concentration buried collector region, a high-concentration collector contact region of the second conductivity type formed on a second surface of the high-concentration buried collector region, a high-concentration silicon-germanium base region of the first conductivity type formed on the collector region, a metal silicide layer formed on the silicon-germanium base region, a first electrode layer formed to contact the metal silicide layer, and a second electrode layer formed to be electrically connected to the collector contact region.

Abstract translation: 变容二极管包括：第一导电类型的半导体衬底;形成在半导体衬底的上部中的第二导电类型的高浓度掩埋集电极区域;第二导电类型的集电极区域，形成在第一导电类型的高 浓集掩埋集电极区，在所述高浓度埋入集电极区的第二表面上形成的第二导电类型的高浓度集电极接触区，在所述集电极上形成的第一导电类型的高浓度硅锗基区 在硅 - 锗基区上形成的金属硅化物层，形成为与金属硅化物层接触的第一电极层以及形成为与集电极接触区电连接的第二电极层。

公开(公告)号：KR1020030024155A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：KR1020010057175

申请日：2001-09-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민봉기 ,  서동우 ,  강진영

IPC: H01L29/73

CPC classification number: H01L29/66174 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/93

Abstract: PURPOSE: A varactor and a method for fabricating the same are provided to keep the q-factor characteristic in a good condition by using SiGe hetero junction bipolar transistor whose phase noise characteristic is better than others. CONSTITUTION: A n+ type buried collector region(301) is formed in a p type semiconductor substrate(300). A n type collector and n+ type collector contact region(302,303) are placed apart from each other by a device isolation layer(304). A p+ type external base region(315) is formed on the n type collector contact region. A p+ type SiGe base region(305) is formed on the p+ type external base region. A metal silicide layer(312) is formed on the p+ type SiGe base region(305). The first meal layer(309) formed on the exposed portion of the metal silicide layer is used as an anode electrode. A n+ type poly silicon layer(307) and metal silicide layer(312) are formed on the n+ type collector contact region in a sequence. The second metal layer formed on the exposed part of the metal silicide layer is used as a cathode electrode.

Abstract translation: 目的：提供变容二极管及其制造方法，通过使用相位噪声特性优于其他SiGe异质结双极晶体管来保持q因子特性处于良好状态。 构成：在p型半导体衬底（300）中形成n +型掩埋集电极区（301）。 n型集电极和n +型集电极接触区域（302,303）通过器件隔离层（304）彼此分开放置。 p型外部基极区域（315）形成在n型集电极接触区域上。 在p +型外部基极区域上形成p +型SiGe基极区域（305）。 在p +型SiGe基区（305）上形成金属硅化物层（312）。 形成在金属硅化物层的暴露部分上的第一餐层（309）用作阳极电极。 在n +型集电极接触区域上依次形成n +型多晶硅层（307）和金属硅化物层（312）。 形成在金属硅化物层的暴露部分上的第二金属层用作阴极电极。