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公开(公告)号：KR100799591B1
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020060124117
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05B33/22
Abstract: An electro-luminescent device including a metal-insulator transition layer is provided to remarkably decrease a VTH value of a thin-film ELD(Electro-Luminescent Device) and remarkably increase a luminance and an increased speed of the luminance. An electro-luminescent device(100) includes a transparent substrate(102), a second electrode(104), a second insulating layer(106), a fluorescent layer(108), an MIT(Metal-Insulator Transition) layer(110), a first insulating layer(112), and a first electrode(114). The fluorescent layer is positioned on a substrate and includes a light emitting center ion which can emit light. The metal insulator transition layer is disposed at one side of the fluorescent layer and rapidly transits an insulator to a metal by a voltage change. The first insulating layer is attached to the MIT layer and distributes a voltage applied from the outside. The second insulating layer is disposed at the other side of the fluorescent layer. An external voltage is applied to the first electrode attached to the first insulating layer. The external voltage is applied to the second electrode attached to the second insulating layer.
Abstract translation: 提供了包括金属 - 绝缘体过渡层的电致发光器件，以显着降低薄膜ELD（电致发光器件）的VTH值，并显着提高亮度和提高亮度的速度。 电致发光器件（100）包括透明基板（102），第二电极（104），第二绝缘层（106），荧光层（108），MIT（金属 - 绝缘体转移） ，第一绝缘层（112）和第一电极（114）。 荧光层位于基板上，并且包括可发光的发光中心离子。 金属绝缘体过渡层设置在荧光层的一侧，并通过电压变化快速地将绝缘体转移到金属。 第一绝缘层附接到MIT层并且分配从外部施加的电压。 第二绝缘层设置在荧光层的另一侧。 向附着在第一绝缘层上的第一电极施加外部电压。 将外部电压施加到附接到第二绝缘层的第二电极。
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公开(公告)号：KR1020070061246A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060074493
申请日：2006-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0525
Abstract: A method for fabricating an organic thin film transistor is provided to minimize deterioration of an organic layer by minimizing substrate heating effect. A source gas is absorbed onto a surface of a substrate by implanting the source gas into an inside of a reactor(S10). A source gas purging process is performed to purge the source gas absorbed onto the substrate or the remaining source gas within the reactor(S20). An inorganic oxide layer is formed by supplying an oxygen gas and generating plasma(S30). The oxygen gas and the plasma are intercepted(S40). A purge gas supply process is performed to purge the reactive residues and the remaining gas by supplying the purge gas(S50).
Abstract translation: 提供一种用于制造有机薄膜晶体管的方法，以通过最小化衬底加热效应来最小化有机层的劣化。 通过将源气体注入到反应器的内部，源气体被吸收到基板的表面上（S10）。 进行源气体净化处理以清除吸收到基板上的源气体或反应器内的剩余源气体（S20）。 通过供给氧气并产生等离子体形成无机氧化物层（S30）。 截断氧气和等离子体（S40）。 进行净化气体供给处理以通过供给吹扫气体来清除反应性残留物和剩余气体（S50）。
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公开(公告)号：KR100704377B1
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020050119011
申请日：2005-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 굴절률이 다른 두개의 산화막으로 구성된 절연막을 갖는 평판표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 평판표시장치는 기판 상에 형성되는 복수의 절연막; 상기 복수의 절연막 중 하나를 사이에 두고 적층되는 반도체층, 게이트 전극, 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 소스/드레인 전극 상에 형성되는 평탄화막; 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 구비하며 상기 평탄화막 상에 형성되는 발광소자를 포함하며, 상기 복수의 절연막 중 적어도 하나는 굴절률이 다른 두 개이상의 산화막으로 이루어진다. 이에, 굴절률이 다른 산화막으로 구성된 절연막에 의해, 외부에서 유입되는 빛 반사를 방지하여 콘트라스트가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
산화막, 절연막, 굴절률Abstract translation: 本发明涉及一种平板显示装置和具有氧化膜的其他两个的折射率构成的绝缘膜及其制造方法。 平板显示器包括形成在基板上的多个绝缘膜; 包括半导体层，栅电极，和源/漏电极的薄膜晶体管被置于所述多个绝缘膜中的一个之间层叠; 形成在源极/漏极上的平坦化层; 的第一电极，发光层，并且包括第二电极，包括形成在平坦化层，两个以上的不同的氧化膜的折射率的形成有多个绝缘膜中的至少一个上的发光元件。 因此，可以通过由具有不同折射率的氧化物膜构成的绝缘膜来防止从外部引入的光的反射，并且可以防止对比度降低。
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公开(公告)号：KR1020060083104A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050048868
申请日：2005-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01M2/34
CPC classification number: H01M2/34 , H01M2/348 , H01M10/052 , H01M10/443 , H01M2200/00 , H01M2200/106
Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막-
公开(公告)号：KR100575092B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020030096042
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02252 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/28158 , H01L21/3141 , H01L21/31612
Abstract: 본 발명은 200℃ 이하의 공정온도에서 플라즈마를 이용하여 플라즈마 산화막을 미세하게 형성한 후 ALD산화막을 증착시켜 게이트 절연막으로 이용하는 게이트 절연막 형성방법을 개시한다. 본 발명은 특히 플라스틱과 같이 열에 취약한 기판을 사용하는 디스플레이의 구동소자에 적용할 수 있고 계면 특성이 우수하면서 고유전막의 적용이 가능하게 된다.
플라즈마 산화막, 게이트 절연막,-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100568500B1
公开(公告)日：2006-04-07
申请号：KR1020030097263
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B82Y30/00
Abstract: 본 발명은 폴리실리콘층 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 발명이다. 특히 Wurtzite-ZnO 버퍼층을 이용한 폴리실리콘층 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 발명이다.
본 발명은 기판 위에 Wurtzite-ZnO 막인 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 위에 실리콘층을 형성하는 단계, 및 상기 실리콘층을 폴리실리콘층으로 재결정화하는 단계를 포함하는 폴리실리콘층 형성 방법을 제공한다. 바람직하게, 폴리실리콘층 형성 방법은 버퍼층을 형성한 후에, 부도체인 배리어층을 형성하는 단계를 추가적으로 포함한다. 또한 이를 박막 트랜지스터 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 플라스틱, 금속 호일, 유리 등 다소 열에 약한 기판 상에 버퍼층을 형성하고 그 위에서 고온을 요하는 재결정화 공정을 성공적으로 수행할 수 있게 한다는 장점이 있다.
폴리실리콘층(polycrystalline silicon layer), 버퍼층(buffer layer), 배리어층(barrier layer), 우르차이트-산화아연(Wurtzite-ZnO)-
公开(公告)号：KR1020050064570A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096042
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02252 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/28158 , H01L21/3141 , H01L21/31612
Abstract: Provided is a method for forming a gate dielectric layer, in which a plasma oxide layer is finely formed by plasma at a temperature of 200° C. or below, and an atomic layer deposition (ALD) oxide layer is deposited. Further, the gate dielectric layer according to the present invention can be applied to a display device comprising a substrate such as a plastic substrate vulnerable to heat, have good interfacial characteristic, and allow a high dielectric layer to be applied thereto.
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公开(公告)号：KR1020030018134A
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：KR1020010051703
申请日：2001-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/3144 , H01L21/31604 , H01L21/3165
Abstract: PURPOSE: A method for forming an insulating layer of a semiconductor device for controlling the composition and doping concentration is provided to improve a boundary characteristic by using an atomic deposition method or a chemical vapor deposition method. CONSTITUTION: An oxide is deposited by using reaction of a precursor of an organic material with an oxygen radical. A deposition process including purge, oxygen radical injection, and purge are performed after the metal precursor is injected. A thermal process is performed under high oxygen or high oxygen radical atmosphere. A metal oxide is formed by controlling a composition ratio of silicon and metal. The contents of silicon within the metal oxide are increased far from a boundary between the metal oxide and a silicon substrate if a silicon injection time is reduced and a metal precursor injection time is increased.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成用于控制组成和掺杂浓度的半导体器件的绝缘层的方法，以通过使用原子沉积方法或化学气相沉积方法来改善边界特性。 构成：通过使用有机材料的前体与氧自由基的反应来沉积氧化物。 在注入金属前体之后进行包括吹扫，氧自由基注入和吹扫的沉积过程。 在高氧或高氧自由基气氛下进行热处理。 通过控制硅和金属的组成比来形成金属氧化物。 如果硅注入时间减少并且金属前体注入时间增加，则金属氧化物内的硅的含量远远高于金属氧化物和硅衬底之间的边界。
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公开(公告)号：KR102225487B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020140190604
申请日：2014-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 임정욱
IPC: H01L31/0224
Abstract: 본발명은저방사투명전극및 이를이용한태양전지에관한것으로, 상기투명전극은기판상에순차적으로적층된제1 유전막및 다층금속막을포함하되, 상기다층금속막은주 금속막및 다리금속막을포함하고, 상기주 금속막은평평하지않은표면을갖고, 상기다리금속막은상기주 금속막의상기평평하지않은표면을덮으며, 상기다층금속막의면저항은상기주 금속막의면 저항보다더 작다.
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公开(公告)号：KR102219551B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020190037420
申请日：2019-03-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01B5/14 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L31/032
Abstract: 기판상에제공되는시드층, 상기시드층상에배치되는저항제어층, 및상기저항제어층상에배치되는광학제어층을포함하는투명전극을제공하되, 상기시드층은제 1 면및 상기제 1 면에대향하여상기저항제어층을향하는제 2 면을갖고, 상기제 2 면의표면거칠기는상기제 1 면의표면거칠기보다클 수있다.
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