公开(公告)号：WO2012054039A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/US2010/053529

申请日：2010-10-21

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  MARDILOVICH, Peter ,  FULLER, Anthony M. ,  WEI, Qingqiao ,  RIVAS, Rio ,  KAMP, David

Inventor： MARDILOVICH, Peter ,  FULLER, Anthony M. ,  WEI, Qingqiao ,  RIVAS, Rio ,  KAMP, David

IPC: C25D11/04 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82B3/0014 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00206 ,  C25D11/022 ,  C25D11/045 ,  C25D11/26

Abstract: An article is provided, the article including a substrate having a surface with a first wettability characteristic. A nano-structure array is formed on the surface of the substrate to provide a nano-structured surface having a second wettability characteristic. A thin-layer surface coating is formed on the nano-structured surface, the thin-layer surface coating being configured to tune the nano-structured surface to a target wettability characteristic.

Abstract translation: 提供了一种制品，该制品包括具有第一润湿特性的表面的基材。 在衬底的表面上形成纳米结构阵列，以提供具有第二润湿特性的纳米结构表面。 在纳米结构化表面上形成薄层表面涂层，薄层表面涂层被配置为将纳米结构化表面调谐到目标润湿性能。

公开(公告)号：WO2011024648A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：PCT/JP2010/063657

申请日：2010-08-11

Applicant: 学校法人立命館 ,  TOWA株式会社 ,  杉山 進 ,  天谷 諭 ,  ダオ ベト ズン

Inventor： 杉山　進 ,  天谷　諭 ,  ダオ　ベト　ズン

IPC: B81C3/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C99/0085 ,  B81B2201/052 ,  G02B26/0833

Abstract: 低コスト、且つ、高い機能を有するＭＥＭＳ、及びその製造方法を提供する。微細構造体からなるデバイス層６１と、基材９１とにより構成されるＭＥＭＳ１０１の製造方法であって、成形可能な材料を型５１により成形することにより、デバイス層６１、及び基材９１を成形する成形工程Ｓ４２と、成形工程により成形されたデバイス層６１と、基材９１とを接合する接合工程Ｓ４４と、成形工程で生じた残膜６１ａを、デバイス層６１より除去する除去工程Ｓ４５と、を有することを特徴とする。

Abstract translation: 提供了具有低成本和高功能性的MEMS和用于制造MEMS的方法。 一种用于制造由精细结构和基板（91）构成的器件层（61）的MEMS（101）的制造方法，其特征在于，包括：模具台阶（S42），其中模塑材料通过模具（51）成型，形成 所述器件层（61）和所述衬底（91）; 其中通过模塑步骤形成的器件层（61）和衬底（91）彼此粘合的粘合步骤（S44） 以及从所述器件层（61）除去在所述成形工序中制造的残留膜（61a）的去除工序（S45）。

公开(公告)号：WO2009152547A1

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：PCT/AU2008/000881

申请日：2008-06-20

Applicant: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD ,  MCAVOY, Gregory John ,  KERR, Emma Rose ,  SILVERBROOK, Kia

Inventor： MCAVOY, Gregory John ,  KERR, Emma Rose ,  SILVERBROOK, Kia

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  G01N27/00 ,  G01N35/00

CPC classification number: G01N35/08 ,  B41J2/14427 ,  B41J2002/14435 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00253 ,  G01N2035/1041

Abstract: A microfluidic system comprising an integrated circuit having a bonding surface bonded to a polymeric microfluidics platform. The microfluidic system comprises one or more microfluidics devices controlled by control circuitry in the integrated circuit. At least one of the microfluidic devices comprises a MEMS actuator positioned in a MEMS layer of the integrated circuit. The MEMS layer is covered with a polymeric layer which defines the bonding surface of the integrated circuit.

Abstract translation: 一种微流体系统，其包括具有与聚合微流体平台结合的结合表面的集成电路。 微流体系统包括由集成电路中的控制电路控制的一个或多个微流体装置。 至少一个微流体装置包括位于集成电路的MEMS层中的MEMS致动器。 MEMS层被限定了集成电路的接合表面的聚合物层覆盖。

公开(公告)号：WO2009034697A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：PCT/JP2008/002430

申请日：2008-09-04

Applicant: パナソニック株式会社 ,  中谷将也 ,  牛尾浩司 ,  平岡聡一郎 ,  大島章義 ,  高橋誠

Inventor： 中谷将也 ,  牛尾浩司 ,  平岡聡一郎 ,  大島章義 ,  高橋誠

IPC: B81B1/00 ,  B41J2/16 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01N33/48728 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00206 ,  Y10T428/23943

Abstract: 　本発明のシリコン構造体は、基材となるシリコン基板（１）と、シリコン基板（１）のシリコンからなる表面（１ａ）に直接接合された、二酸化珪素からなる複数の繊維状突起物（２）とを備えている。この繊維状突起物（２）を形成した領域を任意に所定の領域に構成することにより、親水性および保水性のうちの少なくともいずれかを持たせることができ、各種デバイスに有用なシリコン構造体を提供することができる。

Abstract translation: 公开了一种硅结构，其包括用作基底的硅衬底（1）和由二氧化硅构成并直接接合到硅衬底（1）的表面（1a）的多个纤维突起（2），该表面 1a）由硅组成。 通过在特定区域任意形成纤维状突起（2），能够提供硅结构中的至少一种亲水性和保水性。 因此，硅结构对于各种器件是有用的。

公开(公告)号：EP2172415B1

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：EP08830937.2

申请日：2008-09-04

Applicant: Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd.

Inventor： NAKATANI, Masaya ,  USHIO, Hiroshi ,  HIRAOKA, Soichiro ,  OSHIMA, Akiyoshi ,  TAKAHASHI, Makoto

IPC: B81C1/00 ,  G01N33/487

CPC classification number: G01N33/48728 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00206 ,  Y10T428/23943

公开(公告)号：EP2860150A1

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：EP14188211.8

申请日：2014-10-08

Applicant: OCE-Technologies B.V.

Inventor： Huygens, Maikel A.J. ,  Van der Meer, René J. ,  Pannekoek, Reinier ,  Westland, Alex N.

IPC: B81B7/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81C99/004 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14459 ,  B41J2002/14491 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/052 ,  B81B2207/03 ,  B81C1/00301 ,  G01R31/02 ,  G01R31/2601 ,  H05K1/0268 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/09372

Abstract: A substrate plate (10) for at least one MEMS device (12) to be mounted thereon, the MEMS device (12) having a certain footprint on the substrate plate, and the substrate plate having a pattern (14) of electrically conductive leads to be connected to electric components (28) of the MEMS device (12), said pattern (14) forming contact pads (36, 38) within the footprint of the MEMS device (12) and comprising at least one lead structure (42) that extends on the substrate plate (10) outside of the footprint of the MEMS device (12) and connects a number of said contact pads (36) to an extra contact pad (44) said lead structure (42) being a shunt bar that interconnects a plurality of contact pads (36) of the MEMS device (12) and is arranged to be removed by means of a dicing cut (48) separating the substrate plate (10) into a plurality of chip-size units (10'), characterized in that at least a major part of said extra contact pad (44) is formed within the footprint of one of the MEMS devices (12).

Abstract translation: 一种用于要安装在其上的至少一个MEMS器件（12）的衬底板（10），所述MEMS器件（12）在所述衬底板上具有一定的占地面积，并且所述衬底板具有导电引线的图案（14） 连接到MEMS器件（12）的电气部件（28），所述图案（14）在MEMS器件（12）的占用面积内形成接触焊盘（36,38），并且包括至少一个引线结构（42），所述引线结构 在所述衬底板（10）上延伸到所述MEMS器件（12）的所述覆盖区之外，并且将多个所述接触焊盘（36）连接到额外的接触焊盘（44），所述引线结构（42）是分流棒， 所述MEMS器件（12）的多个接触焊盘（36）被布置成通过将所述基板（10）分离成多个芯片尺寸单元（10'）的切割切口（48）来移除， 其特征在于，所述额外接触焊盘（44）的至少大部分形成在MEMS器件之一的覆盖区内（ 12）。

公开(公告)号：EP2371512A1

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：EP10158912.5

申请日：2010-04-01

Applicant: BOEHRINGER INGELHEIM microParts GmbH

Inventor： Rodenfels, Tobias

IPC: B29C45/16 ,  B01L3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B29C45/16 ,  B29C45/1657 ,  B29C2045/1601 ,  B29C2045/1665 ,  B81B2201/051 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00087

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung eines zumindest bereichsweise lichten Zwischenraums (A) zwischen wenigstens einem ersten Element (26) und wenigstens einem zweiten Element (27) eines mikrofluidischen Bauteils (25).
Bei dem Verfahren sind die Werkstoffe der Elemente (26,27) zumindest hinsichtlich einer ihrer Eigenschaften unterschiedlich, wobei in einem ersten Verfahrensschritt das erste Element (26) hergestellt und in einem zweiten Verfahrensschritt der Werkstoff des zweiten Elementes (27) dem ersten Element (26) zugeführt wird und wobei in einem dritten Verfahrensschritt das zweite Element (27) zumindest bereichsweise einer Volumenverringerung unterzogen wird, derart, dass der zumindest bereichsweise lichte Zwischenraum (A) entsteht.
Dadurch wird ein Verfahren bereitgestellt, bei dem mit vergleichsweise geringem Aufwand zumindest ein Teil einer Mikrostruktur (Mikrospalt, Mikrokanal, Mikrokavität, etc.) herstellbar ist.
Die Erfindung betrifft auch ein mikrofluidisches Bauteil (25), welches aufgrund seiner Ausgestaltung besonders gut mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbar ist.

Abstract translation: 该方法包括制造具有部件（26）的通孔和/或通道，并填充所述通孔和/或通道与另一组分（27），其中，所述部件由具有不同特性的材料制成的材料即 收缩系数，通过使用注射成型方法。 后期组分截面经受体积减少，谋求确实的净空间（A）中的组件，其中，所述体积减少在后一组分截面收缩上的本体（28）之间形成。 因此独立claimsoft包括用于微流体组分，其包含两种组分。

公开(公告)号：EP1934133A1

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：EP05791165.3

申请日：2005-10-10

Applicant: Silverbrook Research Pty. Ltd

Inventor： SILVERBROOK, Kia

IPC: B81C1/00 ,  B41J2/05 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1404 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14475 ,  B41J2202/11 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0126

Abstract: A method of forming a suspended beam in a MEMS process is disclosed. In the process a pit (8) is etched into a substrate (5). Sacrificial material (10) is deposited in the pit (8) and on the surrounding substrate surface. The sacrificial material (10) is then removed from the surrounding substrate surface and from the periphery of the pit (8) so that there is a gap between the sacrificial material and at least two sidewalls of the pit. The sacrificial material is then heated so that it reftows such that the remaining sacrificial material contacts the sidewalls of the pit. Material for the beam (12), which is typically a metal, is then deposited on the substrate surface and the reflowed sacrificial material, and the sacrificial material is then removed to form the suspended beam. The beam could be used as the heating element in an inkjet printer.

公开(公告)号：EP1199174B1

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：EP01308476.9

申请日：2001-10-03

Applicant: Xerox Corporation

Inventor： Kubby, Joel A. ,  Eklund, Elliott A. ,  Gulvin, Peter M.

IPC: B41J2/14

CPC classification number: F04B43/043 ,  B41J2/14314 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/045 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/053

公开(公告)号：EP1800334A2

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：EP05789502.1

申请日：2005-10-04

Applicant: Silverbrook Research Pty. Ltd

Inventor： MCREYNOLDS, Darrell LaRue ,  SILVERBROOK, Kia

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B41J2/1412 ,  B41J2/1601 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/164 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132

Abstract: A method of polymeric coating from sidewalls of en etched trench defined in silicon wafer [5] was provided The method comprises etching the wafer in a biased plasma etching chamber using 02 plasma. The chamber temperature is in the range of 90-180 deg C.