公开(公告)号：WO99009576A1

公开(公告)日：1999-02-25

申请号：PCT/US1998/015714

申请日：1998-07-29

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/00 ,  C23C16/26 ,  H01J1/02 ,  H01J1/05 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2329/0444

Abstract: A carbon film (703) used for field emission cathode is a layer of thin carbon film on a substrate (803). The carbon film has a UV Raman band in range of 1578 cm to 1620 cm with full width at half maximum from 25 to 165 cm .

Abstract translation: 用于场发射阴极的碳膜（703）是在基板（803）上的薄碳膜层。 碳膜的UV拉曼带的范围为1578cm -1至1620cm -1，半高宽为25至165cm -1。

公开(公告)号：JP4902666B2

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：JP2008544242

申请日：2006-12-01

Applicant: 韓國電子通信研究院Electronics and Telecommunications Research Institute

Inventor： デ ジュン キム ,  ユン ホ ソン ,  ジン ウ チョン

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/24 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B22F2999/00 ,  C22C2026/002 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/30469 ,  B22F1/0022 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0074

公开(公告)号：JP4870029B2

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：JP2007148694

申请日：2007-06-04

Applicant: アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド

Inventor： リー トルト ジダン

IPC: C01B31/02 ,  H01J1/304 ,  B01J19/00 ,  C23C16/26 ,  H01J1/02 ,  H01J1/05 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2329/0444

公开(公告)号：JP4786471B2

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：JP2006229336

申请日：2006-08-25

Applicant: アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド

Inventor： リー トルト ジダン

IPC: C01B31/02 ,  H01J1/304 ,  B01J19/00 ,  C23C16/26 ,  H01J1/02 ,  H01J1/05 ,  H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2329/0444

公开(公告)号：JP2010532915A

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：JP2010519141

申请日：2008-07-01

Applicant: 韓国科学技術院Korea Advanced Institute Of Science And Technology

Inventor： スン ソブ イ ,  ソク ウ イ ,  ゾン ア イ

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30415 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2203/0228 ,  H01J2329/0418 ,  H01J2329/0444 ,  H01J2329/4626

Abstract: 本発明による炭素微細構造物を有する電界放出アレイの製造方法は、透明基板の表面にパターン溝を有するフォトマスクを付着するフォトマスク付着段階と、フォトマスクの表面にネガティブ・フォトレジストを付着するフォトレジスト付着段階と、透明基板のフォトマスクが付着された部分の反対側から光を照射してパターン溝を通じてネガティブ・フォトレジストに照射される光によってネガティブ・フォトレジストの一部を硬化させる露光段階と、ネガティブ・フォトレジストの露光されていない部分を除去して、ネガティブ・フォトレジストが硬化されてなる微細構造物を形成する現像段階と、微細構造物を加熱して炭化させる熱分解段階と、微細構造物が形成された透明基板の表面に電圧を供給するためのカソードを付着するカソード付着段階とを包含してなることを特徴とする。 本発明によると、電子放出素子として使用される炭素微細構造物を簡単でかつ低コストで製造することができる。
【選択図】図１８

公开(公告)号：JP2009016233A

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：JP2007178004

申请日：2007-07-06

Applicant: Japan Science & Technology Agency ,  Kyoto Univ ,  Nissin Ion Equipment Co Ltd ,  国立大学法人京都大学 ,  日新イオン機器株式会社 ,  独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： ISHIKAWA JUNZO ,  TSUJI HIROSHI ,  GOTO YASUHITO ,  TAKEUCHI MITSUAKI ,  SAKAI SHIGEKI

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/3048

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method capable of obtaining a field-emission type electron source having with excellent electron emission characteristics without requiring an annealing treatment and having long life. SOLUTION: The manufacturing method is provided with an ion implantation process for implanting carbon ions 40 at least to a tip part of an emitter 18 after forming the emitter 18 mainly composed of silicon. The coordinates of points P 1 to P 6 on an orthogonal coordinate with one axis as representing energy (its unit is keV) of the carbon ion 40 and the other axis as representing an implantation amount (its unit is ×10 17 ions/cm 2 ) are shown as (energy, implantation amount), the carbon ion 40 is implanted under a condition in an area surrounded by connecting straight lines of 6 points of P 1 (5, 0.8), P 2 (5, 1.5), P 3 (10, 2.5), P 4 (15, 3.0), P 5 (15, 2.0), and P 6 (10, 1.6). COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够获得具有优异的电子发射特性而不需要退火处理并具有长寿命的场致发射型电子源的制造方法。 解决方案：制造方法具有离子注入工艺，用于在形成主要由硅构成的发射极18之后至少将发射极18的尖端部分注入碳离子40。 在一轴的正交坐标上的点P 1 到P 6的坐标表示碳离子40的能量（其单位是keV），另一轴表示为 植入量（其单位为×10 17 离子/ cm 2）表示为（能量，注入量），碳离子40在 P 1 （5,0.8），P 2 （5,1.5），P 3 的6个点 10，2.5），P 4 （15,3.0），P 5 （15,2.0）和P 6（10,1.6） 。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JPWO2011046157A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：JP2011536162

申请日：2010-10-06

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 亮太 弓削 ,  亮太 弓削 ,  湯田坂　雅子 ,  雅子 湯田坂

IPC: C01B31/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/26

CPC classification number: C01B31/0226 ,  B01J21/18 ,  B01J23/28 ,  B01J23/30 ,  B01J23/40 ,  B01J23/70 ,  B01J23/74 ,  B01J35/0013 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/16 ,  C01B32/162 ,  C01B32/18 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/36 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/30469 ,  Y10T428/2918

Abstract: 本発明の課題は、高いアスペクト比を持ち、高分散性をも有し、さらに直径制御されているのみならず、低コストで耐久性にも優れたナノチューブ・ナノホーン複合体を提供することにある。本発明では、レーザーアブレーション法により触媒含有炭素ターゲットを蒸発させることで、カーボンナノホーン集合体とカーボンナノチューブを共に含む構造を合成する。

公开(公告)号：JP4611958B2

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：JP2006283783

申请日：2006-10-18

Applicant: 三星エスディアイ株式会社

Inventor： 相鉉 朴 ,  晶姫 李 ,  錫光 杜 ,  東民 林 ,  廷娜 許 ,  太遠 鄭

IPC: C01B31/02 ,  B01J23/42 ,  B01J23/50 ,  B82B3/00 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01B1/22 ,  B01J21/185 ,  B01J23/42 ,  B01J23/462 ,  B01J37/0203 ,  B01J37/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/176 ,  C01B2202/34 ,  D01F11/12 ,  H01B1/24 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30453

Abstract: Carbon nanotubes and metal particle-containing carbon nanotubes are provided. The carbon nanotubes have increased surface area. A method of cutting carbon nanotubes is also provided. According to the method, the dispersion properties of the carbon nanotubes are improved by simplifying the structural changes and/or surface modifications of the carbon nanotubes, thereby enabling insertion of an active substance into the inner walls of the carbon nanotubes and increasing the insertion efficiency.

公开(公告)号：JP2010056062A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：JP2009003713

申请日：2009-01-09

Applicant: Hoki Haba ,  Life Technology Research Institute Inc ,  National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology ,  株式会社ライフ技術研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  方紀 羽場

Inventor： ISHIGURO YOSHIHISA ,  HABA HOKI ,  SUZUKI RYOICHI

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J35/065 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2235/062

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an emitter of a field emission electron having a carbon film structure, which suppresses local electric field concentration, prevents current deterioration and a discharge phenomenon which accompanies thermal deterioration, suppresses the dispersion of electron emission, provides a desired function in a field emission device which applies the emitter, and to provide a field emission device that applies the emitter which fulfills a desired function and provides a more practical product. SOLUTION: The electron emitter is provided with a guard electrode 13 on an outer circumference side of the carbon film structure 10, formed on a substrate 7 by a plasma CVD method. The guard electrode 13 includes a convex-curved surface part (a curved-surface part which is curved to the opposite side, in the film-forming direction) 13a in a film-forming direction of the carbon film structure 10. The guard electrode having the curved surface part 13a, of which the curvature radius R1 on the outer circumference side of the guard electrode 13 is larger than a curvature radius R2 on a carbon film structure side, is applied. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题为了提供抑制局部电场浓度的具有碳膜结构的场致发射电子的发射极，防止电流恶化和伴随热劣化的放电现象，抑制电子发射的分散，提供 在施加发射极的场致发射器件中的期望功能，以及提供施加发射器的场致发射器件，其实现期望的功能并提供更实用的产品。 解决方案：电子发射器在碳膜结构10的外周侧设置有通过等离子体CVD法形成在基板7上的保护电极13。 保护电极13包括在碳膜结构体10的成膜方向上的凸曲面部（与成膜方向相反侧弯曲的曲面部）13a。保护电极具有 施加保护电极13的外周侧的曲率半径R1大于碳膜结构侧的曲率半径R2的曲面部13a。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009032697A

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：JP2008196587

申请日：2008-07-30

Applicant: Samsung Sdi Co Ltd ,  三星エスディアイ株式会社

Inventor： CHO YOUNG-MI ,  KIM CHANG-WOOK ,  MOON HEE-SUNG

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30453

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: an electron-emitting source; an electron-emitting element; and a method of manufacturing an electron-emitting source. SOLUTION: This electron-emitting source has a carbon-based substance, and a deterioration-preventing substance for the carbon-based substance, wherein binding energy between the deterioration-preventing substance for the carbon-based substance and external oxygen is larger than that between the carbon-based substance and the external oxygen. This electron-emitting element is provided with the electron-emitting source. This manufacturing method is provided for manufacturing the electron-emitting source. Accordingly, the electron-emitting source can have excellent field-emission efficiency, and long life. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供：电子发射源; 电子发射元件; 以及制造电子发射源的方法。 解决方案：该电子发射源具有碳系物质和碳系物质的劣化防止物质，其中碳系物质的劣化防止物质与外部氧之间的结合能较大 比碳基物质和外部氧气之间的温度高。 该电子发射元件设置有电子发射源。 该制造方法用于制造电子发射源。 因此，电子发射源可以具有优异的场致发射效率和长的使用寿命。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT