公开(公告)号：FR3049110B1

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：FR1652403

申请日：2016-03-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： LE ROYER CYRILLE ,  BOEUF FREDERIC ,  GRENOUILLET LAURENT ,  HUTIN LOUIS ,  MORAND YVES

IPC: H01L21/336

公开(公告)号：FR3059152A1

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：FR1661261

申请日：2016-11-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PRIETO HERRERA RAFAEL AUGUSTO ,  COLONNA JEAN-PHILIPPE ,  COUDRAIN PERCEVAL

IPC: H01L23/34

Abstract: Dispositif de transfert thermique comprenant un empilement qui comprend : au moins une couche conductrice de la chaleur (3), présentant au moins une portion de récupération de chaleur (5), apte à être placée en regard d'une source de chaleur, et une portion d'évacuation de chaleur (6), apte à être placée en regard d'un puits thermique, et au moins une couche d'absorption de la chaleur (4), incluant une matière à changement de phase, dont une face est accolée à au moins une partie d'au moins une face de ladite couche conductrice de la chaleur. Dispositif électronique comprenant un tel dispositif de transfert thermique.

公开(公告)号：FR3025938B1

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：FR1458759

申请日：2014-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ARVET CHRISTIAN ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  LAGRASTA SEBASTIEN ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772

公开(公告)号：FR3057102A1

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：FR1659611

申请日：2016-10-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  PAREDES-SAEZ VICTORIEN

IPC: H01L21/205

Abstract: L'invention concerne un Procédé de dépôt par épitaxie en phase gazeuse de silicium, de germanium ou de silicium-germanium sur une surface (35) semiconductrice monocristalline d'un substrat, ce procédé comprenant des étapes successives suivantes : disposer le substrat dans un réacteur d'épitaxie balayé par un gaz porteur ; porter la température du substrat à une première valeur ; introduire, pendant une première durée, au moins un premier gaz précurseur du silicium et/ou un gaz précurseur du germanium ; et réduire la température du substrat à une deuxième valeur, le procédé comprenant, à la fin de la première durée, le maintien de 1'introduction du premier gaz précurseur du silicium et/ou l'introduction d'un deuxième gaz précurseur du silicium, lesdits gaz ayant une pression partielle adaptée à former une couche de silicium ayant une épaisseur inférieure à 0, 5 nm.

公开(公告)号：FR3045938B1

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：FR1563063

申请日：2015-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GRENOUILLET LAURENT ,  ATHANASIOU SOTIRIS ,  GALY PHILIPPE

IPC: H01L21/8232 ,  G11C11/407

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré (1), comprenant : -un transistor à effet de champ (2), comprenant : -des première et deuxième électrodes de conduction (201, 202) ; -une zone de canal (203) disposée entre les première et deuxième électrodes de conduction ; -un empilement de grille (220) disposé à l'aplomb de la zone de canal, et comprenant une électrode de grille (222) ; -un point mémoire de type RRAM (31) ménagé sous la zone de canal, ou ménagé dans l'empilement de grille sous l'électrode de grille.

公开(公告)号：FR3040533B1

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：FR1558060

申请日：2015-08-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： RODRIGUEZ PHILIPPE ,  GHEGIN ELODIE ,  NEMOUCHI FABRICE

IPC: H01L23/485 ,  H01L29/72

公开(公告)号：FR3046697B1

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：FR1650152

申请日：2016-01-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CARPENTIER JEAN FRANCOIS ,  LEMAITRE PATRICK ,  FOUREL MICKAEL

IPC: H01L23/52 ,  G02B6/42

公开(公告)号：FR2999800B1

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：FR1262012

申请日：2012-12-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS INC ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FENOUILLET-BERANGER CLAIRE ,  DENORME STEPHANE ,  LOUBET NICOLAS ,  LIU QING ,  RICHARD EMMANUEL ,  PERREAU PIERRE

IPC: H01L21/71

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat hybride SOI/massif, comprenant les étapes suivantes : a) partir d'une plaquette SOI comprenant une couche semiconductrice monocristalline appelée couche SOI (3), sur une couche isolante (2), sur un substrat semiconducteur monocristallin (1) ; b) déposer sur la couche SOI au moins une couche de masquage (17, 18) et former des ouvertures traversant la couche de masquage, la couche SOI et la couche isolante jusqu'à atteindre le substrat ; c) faire croître par une alternance répétée d'étapes d'épitaxie sélective et de gravure partielle un matériau semi-conducteur (27) ; et d) graver des tranchées d'isolement entourant lesdites ouvertures remplies de matériau semiconducteur, en empiétant vers l'intérieur sur la périphérie des ouvertures.

公开(公告)号：FR3049110A1

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：FR1652403

申请日：2016-03-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： LE ROYER CYRILLE ,  BOEUF FREDERIC ,  GRENOUILLET LAURENT ,  HUTIN LOUIS ,  MORAND YVES

IPC: H01L21/336

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication, comprenant les étapes de : -fournir un substrat (100) comportant une couche de matériau semi-conducteur (133) surmontée d'une grille sacrificielle comportant un isolant de grille sacrificiel comportant : -une partie médiane, et -des bords surmontés d'espaceurs sacrificiels et présentant une épaisseur tox; -retirer l'isolant de grille sacrificiel et le matériau de grille sacrificiel; -former un dépôt conforme d'une épaisseur thk de matériau diélectrique à l'intérieur de la gorge formée pour former un isolant de grille, avec tox > thk ≥ tox/2 ; -former une électrode de grille (142) dans la gorge ; -retirer les espaceurs sacrificiels pour découvrir des bords (122) de la couche d'isolant de grille ; -former des espaceurs (150, 151) sur les bords (122) de la couche d'isolant de grille de part et d'autre de l'électrode de grille (142), ces espaceurs présentant une constante diélectrique au plus égale à 3,5.

公开(公告)号：EP1816689A1

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：EP07101675.2

申请日：2007-02-02

Applicant: ST Microelectronics Crolles 2 SAS

Inventor： Skotnicki,, Thomas ,  Monfray, Stéphane

IPC: H01L49/00 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L45/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/7613

Abstract: L'invention concerne un dispositif microélectronique doté d'au moins un transistor ou triode, à modulation de courant tunnel de type Fowler-Nordheim reposant sur un substrat (101-100), la triode ou le transistor comprenant:
- au moins un premier bloc (110) destiné à jouer le rôle de cathode et au moins un deuxième bloc (112) destiné à jouer le rôle d'anode, le premier bloc et le deuxième bloc reposant sur le substrat et étant séparés par une zone isolante (115) de canal reposant sur le substrat,
- au moins une zone (118) de diélectrique de grille, reposant au moins sur ladite zone isolante (115) de canal, et au moins une grille (120) reposant sur ladite zone (118) de diélectrique de grille. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un tel dispositif.

Abstract translation: 该器件具有隧道效应晶体管或三极管，其包括由沟道绝缘区（115）分开的阳极块（110）和阴极块（112）。 块和绝缘区位于衬底上，其中块包括具有不同材料的两层堆叠。 栅极介电区（118）位于绝缘区上，其中栅极（120）位于介电区上。 绝缘区的临界尺寸为1-10nm。 还包括用于生产微电子器件的独立权利要求。